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IGBT芯片：厂商相继发布涨价函，底部积极信号已现
事件驱动1：继晶新微、蓝影电子、高格芯微、三联盛、深微半导体等中小公司发布涨价函后，功率IDM捷捷微电发布涨价函，拟自2024年1月15日起对 Trench MoS产品线单价上调5%~10%。
事件点评：上述公司涨价原因皆为上游原材料和人工成本上涨，在经历近两年降价与库存消化，行业库存逐渐趋于良性后，涨价诉求彰显底部积极信号。此外跟踪下游景气状况，消费、工业市场已逐步好转，光伏储能客户库存正逐渐出清，拐点渐行渐近。
机构观点：IGBT是功率器件中的复合型器件，被称为电子电力行业的“CPU”和新能源“芯片”。IGBT是双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）结合组成的，综合BJT高电流密度和MOS高输入阻抗的特点，具有驱动功率小而饱和压降低的显著性能优势，在电子元器件中发挥电源开关和电能转换两大功能，广泛应用于新能源汽车、工业控制、白色家电、新能源发电、轨道交通等领域，其中车规级IGBT的安全稳定性要求高于消费级和工业级IGBT。
自问世以来，IGBT不断在技术迭代，主要向着降低开关损耗和创建更薄的结构方向改善和发展，其纵向结构、栅极结构以及硅片加工工艺方面不断升级改进，共经历了七次大型技术演变，各项指标在演变中不断优化。目前，IGBT芯片已经迭代至第七代精细沟槽棚场截止型IGBT，但考虑成本后，应用最广泛的仍是IGBT第四代产品。
风险提示：文章提及的板块和个股，仅供参考，不构成实际投资建议，请理性看待，投资有风险，入市须谨慎!
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