日本OKI公司和信越化学工业5日发表了一项新技术，该技术将有助于推动纵向GaN(氮化镓)功率器件的开发。该技术使用OKI的CFB技术（从基板剥离技术），仅剥离GaN功能层，并将其与信越化学最初改进的QST基板（专用于GaN生长的复合基板）的异种材料基板粘合。使得纵向导电成为可能，这关系到控制大电流的纵向功率器件的实现和普及。
GaN功率器件一直以横向器件为主流，横向器件的需求预计会增长。在该技术中，信越化学提供了QST基板或外延基板。OKI计划以合作伙伴关系和授权的方式提供CFB技术。
作为兼顾高设备特性和低耗电量的新一代设备，GaN器件在包括要求电压1800v以上的高耐压的功率器件、面向5G通信之后的高频设备、高亮度的micro LED显示屏等应用方面备受关注。
特别是纵向器件，作为延长EV行驶距离、缩短供电时间等提高基本性能的设备，期待今后需求大幅扩大。
有关开发计划将于9月6-8日在台湾举行的semicon发表。
来源：OKI官网
