前言

在全球功率半导体行业，技术创新与市场需求正以前所未有的速度发展。功率器件制造商正在加速产能扩张，持续突破关键工艺，新产品层出不穷，推动行业的全面升级和创新。随着新能源汽车、人工智能、工业自动化等领域对功率半导体的需求日益增长，整个产业迎来了蓬勃发展的新机遇。为了帮助读者快速了解行业动向，我们整理了近期发布的13款具有代表性的新品，从硅MOSFET到功率模块，力求让大家在一篇文章中全面了解功率半导体的最新技术进展和市场趋势。

AOS万国

万国推出面向AI服务器48V热插拔应用的100V MOSFET

万国最近推出了新款AOLV66935 MOSFET，专为48V热插拔应用中的AI服务器设计。该器件具有宽范围的100V安全工作区（SOA）和极低的导通电阻，能够应对AI系统中GPU/TPU性能提升带来的挑战，满足高效能和高可靠性要求。AOLV66935采用了AOS自主研发的AlphaSGT MOSFET技术，确保在25°C至125°C的工作环境下，仍能提供低导通损耗和高可靠性，其SOA测试通过严格验证。

该MOSFET采用LFPAK 8x8海鸥翼封装，相比传统TO-263（D2PAK）封装，减少了60%的占位面积。结合先进的铜夹片封装技术，可支持更高的脉冲电流能力，并优化热散性能。AOLV66935的导通电阻在Vgs=10V时仅为1.86毫欧，显著降低了功耗和发热，适合高性能AI服务器对功率器件在效率与可靠性方面的双重需求。此外，该产品符合IATF 16949认证，封装设计也支持自动光学检测（AOI）。

GaNext镓未来

镓未来推出9mΩ车规级氮化镓

镓未来近期推出的 G2E65R009 系列 650V 9mΩ 车规级氮化镓场效应晶体管（GaN FET），以全球最小的 9mΩ 导通电阻成为行业新标杆，广泛应用于新能源汽车及其他高效能电源系统。这款符合汽车 AEC-Q101 标准的氮化镓器件，具有极低的导通电阻和超高的效率，能显著减少开关损耗和导通损耗，提升约 3%~5% 的续航里程，同时具备高达20kW的功率输出能力，适用于更多大功率场景。

G2E65R009 系列产品的优势在于其革命性的低导通电阻和与传统硅基器件的兼容性，支持无缝替换现有电路，减少开发周期。这使得其成为新能源汽车、工业电机、储能系统等多个领域的技术突破点。镓未来通过专注 GaN 半导体创新，推动行业性能提升和可靠性提升，已与多家车企和核心供应商展开合作，助力行业产品性能优化及技术升级。

Infineon英飞凌

英飞凌推出搭载2.2KV整流器的EconoPIM 3模块

英飞凌FP75R17N3E4_B20是一款采用TRENCHSTOP IGBT4技术、发射极控制4代（EC4）二极管并集成NTC的EconoPIM™ 3 IGBT模块，适用于690V驱动系统。该模块内置2.2kV整流器和制动斩波器，有效降低了系统成本。整流器的阻断电压提升至2.2kV，使其具备更强的电网扰动应对能力，适应高功率密度应用，且能满足能效标准要求。通过采用铜基板提升热扩散性能，并且焊接式接触工艺提升了整体可靠性。具有低饱和压降、低开关损耗以及2.5 kV交流耐压能力，确保高可靠性与高功率密度。

该模块主要应用于工业电机驱动与控制以及商用暖通空调（HVAC）系统。其低损耗和优化的电磁干扰(EMI)特性使其在能效与电磁兼容性之间取得平衡，进一步降低了系统的整体成本，并且符合RoHS标准，具有增强的可靠性。

英飞凌面相高压牵引系统推出3.3kV SiC XHP2模块

英飞凌推出了3.3kV CoolSiC MOSFET XHP2模块，通过创新的“.XT互连技术”，在高压牵引系统中提供了更高的性能和可靠性。与传统硅基IGBT模块相比，CoolSiC™ MOSFET XHP2模块具备更高的电流密度、低损耗、高频开关能力和卓越的可靠性，适用于更为苛刻的高压应用。

XHP2模块的核心优势体现在其高电流密度和低导通损耗，导通电阻低至1.9mΩ，支持高达4kHz的开关频率，能有效减少变压器和电机的损耗，提升系统效率。同时，.XT互连技术通过采用铜键合线、铝氮陶瓷基板和银烧结技术，大幅提升了模块的可靠性和散热能力。该模块的浪涌电流耐受能力可达到10000A，短路耐受能力为2500A，并且在高温高电流下仍能保持稳定运行。与传统SiC模块相比，XHP2模块在功率循环寿命方面有显著提升，能够在严苛的环境下长时间稳定工作，成为高压应用中的新标杆。

