1、价格分化与博弈：存储芯片制造商在2025年四季度强势推动DRAM合约价双位数涨幅，但一线OEM厂商普遍抵制30%以上的提价，仅接受10-20%涨幅；NAND涨幅相对温和（10-15%）。
2、HBM需求结构性增长：AI驱动HBM3e/HBM4需求强劲（如Google TPU v7的HBM容量同比激增3倍），且2026年合约价预计保持高位（HBM4溢价超20%）。
3、现货价格异常飙升：DRAM现货价（如16Gb DDR4达42美元）因投机性交易和供应收缩创历史新高，预计涨势延续至12月，但长期可持续性存疑。
4、供应策略调整：芯片商减产常规DRAM/NAND，聚焦高利润HBM产能，导致位元增长低迷（常规DRAM低于10%），加剧供需紧张。
5、行业风险：AI泡沫担忧及中国内存产能扩张（占全球10%但实际产出低）可能成为潜在波动因素。
整体来看，内存市场短期受供给紧缩和AI需求支撑，但价格高位与OEM抵抗的矛盾凸显长期压力。
个人学习记录，不做任何建议。
2、HBM需求结构性增长：AI驱动HBM3e/HBM4需求强劲（如Google TPU v7的HBM容量同比激增3倍），且2026年合约价预计保持高位（HBM4溢价超20%）。
3、现货价格异常飙升：DRAM现货价（如16Gb DDR4达42美元）因投机性交易和供应收缩创历史新高，预计涨势延续至12月，但长期可持续性存疑。
4、供应策略调整：芯片商减产常规DRAM/NAND，聚焦高利润HBM产能，导致位元增长低迷（常规DRAM低于10%），加剧供需紧张。
5、行业风险：AI泡沫担忧及中国内存产能扩张（占全球10%但实际产出低）可能成为潜在波动因素。
整体来看，内存市场短期受供给紧缩和AI需求支撑，但价格高位与OEM抵抗的矛盾凸显长期压力。
个人学习记录，不做任何建议。
