产业深度:2024-2030年高带宽内存(HBM)产业供需前景及投资机遇评估报告

由于HBM售价高且获利高，各大原厂纷纷加大HBM产能扩建，预计到2024年底全球HBM TSV的产能占总DRAM产能达14%，供给位元量有望同比增加260%。另外，2023年HBM产值占DRAM整体产业约8.4%，到2024年底有望扩大至20.1%。从原厂产能情况来看，三星、SK海力士扩建最为积极，截至2024年底，三星HBM总产能将增至130K/m，SK海力士产能则将增长至120K/m，美光由于HBM供应进展相对落后，将直接跨过前几代HBM产品，直接从HBM3e切入市场，预计到2024年底HBM产能将达20K/m。

国产DRAM 厂商有望突破 HBM。目前一线厂商DRAM制程在1alpha、1beta水平，国产DRAM制程在25~17nm水平，中国台湾DRAM制程在25~19nm水平，国内DRAM制程接近海外。且国内拥有先进封装技术资源和GPU客户资源，有强烈的国产化诉求，未来国产DRAM厂商有望突破HBM。

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服务流程

1.确定意向

2.签订合同

3.支付款项

4.提交报告

5.快递发票

报告目录

1、高带宽内存（HBM）行业概述

1.1、高带宽内存（HBM）行业定义

1.2、高带宽内存（HBM）行业原理

1.3、高带宽内存（HBM）行业构成

1.4、高带宽内存（HBM）行业特征

1.4.1、大幅增加计算核心可用的带宽

1.4.2、功耗、集成度更具优势

1.5、高带宽内存（HBM）行业应用

1.6、高带宽内存（HBM）行业背景

2、中国高带宽内存（HBM）行业环境分析

2.1、政策环境

2.2、需求环境

2.3、社会环境

2.4、技术环境

3、全球高带宽内存（HBM）行业状况

3.1、高带宽内存（HBM）行业发展分析

3.2、高带宽内存（HBM）行业供需分析

3.2.1、高带宽内存（HBM）行业供给

3.2.2、高带宽内存（HBM）行业销量

3.3、高带宽内存（HBM）行业市场规模

3.4、高带宽内存（HBM）行业市场结构

3.5、高带宽内存（HBM）行业市场特征

3.5.1、市场产品特征

3.5.2、市场需求特征

4、中国高带宽内存（HBM）行业状况

4.1、高带宽内存（HBM）行业市场规模

4.2、高带宽内存（HBM）行业市场进展

4.2、高带宽内存（HBM）行业市场问题

5、高带宽内存（HBM）行业竞争分析

5.1、行业竞争状况

5.1.1、行业竞争壁垒

5.1.2、行业竞争格局

5.1.3、行业竞争梯队

5.2、行业市场份额

5.3、行业竞争力评估

5.4、行业竞争趋势

6、高带宽内存（HBM）行业技术分析

6.1、技术性能

6.1.1、容量（GB）

6.1.2、总带宽 （GB/s）

6.2、技术发展

6.3、技术工艺

6.4、技术趋势

6.4.1、堆叠层数

6.4.2、逻辑 die

6.4.3、客制化

7、高带宽内存（HBM）产业链

7.1、产业链状况

7.2、产业链上游

7.3、产业链下游

8、高带宽内存（HBM）行业主要厂商竞争力

8.1、SK 海力士

8.1.1、公司概述

8.1.2、公司业务

8.1.3、公司经营

8.1.4、HBM产品

8.1.5、公司战略

8.2、三星电子

8.2.1、公司概述

8.2.2、公司业务

8.2.3、公司经营

8.2.4、HBM产品

8.2.5、公司战略

8.3、美光科技

8.3.1、公司概述

8.3.2、公司业务

8.3.3、公司经营

8.3.4、HBM产品

8.3.5、公司战略

9、2024-2030年高带宽内存（HBM）行业投资前景评估

9.1、行业投资前景

9.2、行业投资机遇

9.3、行业投资风险

9.4、行业投资方式

9.5、行业投资策略