管理层对 HBM4 认证、定价及盈利影响的解读； 长期协议（LTA）讨论进展，以及核心客户除长期需求承诺外的合理份额分配情况； 资本开支、供需平衡（B/G）及各核心终端市场相关供需（S-D）展望更新； ADR 上市相关的管理层立场更新。 
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下周四海力士财报看点:HBM4认证、定价及长期协议讨论下周四，海力士将发布2025年第四季度的财报，今天来看看小摩（JP Morgan）对其的前瞻分析。 小摩认为：HBM 长期增长战略方向不变，价格走强推动 EPS 上调，将目标价上调至 100 万韩元。 近期 19 万亿韩元的 HBM 后端封装投资，再度印证了 SK 海力士团队优先布局 AI 存储业务解决方案的坚定决心，小摩预计 SK 海力士中长期将维持市场份额与技术领先地位。 叠加未来 3-6 个月价格强劲的上涨势头，小摩预计 EPS 将持续上调，且存储行业上行周期的高度与时长均将提升，支撑股价进一步上涨。基于 2026-2027 财年 EPS 预期上调 20%-25%，小摩将 2026 年 12 月目标价上调至 100 万韩元（较周期峰值市净率溢价 30%），并建议投资者增持该股。 一、新封装测试厂建设计划，再度确认 HBM 长期聚焦战略 SK 海力士于 1 月 13 日公布 19 万亿韩元的 PT7 工厂投资计划，计划 2028 年起实现量产，届时龙仁厂前端晶圆产能将逐步爬坡。此举将整合分散在多个工厂的后端封装测试资源，扩大可生产产能（小摩估算：新增超 20 万片后端 TSV 等效产能空间）。 受传统存储价格大幅上涨影响，小摩预计今年 HBM 销售占比将暂时回落至 30%（去年为 38%）；但预计 2027 年起该占比将再度回升至 39%，后续年份将进一步提升。 二、HBM 需求强劲，传统存储上行周期更具韧性 基于 CoWoS 模型上调，小摩将 2026-2027 年 HBM 潜在市场规模（TAM）预期上调 7%-9%，并维持对多年度上行周期的乐观判断。 小摩预计，SK 海力士的价值份额将从高位小幅回落至 50% 以下，竞争对手份额将逐步回归常态。但整体市场份额与技术领先地位仍保持不变，小摩仍认为 SK 海力士将在下一代 HBM4/4E 市场占据主导份额，支撑行业高盈利水平。服务器需求是推动传统 DRAM/NAND 上涨的核心动力，小摩因此将 2026-2027 财年 EPS 预期上调 20%-25%。 三、EBITDA 增长支撑资本开支提升，ADR 上市为下一个关键催化剂 基于 PT7 新投资计划，小摩将 2026-2027 年资本开支预期上调至 36-48 万亿韩元（晶圆厂设备（WFE）开支与此前预测一致，增量主要来自基础设施（INFRA）开支）。 小摩认为，此次资本开支上调对 DRAM 和 NAND 比特产量的影响有限，隐含资本密集度仍为 20%-23%，远低于历史水平（2016-2025 年预期平均为 33%）。资本配置方面，若行业格局出现结构性变化，SK 海力士团队预留了提前推出新股东回报计划的空间。小摩认为，现阶段评估该可能性仍为时过早，并指出 ADR 上市是下一个关键事件催化剂。小摩将密切关注韩国国会《商法》第三次修订的立法进程（法案将于下周起在立法委员会审议）。 四、1 月 29 日财报电话会议需关注要点
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