管理层就 HBM4 认证、定价及相较于传统存储器的盈利前景的表态； 存储器长期协议（LTA）谈判进展，以及核心客户除长期需求承诺外的合理分配情况； 资本支出、比特增长率、供需展望及销售策略更新； 晶圆代工技术、新设计案斩获及相关策略更新。
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三星Q4财报前瞻:存储器上行周期继续走强,小摩上调目标价至20万韩元下周四，三星将发布最新一季度的财报。昨天分享了一篇关于海力士的前瞻，今天来看看小摩（JP Morgan）对其的前瞻分析。 小摩认为：HBM 期权价值持续提升，存储器上行周期走强，有望推动股价走高；上调目标价至 20 万韩元 小摩预计，HBM 期权价值将在 2026 财年兑现，且存储器上行周期更强、持续时间更长，有望推动股价进一步上涨。在将每股收益（EPS）预期上调 23%-25% 后，小摩采用周期峰值估值（约为 2026-2027 财年预期市净率的 2 倍，或对应 2026-2027 财年预期每股收益的 9 倍），将 2026 年 12 月目标价上调至 20 万韩元。小摩建议投资者增持该股。 一、HBM 期权价值持续提升，传统存储器上行周期走强 小摩预计，三星团队将在即将到来的 HBM4 认证中展现强劲执行力，其市场份额斩获将超出市场预期。HBM 季度比特出货量已于 2025 年上半年触底，三星电子自此后每季度出货量持续攀升，向博通及其他专用集成电路（ASIC）客户的供应量不断增加。 2026 财年 HBM 比特增长率预计达 128%，小摩预计其产品结构占比将从 2025 财年的 17% 大幅提升至 18%（与海力士 HBM 占比同比下滑的趋势形成反差），且这一趋势明年有望延续。传统存储器定价谈判也向三星电子倾斜，小摩预计供需格局向好，将推动剔除 HBM 后的 DRAM+NAND 营业利润同比增长 4 倍。 二、EPS 上调后资本支出或加码，2024-2026 年计划后额外现金回报潜力超 50 万亿韩元 小摩预计，三星电子将通过创历史新高的资本支出，积极弥补供应缺口，重点聚焦 PT4 产能扩张及工艺迁移。不过，小摩自下而上的比特产量分析显示，三星电子 DRAM/NAND 比特增长率同比分别为 19%/11%。 物理产能约束的挑战仍极为严峻，小摩预计供应短缺趋势在可预见的未来将持续。尽管 2026-2027 财年预期资本支出将提升至 60-66 万亿韩元，但息税折旧及摊销前利润（EBITDA）仍将保持强劲，小摩预计额外现金回报总规模约为 50 万亿韩元。 三、移动体验事业部（MX）利润率压力将加剧，但并非股价核心驱动因素 考虑到存储器物料清单（BOM）成本同比翻倍，三星电子整机业务（如智能手机、平板、PC 及其他消费电子设备）的利润率压力预计将显著加大。 由于设备解决方案事业部（DS）与移动体验事业部（MX）独立运营，小摩认为内部交易相关的成本节约空间极小，预计 MX 事业部将采取激进的降本措施，例如面板与光学组件的供应商 / 技术多元化（这两类是移动设备中除半导体外的两大核心组件）。在 MX 事业部层面，即将发布的财报中，设备定价政策调整及自研芯片用量仍是最值得关注的要点。 四、1 月 29 日财报电话会议需关注要点
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