本报告共37页:报告版权归作者所有,本公众号仅做技术分享。
介绍了PCB市场概况、Schweizer公司情况、其资助项目以及功率PCB的发展趋势,特别是嵌入技术的应用。
****本报告已放入《知识星球》****
****私信博主加入星球,优惠多多*****
****知识星球已加入200+文件****

PCB市场概况
- 市场规模
:2016年PCB市场规模为583亿美元,2016至2017年全球PCB市场增长1.7%。 - 地区分布
:2016年全球PCB产出按国家划分,日本和台湾有60%的产量在国外,全球约有2400家PCB工厂,前30家及接下来80家年收入超过1亿美元。
Schweizer公司概况
- 基本信息
:拥有168年成功历史,2016年营收1.161亿欧元,连续5年增长,员工超过780人。 - 业务构成
:汽车领域占76%,工业领域占18%,其他领域占6%,是传感器和功率PCB解决方案的领先供应商,合作伙伴包括WUS、英飞凌、Meiko、Elekonta等。
资助项目
- BMBF-Project KoRRund
:涉及雷达IC的嵌入以及新型雷达天线技术。 - Smart PVI-Box
:具备耐高温、高导热性,可嵌入宽带隙半导体。 - Project VoLiFa 2020
:专注于功率和逻辑半导体的嵌入,能实现最高功率耗散。
功率PCB趋势
- 性能需求
:功率设计对电气和热性能有要求,当前面临高电流、高温、高电压等挑战。 - 潜在方案
:包括逻辑与功率PCB结合、单独的逻辑PCB与功率PCB(如Heavy Cu、Inlay、IMS)、使用陶瓷材料(Al₂O₃、AIN、Si₃N₄)以及嵌入技术相关的p² Pack等多种选项。 - 技术优势
:以48/12V DC/DC演示为例,采用4×400µm Cu和4×70µm Cu,Heavy Copper T²为2.6mm,Heavy Copper为3.5mm;高电流系统中,结合84µOhm @25°C的高电流MOSFET技术和29µOhm @25°C的高电流Inlay Board技术,在300A电流下,25°C时MOSFET损耗7.6W(75%)、PCB损耗2.6W(25%),150°C时MOSFET损耗15.12W(79%)、PCB损耗4.05W(21%)。
嵌入技术的功率PCB趋势
- 嵌入技术定义
:如µ² Pack®、p² Pack®等系统级封装PCB解决方案,需要新的商业模式和供应链模式。 - 合作与目标
:与英飞凌合作的Smart p² Pack目标是相比传统封装MOSFET(相同芯片尺寸)在PCB上的解决方案,提供约30%的功率耗散降低或约50%的性能提升(基于工程估计,具体百分比因应用而异)。 - 应用与优势
:在BSG演示器、辅助驱动演示器等项目中应用,能降低导通电阻(如嵌入解决方案1.1mOhm,传统封装1.5mOhm),提升可靠性,还可嵌入分流器(0.05-0.1mOhm,0-300A,0.5-30mV,热耗散4.5-9W,温升3-5K,接触电阻<1%标称电阻值),并有明确的工业化路线图,适用于不同电压和功率范围的多种应用。
章节主要内容如下(全文已更新到我的《知识星球》




























以上为部分章节。

更多文件关注——“信息共享95888”~
*-----------------下载链接-----------------*
*资料收集不易,扫码私信获取解压密码*

*-----------------下载链接-----------------*
Y调研报告:奥迪e-tron电驱用日立双面水冷功率模块逆向分心(附下载)
Y调研报告:600/650V硅基氮化镓HEMT与超结MOSFET对比分析(附下载)
Y调研报告:汽车级低压硅Si MOSFET比较分析(附下载)
英飞凌:功率MOSFET应用手册和失效模式分析(2份-附下载)
英飞凌:功率MOSFET应用手册和失效模式分析(2份-附下载)
Y调研报告:650V Si IGBT技术、工艺与成本对比分析(附下载)
Y调研报告:2025年MEMS行业现状-市场和技术分析(附下载)
Y调研报告:1200V Si IGBT技术、工艺与成本对比分析(附下载)
Y调研报告:2024年SiC碳化硅晶体管-技术、工艺与成本对比(附下载)
Y-行业报告:《人工智能应用驱动下半导体行业发展展望》(附下载)
Y-GaN专刊2:《氮化镓半导体认证和可靠性》(5份-附下载)
Y-GaN专刊1:《氮化镓功率晶体管-器件、电路与应用》(5份-附下载)
Y-GaN专刊2:《氮化镓半导体认证和可靠性》(5份-附下载)
Y-GaN专刊1:《氮化镓功率晶体管-器件、电路与应用》(5份-附下载)
Y调研报告:《2025年功率电子行业现状——市场与技术报告》(附下载)


