2025年6月以来，磷化铟衬底出现严重短缺，2英寸产品价格涨至1.2万元/片（涨幅50%），6英寸射频级产品突破1.8万元/片。核心驱动来自下游光模块向1.6T/3.2T迭代，单模块对磷化铟调制器和接收器的需求较800G提升3倍以上。英伟达Quantum-X交换机量产（单台需18个硅光引擎），进一步推高InP衬底用量，1.6T光引擎对InP衬底面积需求较800G模块提升300%。
2. 政策与供应链冲击
中国作为全球70%铟资源主产国，自2025年2月起实施铟出口限制，国际铟价上涨5%至425美元/千克。同时，国内头部企业云南锗业当前产能仅15万片/年（2-4英寸），远低于全球200万片年需求，扩产周期需2-3年。
3. 国际巨头动态
美国Coherent率先建立全球首个6英寸InP晶圆产线，计划2026年前将产能提升至当前5倍；法国II-VI则聚焦高端外延片，在光通信领域占据主导地位。国内厂商如三安光电、源杰科技通过华为海思、英伟达认证，技术突破加速国产替代。
磷化铟（InP）是第二代化合物半导体，具有电子迁移率高（1.2×10⁴ cm²/V·s）、耐辐射、禁带宽度大等优势，广泛应用于：
光通信：1310nm/1550nm波长激光器、探测器（占全球InP器件市场52%）；
激光雷达：1550nm高功率激光器（占28%），适配自动驾驶长距探测需求；
射频器件：5G基站毫米波PA（占15%），电子迁移率性能接近国际龙头Qorvo。
上游：铟资源（中国占70%）、多晶合成（水平布里奇曼法为主）；
中游：衬底（2-6英寸）、外延片（InGaAs/InP异质结）；
下游：光芯片（EML、VCSEL）、器件封装（光模块、激光雷达）。
全球衬底市场高度集中，日本住友电工、美国AXT、法国II-VI占据91%份额，国内云南锗业、有研新材加速替代。
Yole预测，全球InP衬底市场规模将从2022年的30亿美元增至2028年的64亿美元，年复合增长率13.5%，主要由光通信、5G与卫星通信驱动。国内市场预计2025年国产化率突破30%，6英寸衬底进入小批量试产。
1. 技术迭代刚需
硅光技术体系中，外置光源激光器依赖InP材料，英伟达Quantum-X交换机采用CPO技术，单台可替代144个传统光模块，但材料端用量激增。1.6T/3.2T光模块的商业化落地，使InP调制器成为突破带宽瓶颈的唯一产业化方案。
中国将InP纳入《重点新材料目录》，每片外延片补贴终端售价15%，加速国产替代进程。云南锗业、三安光电等企业通过技术突破（如6N级多晶棒国产化），成本较进口低15%-20%，已进入中际旭创、光迅科技等头部供应链。
全球InP衬底产能缺口持续扩大，2025年国内产能仅15万片/年，而全球需求超200万片。铟资源出口限制叠加扩产周期长（2-3年），预计2026年前价格维持高位
作者：投研挖掘机
来源：雪球
