光刻机：光刻是晶圆制造的核心工序，在整个硅片加工成本中占到1/3，主要使用光刻机和涂胶显影机。
刻蚀机：刻蚀是有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程，刻蚀机市场规模约120亿美元，市场上美国泛林半导体和应用材料分别占比50%、15%，日本TEL占比25%。
刻蚀机国产化率达到23%，C公司的硅刻蚀机在14nm工艺上取得重大进展，硅刻蚀进入中芯国际28nm生产线，D公司第二代电介质刻蚀设备已广泛应用于28到7nm后段制程以及10nm前段制程，介质刻蚀机已经打入台积电5nm制程。
薄膜沉积设备：薄膜沉积是芯片中各类薄膜形成的最主要方式，工艺分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和外延。PVD、CVD、ALD（CVD的一种）设备市场空间合计约125亿美元，其中CVD设备市场规模最大，达到80亿美元，美国应用材料和泛林半导体占比30%、21%，日本TEL占比19%。
清洗机：几乎所有工艺流程都需要清洗环节，将硅片表面的颗粒、有机物、金属杂质等污染物去除，清洗机市场空间约35亿美元，日本DNS和TEL占比45%、25%，美国泛林半导体占比15%。
