【企业报告】前道设备|拓荆科技(688072)深度研究报告:薄膜沉积“专精者”,芯片“镀膜”国产核心

在芯片制造的微观世界里，除了精密的雕刻（刻蚀），还需要在不同结构上“铺设”各种功能的薄膜材料，如同为高楼大厦铺设导线和绝缘层。承担这一核心任务的设备就是薄膜沉积设备。沈阳拓荆科技股份有限公司，正是国内在这一高端领域打破垄断、实现自主供应的核心企业。

一、整体概况/基本资料

沈阳拓荆科技股份有限公司成立于2010年，总部位于沈阳，是一家专注于高端半导体薄膜沉积设备研发、生产、销售与技术服务的高新技术企业。公司产品主要用于集成电路晶圆制造，以及先进封装、光学器件等领域。拓荆科技是国内唯一一家实现产业化应用的集成电路PECVD（等离子体增强化学气相沉积）和SACVD（次常压化学气相沉积）设备厂商，并在ALD（原子层沉积）设备领域取得重要突破。公司于2022年在上海证券交易所科创板上市。

二、公司团队及管理团队

公司核心管理及技术团队拥有深厚的产业技术背景和国际视野。

三、创始人/技术领军人物介绍

拓荆科技的创立与发展，与一批拥有国际顶尖半导体设备公司工作经验的华人技术专家密不可分，其核心代表是姜谦（公司创始人之一，曾任董事、首席技术官）。

姜谦博士毕业于美国麻省理工学院（MIT）材料科学与工程专业。在创立拓荆科技前，他曾长期任职于全球领先的半导体设备公司美国应用材料（Applied Materials），担任高级技术管理职务，在薄膜沉积领域拥有深厚的技术积淀和全球视野。

以他为代表的创始团队的主要成就在于：1）集结顶尖团队回国创业：将在国际巨头积累的先进技术知识和产业化经验带回中国，瞄准薄膜沉积这一被海外高度垄断的赛道进行攻坚。2）实现PECVD设备国产化“零的突破”：带领团队成功研制出国产首台12英寸PECVD设备，并率先通过客户验证，进入国内主流晶圆厂，打破了该领域长期没有国产设备的局面。3）构建完整产品矩阵：在PECVD站稳脚跟后，又相继攻克了SACVD、ALD等更先进、更精密的薄膜设备技术，使公司成为国内薄膜沉积设备产品线最全的平台之一。

现任董事长，吕光泉先生：

一、教育背景

男，1965年出生。他毕业于美国加州大学圣地亚哥分校，所学专业为相关半导体领域，拥有博士学历。在求学期间，他勤奋刻苦，对半导体技术展现出了浓厚的兴趣和卓越的天赋，为他日后在半导体行业的发展奠定了坚实的基础。

二、职业履历

1994年8月至2014年8月，吕光泉先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国SSTS部。在这些国际知名的科研机构和企业中，他积累了丰富的研发和管理经验，从一名副研究员逐步成长为工程技术副总裁。这段经历不仅让他深入了解了半导体行业的前沿技术和发展趋势，也培养了他的全球视野和跨文化沟通能力。

2014年9月，吕光泉加入拓荆科技股份有限公司，担任技术总监。在他的带领下，拓荆科技的技术研发团队不断取得突破，公司的产品性能和质量得到了显著提升。随后，他又先后担任公司的总经理和董事，全面负责公司的运营和管理工作。在他的领导下，拓荆科技逐渐发展壮大，成为国内半导体设备领域的领军企业之一。2024年1月6日，吕光泉新任非独立董事，现任拓荆科技股份有限公司董事长。

