2026年电子行业深度研究报告:AI驱动下的国产替代与技术革新机遇

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2026年电子行业深度研究报告：AI驱动下的国产替代与技术革新机遇

一、行业核心概述

2026年电子行业将进入“AI全链路赋能+国产产业链共振”的关键发展期，行业评级维持“增持”。核心主线围绕算力升级（云端+端侧）、存储革新（3D DRAM）、终端创新（AI眼镜/机器人等）、供应链自主化（长鑫/中芯国际扩产） 四大方向展开。行业整体呈现“技术迭代加速、国产替代深化、需求多点爆发”的特征，其中AI产业链（算力、存储、互联、电源）成为最大增长引擎，PCB、光铜互联、HVDC供电等细分赛道受益于技术升级实现量价齐升，国产厂商在核心环节逐步突破海外垄断，进入业绩兑现期。

二、产业演进脉络

1算力架构：从“云端单极”到“端云混合”

12023-2025年：云端算力主导，海外GPU垄断市场，国产厂商技术研发与产能建设阶段；

12026年：端云混合架构成为主流，“云端训、端侧用、边侧补”协同模式落地，端侧NPU独立架构崛起，超节点技术普及；

1核心驱动：纯云端架构的带宽成本、时延瓶颈、隐私安全问题凸显，端侧AI轻量化技术成熟，政策推动国产算力自主可控。

1存储技术：从“2D DRAM”到“3D DRAM”

12025年：3D DRAM研发突破，瑞芯微发布首款搭载3D DRAM的NPU产品；

12026年：3D DRAM进入放量元年，从端侧AIoT向手机、云端推理延伸，成为终端“从能用 to 好用”的关键硬件；

1产业逻辑：AI硬件落地带动存力需求激增，3D DRAM高带宽（1TB+）、低成本、可拓展特性适配多场景需求。

1供应链格局：从“国际依赖”到“国产共振”

1上游材料/设备：国产替代率快速提升，M9级PCB材料、HVLP4铜箔、光刻设备等打破海外垄断；

1中游制造：长鑫存储CBA架构3D DRAM扩产，中芯国际7nm级工艺放量，形成“设计-制造-封测”协同；

1下游应用：国产终端厂商与芯片厂商绑定加深，端侧AI场景落地加速。

三、核心技术趋势（附参数与案例）

（一）算力技术

（二）存储技术

13D DRAM：架构革新实现高带宽低成本，瑞芯微RK1820内置2.5GB DDR（支持3B模型），RK1828内置5GB DDR（支持7B模型），适用于安防、车载等多场景；