总之，英飞凌3.3kV CoolSiC™ XHP2模块通过.XT技术实现了在高电流、高频率和高可靠性等方面的突破，为轨道交通、风电变流器及工业驱动等高压应用提供了高效、可靠的解决方案。

英飞凌推出采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

英飞凌新推出的EasyPACK™ 2C系列模块采用第二代CoolSiC™ MOSFET技术，集成NTC温度传感器和大电流PressFIT引脚，预涂2.0代导热界面材料，适用于1200V、8mΩ三电平模块、8mΩ四单元模块和13mΩ四单元模块。其产品型号包括F4-13MXTR12C1M2_H11、F3L8MXTR12C2M2_H11等。

该系列采用创新的封装技术和.XT扩散焊技术，提供高可靠性和更长使用寿命，具备更高效率、耐高温能力和更宽的栅源电压窗口，适用于DC-DC变换器和电动汽车充电设施。模块在功率循环能力、系统集成和高功率密度方面具有显著竞争优势。

英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET G2 1400V

英飞凌第二代1400V CoolSiC MOSFET G2 采用TO-247PLUS-4回流焊封装，适用于电动汽车充电、储能系统和工业变频器等高功率输出应用。其封装支持回流焊工艺，耐高温且能承受三次焊接循环，显著提升热管理、功率密度和系统可靠性。该器件具有极低的开关损耗、耐高温、抗寄生导通能力强等特点，适合高峰值电流、过载及瞬态过载条件下的应用。

该产品广泛应用于商用、工程和农用车辆、电动汽车充电设施、储能系统、UPS、不间断电源、逆变器和变频驱动器等领域，提升系统功率密度和效率，简化系统设计，并提供高可靠性和耐用性。

Navitas纳微

纳微推出3300V/2300V超高压SiC全系产品组合

纳微近日发布了全新的3300V与2300V超高压（UHV）GeneSiC碳化硅功率半导体产品，基于其自主研发的沟槽辅助平面栅技术与先进封装，旨在提升AI数据中心、电网、能源基础设施及工业电气化系统的效率与寿命。这些新型SiC MOSFET采用第四代GeneSiC™平台，优化了电压特性、耐压能力及长期可靠性，并提供多种封装形式，如SiCPAK™ G+功率模块和分立器件，以满足不同应用需求。SiCPAK™ G+模块通过环氧树脂灌封技术、氮化铝基板与大电流压接引脚，显著提升了功率循环寿命与热冲击可靠性。

为了确保系统长期可靠性，纳微还推出了行业首创的AEC-Plus*可靠性验证基准，远超AEC-Q101与JEDEC标准，包括扩展的动态与静态测试、温度循环和功率循环测试。新产品同时提供KGD（裸片）服务，采用严格的生产筛选流程，以确保高品质与可靠性。

ROHM罗姆

罗姆推出适用AI服务器领域的小尺寸MOSFET

罗姆推出的RS7P200BM是一款采用小型DFN5060-8S封装的功率MOSFET，相比于DFN8080-8S封装的RY7P250BM，该新产品实现了更高密度的安装。它在VDS=48V的工作条件下，脉冲宽度为10ms时支持7.5A，1ms时支持25A，具有较宽的SOA范围。此外，其低导通电阻（RDS(on)）为4.0mΩ，有助于抑制通电时的发热，提高服务器电源的效率，减轻冷却负荷，降低电力成本。

该产品自2025年9月起开始量产，样品价格为800日元（不含税），并通过电商平台销售。ROHM计划继续扩展其48V电源产品阵容，为AI服务器等应用提供高效且可靠的解决方案，助力节能和可持续ICT基础设施建设。

应用场景包括48V系统AI服务器和数据中心电源、工业设备电源（如叉车、电动工具、机器人等）、AGV等电池驱动设备及UPS应急电源系统等。

SILICON MAGIC芯迈

芯脉面向AI服务器领域推出100V宽SOA MOSFET

芯迈半导体今日发布的100V N沟道功率MOSFET SDH10N1P8TA-AA，凭借其1.3mΩ超低导通电阻（RDS(on)）和60V/10ms工况下的8A安全工作区（SOA），为高效率电源设计提供了卓越性能，尤其适用于AI服务器热插拔电路，确保系统在极端条件下的可靠性。