四、主营业务

公司主营业务高度聚焦于半导体薄膜沉积设备：

1. PECVD设备系列：公司的基石和拳头产品，用于沉积二氧化硅、氮化硅等多种介质薄膜，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片制造。

2. ALD设备系列：用于沉积极薄（原子层级别）且高度均匀的介质薄膜或金属薄膜，是先进制程（28nm及以下，尤其是FinFET、GAA结构）不可或缺的关键设备。

3. SACVD设备系列：主要用于沉积高 Gap-fill（深宽比填充）能力的薄膜，在先进逻辑和3D NAND存储芯片制造中作用关键。

4. 配套技术服务：为客户提供设备的安装调试、工艺支持、维护升级等专业服务。

五、核心技术

公司的核心技术围绕不同薄膜沉积工艺的化学反应控制、均匀性控制和量产稳定性：

• 等离子体产生与控制技术：用于PECVD设备，实现稳定、均匀的高密度等离子体，是薄膜质量和沉积速率的关键。

• 原子层逐层精确沉积技术（ALD）：通过交替通入前驱体气体和反应气体，实现单原子层级别的薄膜生长控制，对时序、温度、气流控制要求极高。

• 高深宽比间隙填充技术（HARP）：主要用于SACVD设备，通过特殊的化学反应条件，实现对极高深宽比结构无孔洞的完美填充。

• 大面积均匀加热与温控技术：确保在12英寸晶圆上实现纳米级薄膜的厚度和应力均匀性。

六、产品与服务

七、市场竞争地位/技术优势

拓荆科技是国内薄膜沉积设备领域的绝对领军者，尤其在PECVD和SACVD设备上，是唯一实现大规模量产应用的国产供应商。在ALD这一代表更先进方向的领域，公司也已实现销售突破，是国内技术布局最领先的企业之一。其技术优势源于创始团队深厚的技术基因、持续的高强度研发投入，以及与下游领先晶圆厂的紧密合作开发。

八、商业模式

公司采用 “高研发投入、客户协同、由点到面” 的技术驱动型商业模式。

• 高强度研发建立壁垒：将大部分资源投入前沿技术研发，在薄膜沉积这一细分领域构建深厚的技术护城河。

• 与头部客户协同开发：与国内领先的晶圆制造厂建立联合研发机制，根据其最前沿的工艺需求定制开发设备，实现“研发即订单”。

• 产品线有序拓展：从技术相对成熟的PECVD切入市场并确立优势，再向技术壁垒更高的SACVD、ALD领域拓展，形成完整的产品矩阵。

九、公司生态

拓荆科技的生态位置处于芯片制造供应链的最上游核心环节：

• 上游：与特种气体、射频电源、精密喷淋头、温控系统等关键零部件供应商合作。

• 下游：核心客户覆盖中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储等国内所有主流集成电路制造企业。

• 横向合作：与国内其他工艺设备厂商（如刻蚀、清洗）共同服务下游产线；参与国家重大科技专项，与科研院所合作进行基础研究。

• 资本纽带：获得国家集成电路产业投资基金（大基金）的投资，具备产业战略资源。

十、发展历程

十一、行业发展

发展趋势与前景：

1. 先进制程与3D结构驱动薄膜需求激增：随着芯片进入纳米级，FinFET、GAA晶体管和3D NAND堆叠结构使得薄膜沉积的步骤数量和价值量大幅提升，成为前道设备中增长最快的环节之一。

