（1）先进逻辑制程：3nm/2nm量产，1.4nm研发加速
EUV多重曝光技术成为7nm以下制程标配，ASML NXE:3600D/E机型需求激增，订单排至2028年。 GAA架构全面替代FinFET，推动刻蚀、沉积、量测设备升级。 原子层沉积 (ALD)、原子层刻蚀 (ALE) 技术渗透率提升，满足三维结构制造需求。 （2）存储芯片：HBM 引爆超级周期，3D NAND持续突破
就我国半导体设备行业而言，2026年中国大陆半导体设备市场占全球约28%，仍是全球第二大市场，仅次于中国台湾地区；2025年中国半导体设备国产化率提升至35%，较2024年的25%提升10个百分点；2026年国产设备商订单增长预计超40%，远超行业平均水平。 混合键合 (Hybrid Bonding)、TSV、CoWoS等技术成熟，设备需求激增。 2025年先进封装设备市场规模达64亿美元，2026年预计增长20%。 精密点胶机、热压焊接头、检测设备成为新增长点。 AI服务器带动HBM需求爆发，单台用量达普通服务器8-16倍，三星、SK 海力士扩产50%+。 3D NAND堆叠层数突破300层，刻蚀深度、沉积均匀性要求提升，驱动设备更新。 DRAM向1β/1γ节点演进，EUV 技术开始导入，设备投资强度增加。
（3）先进封装：HBM 与 Chiplet 推动设备外溢
在刻蚀设备、清洗设备、薄膜沉积、热处理、涂胶显影、离子注入等环节领域国产化出现结构性突破，梯度推进。但在一些核心技术瓶颈领域与国际巨头依旧存在较大差距，关键核心零部件依赖进口。
如有红外测温需求，请联系
