本报告共7页：报告版权归作者所有，本公众号仅做技术分享。
本文是国际大厂关于IGBT功率器件的产品认证状态报告，涵盖了产品信息、需求规范、电气特性、最大额定值验证、环境与可靠性测试等内容，并得出产品已认证的结论。
****本报告已放入《知识星球》****
****私信博主加入星球，优惠多多*****
****知识星球已加入200+文件****
- 参考文档
：包括《大功率半导体通用质量规范》、《D1项认证测试计划》、《D2-D11项认证测试计划》、《运行（牵引）环境等级规范》、《存储环境等级规范》、《运输环境等级规范》、《运行（工业）环境等级规范》以及IEC 60747《半导体器件 - 分立器件》、IEC 60068《环境试验》、IEC 60749《半导体器件 - 机械和气候试验方法》、IEC 61373《铁路应用 - 机车车辆设备 - 冲击和振动》等标准。
电气特性
- 静态电气特性
：对集电极-发射极击穿电压（VCE(br) vs. IC(br)）、集电极泄漏电流（IC vs. VCE）、集电极-发射极饱和电压（VCE(sat) vs. IC）、反向二极管正向压降（VF vs. IF）、集电极去饱和电流（IC(desat) vs. VGE）、栅极-发射极阈值电压（VGE(th) vs. IC）、IGBT和二极管的结壳热阻（RthJC(IGBT), RthJC(Diode)）、IGBT和二极管的结散热器热阻（RthJH(IGBT), RthJH(Diode)）等项目进行了测试。 - 动态电气特性
：测试了开通开关特性（td(on), tr, Eon, vs. IC, Rg）、关断开关特性（td(off), tf, Eoff vs. IC, Rg）、二极管恢复特性（Irr, Qrr, Erec vs IF, Rg）、二极管 snap off 行为、开通时总栅极电荷（QG(on) vs. VCE）、IGBT和二极管的结壳热阻抗（ZthJC(IGBT), ZthJC(Diode)）、IGBT和二极管的结散热器热阻抗（ZthJH(IGBT), ZthJH(Diode)）。
最大额定值验证
- 测试项目
：包括IGBT关断开关安全工作区（ISSOA）（ICM vs. VCE）、二极管关断开关安全工作区（DSSOA）（di/dt(max) vs. VR）、短路安全工作区模式1（SCSOA1）（IC(sc1) vs. VCE）、浪涌电流能力（IFSM vs. tp）、端子到外壳的隔离电压（V(isol) vs. t）、端子到外壳的局部放电起始电压（V(inc)）等。其中，集电极雪崩电流额定值（IC(aval) vs. tp）不适用；短路安全工作区模式2（SCSOA2）（IC(sc2) vs. VCE）测试结果为通过。
环境与可靠性测试
- 测试项目
：涵盖高温存储、低温存储、高温反向偏置、高温栅极偏置、功率循环（引线键合）、功率循环（软焊料）、温度变化、温湿度偏置、冲击、振动（随机）等。
章节主要内容如下（全文已更新到我的《知识星球》
以上为部分章节。
更多文件关注——“信息共享95888”～
*-----------------下载链接-----------------*
*资料收集不易，扫码私信获取解压密码*
*-----------------下载链接-----------------*
Y调研报告：奥迪e-tron电驱用日立双面水冷功率模块逆向分心（附下载）
Y调研报告：600/650V硅基氮化镓HEMT与超结MOSFET对比分析（附下载）
Y调研报告：汽车级低压硅Si MOSFET比较分析（附下载）
英飞凌：功率MOSFET应用手册和失效模式分析（2份-附下载）
英飞凌：功率MOSFET应用手册和失效模式分析（2份-附下载）
Y调研报告：650V Si IGBT技术、工艺与成本对比分析（附下载）
Y调研报告：2025年MEMS行业现状-市场和技术分析（附下载）
Y调研报告：1200V Si IGBT技术、工艺与成本对比分析（附下载）
Y调研报告：2024年SiC碳化硅晶体管-技术、工艺与成本对比（附下载）
Y-行业报告：《人工智能应用驱动下半导体行业发展展望》（附下载）
Y-GaN专刊2：《氮化镓半导体认证和可靠性》（5份-附下载）
Y-GaN专刊1：《氮化镓功率晶体管-器件、电路与应用》（5份-附下载）
Y-GaN专刊2：《氮化镓半导体认证和可靠性》（5份-附下载）
Y-GaN专刊1：《氮化镓功率晶体管-器件、电路与应用》（5份-附下载）
Y调研报告：《2025年功率电子行业现状——市场与技术报告》（附下载）