该产品在能效上取得突破，RDS(on)仅为1.3mΩ，相较行业平均水平降低了13%，有效降低稳态导通损耗，提高电源转换效率，助力数据中心优化电源使用效率（PUE）并减轻散热负担。其宽SOA设计进一步提升了在热插拔场景下的安全性，能够承受8A电流，避免热击穿风险。采用通用TOLL封装，具备良好的兼容性，客户无需修改PCB即可直接替换，加快产品落地速度。同时，产品已进入试样阶段，具有大规模供货能力，满足云服务商对供应链高韧性的需求。

SK时科

时科推出SOD-323G肖特基二极管

时科推出的 B5819WS 肖特基二极管，采用 SOD-323G 超小封装设计，专为小型高效电路打造。其低正向压降（VF）、低功耗、高频特性和优异的可靠性使其成为便携式电子设备、电源模块、以及高速切换电路的理想选择。B5819WS 的超低 VF、快速恢复特性和高稳定性，特别适合在消费类电子和工业控制设备中的高频开关电源应用。

B5819WS 在低电压和高频工作下，提供极低的能量损耗，并有效提高电池续航与系统效率。它的最大反向电压为40V，最大正向电流为1A，且具有20A峰值浪涌电流能力。其低反向漏电流（≤5μA）和小尺寸（2.6 × 1.6mm）使其能够在高密度PCB布局中广泛应用。高温反偏、温度循环等可靠性测试验证了其在严苛环境中的稳定性。

B5819WS 可广泛应用于 DC-DC 转换器、USB电源管理、电池保护系统、LED驱动电路、家电与工业控制等多个领域。

Toshiba东芝

东芝推出高速体二极管技术加持的新型功率MOSFET

东芝推出的新一代DTMOSVI（HSD）系列650V功率MOSFET通过高速二极管与先进超结结构的结合，优化了反向恢复特性，显著降低了开关损耗。这一创新技术使得MOSFET具备低损耗、高稳定性和快速开关三大核心优势，突破了传统功率MOSFET的性能极限。在与现有标准器件对比时，特别在反向恢复特性、静态功耗和综合表现上，DTMOSVI系列展现了更优的效率和功率密度。

该系列包括TK042N65Z5和TK095N65Z5两款产品，前者在低导通电阻上表现出色，后者则以更快的反向恢复时间和更低的栅极-漏极电荷，在高频开关应用中表现卓越。两款产品均采用TO-247封装，适用于高频应用，广泛应用于工业电源、开关电源、电动汽车充电站、光伏发电系统等领域。东芝未来将进一步扩展产品线，提供更多封装选项，推动高效电力电子设备的发展。

东芝的新型MOSFET产品凭借其高速体二极管技术和优化设计，解决了传统功率MOSFET在电源系统中的效率瓶颈，成为高效率、可靠性和功率密度要求高的电力电子设计的理想选择。

Vishay威世

威世推出两款MAACPAK PressFit封装1200V SiC MOSFET功率模块

Vishay推出了两款新型1200V SiC MOSFET功率模块，分别为VS-MPY038P120和VS-MPX075P120，适用于汽车、能源、工业和通信系统中的高频应用。VS-MPY038P120采用全桥逆变器拓扑，导通电阻为38mΩ，连续漏极电流为35A；VS-MPX075P120采用三相逆变器拓扑，导通电阻为75mΩ，连续漏极电流为18A。

上述模块集成了新一代SiC MOSFET、NTC热敏电阻和SiC二极管，能有效降低开关损耗、提高效率，适合光伏逆变器、电动汽车充电器等应用。两款模块采用薄型MAACPAK PressFit封装，具备低寄生电感和EMI，增强可靠性，符合RoHS标准，适应高温环境，工作结温可达+175°C。

充电头网总结

功率半导体行业正不断迈向新的高度，各大厂商通过技术创新和工艺突破，推动着产品的高效能与高可靠性。这些新品在各自应用领域的表现也为行业的未来发展提供了新的方向，无论是在AI服务器、电动汽车、还是工业电力系统中，它们都发挥着关键作用。随着更多先进技术的投入使用，未来的功率半导体将在节能、效能、寿命等方面实现更大的突破，为全球能源管理和智能化发展提供更强的支持。

本文内容基于各品牌公开新品信息进行整理，如有疏漏，敬请谅解。

大会预告

世界氮化镓大会由GaNFET.com网站举办，将于7月31日（周五）在深圳市南山区科苑路15号科兴科学园B栋4单元会议中心举办。氮化镓技术的未来图谱正在此绘就。这里，全球产业的决策者与创新者同频共振，以前沿洞察驱动技术跃迁，共同校准下一代增长的频率。