安芯易《AI驱动的存储器超级周期：2025-2027战略展望》核心内容出炉！带您深度解析市场脉动。立即关注，把握半导体产业的全球博弈与变革先机！
根据 Omdia 的预测，全球半导体市场总收入将在 2026 年突破 1 万亿美元，其中存储 IC（Memory IC）板块本身预计将实现 85%–90% 的高速增长。与此同时，2026 年第一季度 DRAM 和 NAND 闪存的合约价预计将环比上涨 55-60%。这一轮超级周期的根本驱动力，来自于结构性的供需失衡，其核心驱动力在于人工智能（AI）对高带宽存储（HBM）及高密度服务器 DRAM的爆发式需求；然而，存储厂商在战略层面优先配置 HBM 产能，导致整体供给受到刻意收缩，二者形成正面冲突。
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需求拐点:AI作为新的结构性驱动
生成式AI的工作负载正从训练大规模转向推理阶段，这带来了持续且巨大的数据吞吐需求。AI不再仅仅是短期算力爆发，而是建立了永久性的高存储基准。例如，NVIDIA新一代Rubin平台中，单颗GPU将配置288GB HBM4，CPU支持高达1.5TB LPDDR5X。同时，多模态AI推动企业级SSD（eSSD）向30TB-64TB高容量发展，以承载PB级AI数据湖。存储已成为AI基础设施的核心部件，需求呈现“刚性化、无弹性”的鲜明特征。
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供应侧再调整:蓄意稀缺策略
面对全新的需求曲线，供给端并未选择大规模扩产，反而执行主动收缩与战略再分配。存储厂商将稀缺的晶圆产能优先配置给高毛利的HBM和DDR5。生产1GB HBM所消耗的晶圆面积相当于2–3GB标准DRAM，这种“比特惩罚”效应直接挤占了传统产品的产出。此外，三星、SK海力士等巨头已计划在2026年战略性削减NAND晶圆投片量，以盈利为导向控制供给。新增产能建设周期漫长，导致2026-2027年结构性短缺已成定局。
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DRAM：代际分化，DDR5崛起与DDR4“僵尸化”
DDR5因AI服务器推动价格持续跳涨，盈利能力预计2026年上半年反超HBM；而DDR4因产能被加速退出，出现“僵尸化”现象，现货价格一度暴涨1800%，形成“旧比新贵”的稀缺悖论。
预测内存合约价格趋势（2025-2026 年）
信息来源：TrendForce
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HBM：技术制高点与产能的“锁定”
作为AI存储制高点，技术正向HBM4迭代，但2026年产能几乎已被NVIDIA等大客户通过长期协议全部锁定，新产能2027年前难以放量。
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NAND Flash：从周期商品到AI驱动的结构性增长
企业级SSD成为AI数据管道核心，推动市场从周期波动转向结构性增长。头部厂商正执行严格的产能纪律，主动控制产出以维持定价权，技术竞赛已迈向400层以上堆叠。
NAND闪存收入和3D NAND发展趋势
来源：Counterpoint Research
2025–2027 年全球存储与内存市场正进入一个结构性受限的超级周期。2026 年上半年至 2027 年将构成一个长期对卖方有利的阶段：在这一阶段，产能掌控权、配额优先级以及设计灵活性，将取代单位成本最优化，成为决定企业竞争定位的核心要素。
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