2. 国产化替代进入核心工艺深水区：薄膜沉积设备是晶圆厂投资中的重要组成部分，国产设备已从“可用”迈向“好用、大量用”的阶段，替代空间巨大且迫切。

3. ALD技术成为先进制程刚需：在7nm及以下逻辑制程和超高深宽比的存储结构中，ALD因其无与伦比的均匀性和台阶覆盖能力，成为不可替代的技术，市场前景广阔。

4. 新兴器件带来新需求：第三代半导体（SiC、GaN）、Micro-LED等新型器件的制造，也需要特定的薄膜沉积技术，开辟了新的赛道。

挑战：

1. 与国际巨头的全面竞争：在ALD等最先进设备和全球市场份额上，与应用材料、泛林等巨头的差距依然显著，面临技术和市场的双重挤压。

2. 技术迭代快速，研发风险高：半导体技术路线演进迅速，需要精准预判并投入巨资进行下一代技术研发，存在掉队风险。

3. 客户验证与供应链安全：设备获得量产订单需经历漫长验证；关键核心零部件（如高级射频发生器、MFC）的供应链自主可控仍需加强。

十二、企业类型归纳

十三、景气度周期分析

拓荆科技的景气度与半导体资本开支周期高度同步，但其在薄膜沉积环节的独特价值和国产化的关键地位使其周期波动中蕴含更强的成长确定性：

• 半导体设备投资周期：随全球及中国晶圆厂建设节奏波动。当前处于国产产能扩张和全球AI驱动投资的上行周期。

• 薄膜沉积设备占比提升周期：这是一个结构性利好。随着芯片结构3D化，薄膜沉积步骤数占总工艺步骤的比例已超过25%，其资本开支增速长期高于设备整体增速。

• 国产设备渗透率提升周期：在国产替代战略下，公司作为国内龙头，在新增产能中获取的份额将持续、快速提升，这一逻辑超越了单纯的行业周期。

• 公司产品线拓展周期：从成熟的PECVD到快速增长的ALD，公司产品线正处于“成熟产品放量+新产品导入”的叠加景气阶段。

• 综合判断：公司同时受益于行业增长、环节价值提升和份额提升三重动力。尽管行业总投资可能存在波动，但公司在国内薄膜沉积设备领域的龙头地位和持续的技术进阶，使其景气度呈现出 “高成长性部分对冲周期性” 的特征。当前正处于 “国产替代加速+技术升级”的双重景气窗口。

一张表看懂半导体上市企业：拓荆科技（688072）

知识科普：薄膜沉积——芯片大厦的“建材”与“装修”术

如果把芯片上的晶体管比作一座座微缩摩天大楼，那么薄膜沉积就是为这些大楼铺设导线（导体）、绝缘层（介质）和功能涂层的关键工序。它决定了芯片的性能、功耗和可靠性。

主要技术路线与应用：

1. PECVD（等离子体增强化学气相沉积）：最主流的技术。通过等离子体激活反应气体，使其在较低温度下发生化学反应，在晶圆表面生成固态薄膜。就像用“等离子体喷枪”快速喷涂绝缘漆或保护层。主要用于沉积二氧化硅、氮化硅等介质薄膜，应用极其广泛。

2. ALD（原子层沉积）：最精密的技术。通过将不同的前驱体气体交替、循环地通入反应腔，每次只发生一层原子（或分子）的化学反应，从而实现薄膜的逐层生长。如同用最精密的“分子刷子”，一次只刷一层原子，做到绝对均匀和完美覆盖。用于沉积高介电常数栅极材料、扩散阻挡层等，是先进制程的必备技术。

3. SACVD（次常压化学气相沉积）：一种特殊的CVD技术，在接近常压的条件下进行，反应气体扩散性更好。擅长“填充”深而窄的沟槽和孔洞，且不留空隙。在3D NAND闪存堆叠结构中，用于填充层间绝缘膜，至关重要。

为何技术壁垒极高？薄膜沉积不仅要求将材料“盖”上去，更要求：纳米级甚至原子级的厚度控制、整个12英寸晶圆上完美的厚度均匀性、优异的薄膜电学与机械性能、对极高深宽比（比如60:1）结构的无孔洞填充能力。任何一个指标不达标，都会导致整批芯片失效。拓荆科技等公司的突破，意味着中国在芯片制造的“材料工程”核心领域，拥有了自主可控的关键能力。

参考资料：

1. 沈阳拓荆科技股份有限公司年度报告（2022-2023年）

2. 拓荆科技招股说明书

3. 拓荆科技（SYTC）官方网站、产品与技术介绍

4. 东方财富网拓荆科技（688072）公司资料、高管介绍页面

5. 上海证券交易所科创板公告及互动易平台信息

6. 行业研究报告：SEMI全球半导体设备市场报告；各券商关于半导体设备及薄膜沉积（PECVD/ALD）细分市场的深度研究报告。

7. 关于薄膜沉积技术（PECVD, ALD）原理及应用的公开技术文献。

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