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厦门中芯晶研半导体有限公司是一家集半导体晶体生长、工艺开发和外延为一体的高新技术企业，专门研究和生产化合物半导体晶片；包括磷化铟(InP)晶片、锑化镓(GaSb)晶片、砷化镓(GaAs)晶片、砷化铟(InAs)晶片、锑化铟(InSb)晶片、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体材料的生长和外延，产品广泛应用于LED半导体照明和半导体功率器件包括功率器件,高温器件和光电器件。主营业务/产品：碳化硅晶片，氮化镓晶片，磷化铟晶片，砷化镓晶片，砷化铟晶片，锗片……锑化铟是由元素铟和锑组成的结晶化合物，属于窄带隙半导体，具有稳定的物理化学性能和优良的工艺相容性。其能隙在300K时为0.17eV，在80K时为0.23eV。未掺杂的锑化铟拥有高于已知半导体材料的室温电子迁移率（78000cm2/Vs）。因此，碳化硅晶片可以承受比硅大8倍的电压梯度而不会发生雪崩击穿。禁带越宽，在高温下的漏电流就越小，效率也越高。而导热系数越大，电流密度就越高。SiC衬底具有更高的电场强度，因而可以使用更薄的基础结构，其厚度可能仅为硅外延层的十分之一。此外，SiC的掺杂浓度比硅高2倍，因此器件的表面电阻降低了，传导损耗也显著减少。扫码了解更多中芯晶研产品信息
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