1CBA架构：长鑫存储核心技术，缩小与三星/海力士代际差，单位晶圆存储密度提升30%+，功耗降低20%。

（三）其他关键技术

1PCB材料：M9级CCL成为AI服务器刚需，介电常数≤2.5，介电损耗≤0.001（15GHz频段），支撑224Gbps传输；

1HVDC供电：800V高压直流架构，AI机柜功率密度从10-20kW跃升至100kW+，未来指向300-600kW；

1光铜互联：1.6T光模块规模化落地，光模块与GPU配比达1:12（英伟达Rubin NVL144），谷歌TPU V7用80根铜缆实现柜内互联。

四、市场分析（规模、需求与驱动）

（一）核心市场规模

1PCB市场：2026年有望达600亿元，AI服务器带动M9级材料需求激增；

1端侧AI芯片：NPU落地元年，2026年市场规模预计增长80%+，智能汽车、机器人为核心需求场景；

13D DRAM：2026年多场景放量，手机/云端推理等场景后续接力，2027年市场规模有望突破百亿元；

1光模块：1.6T产品缺口凸显，2026年出货量预计增长120%，与GPU配比持续提升。

（二）核心驱动因素

1需求端：AI大模型训练/推理（云端算力）、端侧AIoT落地（眼镜/汽车/机器人）、数据中心功率密度提升（HVDC）；

1供给端：国产先进制程扩产（中芯国际7nm、长鑫3D DRAM）、技术突破（NPU、M9材料）；

1政策端：国产自主可控战略、美日技术限制倒逼替代。

五、产业链全景分析（上游-中游-下游）

上游：材料与设备

1半导体材料：石英布（菲利华）、HVLP4铜箔（铜冠铜箔、德福科技）、碳氢树脂（国产替代率低）；

1半导体设备：光刻设备（中科飞测）、刻蚀设备、量测设备（精智达）；

1核心特征：技术壁垒高，供需紧平衡，国产替代率快速提升。

中游：核心器件与制造

下游：应用场景

1云端场景：数据中心、超节点（华为/中科曙光）；

1端侧场景：AI眼镜（Meta/苹果/谷歌2026年新品）、智能汽车（自动驾驶）、机器人（端侧快速响应）、智能家居（谷歌生态）；

1存储场景：手机、云端推理、安防、教育设备。

六、竞争格局（国际vs国内）

国际竞争格局

1龙头企业：英伟达（GPU/PCB架构）、三星/海力士（DRAM）、台积电（先进代工）；

1优势：技术成熟、产能领先，主导高端市场（如M9材料初期供应）。

国内竞争格局

1国产替代加速：长鑫存储（CBA架构3D DRAM）对标三星/海力士，中芯国际（7nm级）对标台积电；

1细分龙头崛起：寒武纪（云端GPU）、瑞芯微（端侧NPU）、胜宏科技（AI PCB）、长光华芯（光芯片）；

1竞争焦点：产能争夺（国产算力芯片抢产能）、技术路径差异化（长鑫CBA vs 三星3D DRAM）、生态绑定（晶晨股份绑定谷歌）。

七、投资机会梳理（赛道-逻辑-标的）

（一）云端算力：业绩兑现期

1投资逻辑：国产算力芯片进入业绩兑现期，超节点带动Switch芯片需求；

1标的：寒武纪（云端GPU）、盛科通信（Switch芯片）、海光信息、中兴通讯。

（二）端侧算力：AIoT驱动

1投资逻辑：端云混合架构落地，NPU独立架构成为趋势；

1标的：瑞芯微（NPU协处理器）、晶晨股份（谷歌生态SoC）、恒玄科技、乐鑫科技。

（三）存储：3D DRAM放量

1投资逻辑：2026年放量元年，多场景需求驱动；

1标的：兆易创新（对接SoC厂商）、北京君正、澜起科技、江波龙。

（四）PCB：材料升级

1投资逻辑：M9材料成为刚需，量价齐升；

1标的：胜宏科技（AI PCB）、菲利华（石英布）、沪电股份、深南电路。

（五）光铜互联：量价齐升

1投资逻辑：1.6T光模块缺口+高速铜缆需求；

1标的：长光华芯（光芯片）、华丰科技（铜缆）、源杰科技、兆龙互连。

（六）HVDC电源：架构革新

1投资逻辑：数据中心功率密度飙升，800V架构落地；

1标的：欧陆通、威尔高、麦格米特、中富电路。

（七）国产制造与设备

1投资逻辑：先进制程扩产+设备渗透率提升；

1标的：中芯国际、华虹半导体、晶合集成（代工）；精智达、中科飞测、芯源微（设备）。

八、相关公司业务拆解（核心标的）

1. 瑞芯微

1核心业务：端侧AI协处理器，RK182X系列（RK1820支持3B模型，RK1860支持13B模型）；

1技术优势：独立NPU架构，内置高带宽嵌入式DRAM，适配算力/存力/运力平衡；

1应用场景：车载座舱、智能家居、机器人、边缘网关；

1增长逻辑：NPU落地元年，海外生态绑定+多场景放量。

2. 长鑫存储（产业链）

1核心技术：CBA架构3D DRAM，缩小与三星/海力士代际差；

1扩产计划：IPO募资后持续扩产，带动设备、材料、代工需求；

1受益标的：精智达（量测设备）、晶合集成（代工）、兆易创新（存储配套）。

3. 胜宏科技

1核心业务：AI服务器PCB，适配英伟达Rubin架构；

1技术优势：M9级材料应用，层数提升至40层+，厚铜技术；

1增长逻辑：PCB市场规模达600亿元，AI服务器带动量价齐升。

4. 寒武纪

1核心业务：云端GPU，适配国产超节点；

1竞争优势：国产算力龙头，受益于先进制程扩产与AI推理需求；

1增长逻辑：2026年业绩兑现期，国产替代+产能释放。

九、政策影响与风险提示

（一）政策影响

1支持性政策：国产自主可控战略，推动先进制程扩产、材料设备替代；

1限制性政策：美日对先进制造设备/技术出口限制，国内外对Switch芯片管控；

1影响：加速国产替代节奏，但短期可能制约部分技术迭代速度。

（二）风险提示

1政策风险：国际贸易形势变化、监管要求调整；

1竞争风险：行业参与主体增多，价格压力与业绩分化；

1技术风险：NPU、3D DRAM、M9材料等技术迭代不及预期。

十、趋势展望

12026年关键节点：NPU落地元年、3D DRAM放量元年、AI终端创新元年；

1中期（2027-2028）：端侧AI场景全面普及（汽车/机器人/可穿戴），国产3D DRAM比肩国际水平，M9材料国产替代率超50%；

1长期：国产电子产业链从“替代”走向“引领”，AI驱动下的算力、存储、终端形成协同创新生态。

脑图（核心逻辑框架）