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长鑫科技(688825)深度研究报告

   日期:2026-08-19 02:33:27     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
长鑫科技(688825)深度研究报告

        长鑫科技集团股份有限公司(688825.SH)是中国大陆规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器(DRAM)研发设计制造一体化企业。


        长鑫科技(688825.SH),采用业界领先的 IDM(垂直整合制造)业务模式,是全球范围内突破三星、SK 海力士、美光三大巨头 DRAM 寡头垄断格局的唯一新兴力量。

        从全球产业格局来看,长鑫科技是全球第四、中国第一的 DRAM 厂商,根据 Omdia 数据,2026 年第一季度其全球 DRAM 市场份额已攀升至 8%,且仍处于持续稳步扩张通道。

        长鑫科技于 2026 年 7 月 27 日正式登陆科创板,作为 A 股史上规模最大的半导体 IPO,上市首日总市值即突破 3.28 万亿元,一举超越工商银行,成为当时 A 股市值最高的上市公司。

        站在产业发展的宏观视角,长鑫科技的成长始终承载着中国大陆半导体存储产业自主可控的战略使命。

        其 2019 年的量产突破,终结了中国大陆无自主 DRAM 芯片产业的历史。后续发展,更被行业视为国产存储突破海外技术封锁、保障全产业链安全的核心支柱。

          从行业背景来看,长鑫科技的高速成长恰逢双重产业红利叠加的关键窗口期:
        一是,宏观层面的 “存储超级周期”,即由 AI 技术从大模型训练向 Agentic AI 推理端商业化落地所驱动的长期性、结构性存储需求爆发;
        二是,地缘政治语境下的半导体国产化替代浪潮。
        在这两大趋势共振下,长鑫科技凭借技术
迭代战略、持续爬坡的先进产能、国内端到端供应链的深度绑定,已迅速成长为行业级标的。

         面向 2026-2027 年的行业发展与经营周期,长鑫科技的业务成长与价值兑现逻辑将取决于三大核心维度的叠加成效:
        第一,在技术端,先进工艺(15nm 级 G5 工艺)和高端 HBM3 高带宽存储产能的量产进度与良率爬坡效率;
        第二,在市场端,全球 PC、服务器和移动终端核心客户的订单落地规模,以及国产存储在中高端市场的替代率提升幅度;
        第三,在资本端,大额解禁周期的市场流动性压力,以及高盈利水平对估值基本面的实际支撑能力。

       一、公司概况与发展历程

        长鑫科技集团股份有限公司,其前身为睿力集成电路有限公司,2023 年 6 月正式更为现名。
        长鑫科技法定代表人为赵纶,总裁为曹堪宇博士;总部核心生产基地位于安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道 388 号,此外在北京等地布局有研发和生产分支机构。

        从业务边界来看,长鑫科技是国内唯一具备 DRAM 全产业链布局的 IDM 一体化企业。
        其业务覆盖集成电路设计、制造、加工到终端销售的全流程环节,核心主营业务为 DRAM 产品的研发、设计、生产及销售。这一完整业务链条,是其区别于国内其他存储厂商的关键壁垒。

        从产业战略定位来看,长鑫科技是国内半导体存储产业突破海外技术垄断的核心支柱:
        2019 年的量产突破,直接终结了中国大陆无自主 DRAM 产业的历史;
        其后续技术迭代和产能扩张,是国内存储芯片供应链从 “依赖进口” 向 “自主可控” 转型的关键支撑。


        长鑫科技的技术路线选择,也高度贴合国内产业的现实需求:通过跟进国际主流成熟工艺、快速提升产能覆盖中低端市场,既有效保障了国内大部分通用存储芯片的供应安全,也为后续向高端存储领域的技术突破积累了扎实的量产经验和市场基础。

        二、发展历程里程碑

        长鑫科技的发展历程,是中国大陆 DRAM 存储产业从无到有、艰难突破的一个完整缩影。

        从其主体建设节奏来看,大致可分为三个阶段。
        第一阶段:筹备与突破(2016-2019 年)
        这一阶段的核心主线,是在海外技术严密封锁的环境下,完成 DRAM 产业从 0 到 1 的系统性突破。
        作为产业布局的核心主体,长鑫科技的前身睿力集成电路有限公司于 2016 年 6 月正式注册成立。
        2017 年 3 月,其合肥基地 12 英寸晶圆制造厂房正式开工建设,仅耗时 10 个月,就完成了主体厂房建设、生产设备入驻及核心产线调试等关键环节,创下了国内同类芯片产线的最快落地纪录。
        2017 年 11 月,长鑫存储技术有限公司作为专业制造运营主体注册成立,与睿力集成分工协作。
        前者专注重资产晶圆制造工艺研发,后者作为整合平台统筹产业布局。
        双方采用业内虚拟 IDM 模式分工协作,兆易创新则同步绑定设计端,负责产品定义、渠道开发与市场销售等环节,提前锁死国内产业链的协同缺口。

        这一阶段面临的外部技术封锁是极致级的:核心设备买不到、成熟技术引不进、专业人才极度匮乏。
        长鑫科技的技术团队最终选择从德国奇梦达公司引进基础专利,通过消化吸收再创新的模式,搭建起自己的第一代工艺平台,绕开了海外巨头的基础专利壁垒。
        2018 年,长鑫科技第一条 DRAM 量产生产线正式投片试产。
        2019 年 9 月,在世界制造业大会现场,长鑫科技正式宣布其首款基于 10nm 级工艺的 8Gb DDR4 DRAM 芯片实现大规模量产,这是中国大陆第一款真正实现规模化量产的自主 DRAM 芯片,直接终结了国内相关产业的空白状态。
        同年 11 月,长鑫科技拿下首个商业化量产订单,正式切入下游主流品牌的供应链体系。

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