1、项目概况
本项目旨在建设一个具备先进水平的存储器主控芯片研发中心，通过引进研发人才、购置先进的软硬件设备，构建完整的芯片设计与验证平台，围绕工业级 SSD控制器芯片、工业级EMMC控制器芯片、工业级UFS控制器芯片等系列产品 展开研发攻关，打造覆盖芯片设计、固件算法开发、封装测试及模组贴装的完整 技术闭环，提高公司存储业务的核心竞争力。
2、项目建设的必要性
（1）掌握核心控制芯片自主研发能力，夯实底层技术护城河
工业级存储器作为半导体存储领域的高端分支，在数据可靠性、环境适应性 及使用寿命等方面具有严苛标准。控制器芯片作为存储系统的“大脑”，直接决 定了存储产品的核心性能指标及纠错、调控能力，是体现存储企业核心竞争力的 底层技术支撑。
目前，高端工业级存储控制器市场仍具备较高的技术准入门槛。 通过在深圳南山建设研发中心，公司将针对工业级SSD、eMMC及UFS控制器芯 片开展深度自主研发，在架构设计、固件算法、纠错技术等领域实现关键技术突 破并形成自主知识产权。本项目的实施，将促使公司实现从存储模组集成向核心 控制芯片研发的纵向延伸，在夯实底层技术护城河的同时，确保公司能够占据工 业级存储产业链的战略制高点。
（2）优化业务梯度与产品矩阵，实现向高附加值工业级应用领域的深度渗 透
随着工业自动化、车载电子及边缘计算等新兴产业的快速发展，市场对具备 高稳定性、长周期供应能力的工业级存储产品需求日益旺盛。相较于同质化严重 的消费级市场，工业级存储领域具有更高的产品附加值与客户粘性。
目前，公司 工业级产品在整体营收中的占比仍有较大提升空间。本项目的建设将依托自研控 制器的技术优势，开发针对复杂工业环境、极端温度波动及高频振动等复杂场景 的差异化存储方案。通过优化产品结构，将业务触角向服务器、数据中心及高端 车载存储等领域深度延伸，公司能够有效拓宽盈利空间，实现业务规模与经营质 量的协同增长，是公司提升综合竞争力及增强抗风险能力的重要选择。
（3）集聚集成电路研发人才，完善技术创新体系
高端控制器芯片的开发属于跨学科的精密工程，涉及IC设计、算法开发、固件工程等多个前沿领域，对高素质研发人才的集聚程度有着极高要求。深圳南山 作为国内集成电路产业的核心聚集区，具备较强的人才流动优势与产业协同环境。
本项目将利用区位红利，招募并培育一批技术专家与核心研发团队。通过配备行业领先的软硬件研发设备及仿真环境，公司将进一步完善技术创新体系。完善的人才梯队布局与实验条件，不仅能保障本项目研发课题的高质量交付，更能为公司持续的技术创新提供内生动力。因此，本项目的实施对完善公司人才布局、保 持技术领先优势具有深远意义。
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3、项目建设的可行性
（1）项目所在地具有成熟的集成电路产业集群与人才储备提供智力支撑
项目拟建地点位于深圳市南山区，该区域作为国内集成电路设计产业的核心 聚集地，汇聚了覆盖芯片架构设计、固件算法开发及精密验证等领域的资深专业 人才，具备极强的人才吸纳能力与流动优势。
南山区完善的产业链配套环境，包括成熟的EDA设计工具供应商、IP授权服务商以及高效的流片代理机构，能够大 幅缩短控制器芯片从逻辑设计到样片产出的时间周期。依托区域内高频的技术交 流环境与人才溢出效应，公司能够快速组建起研发团队，从而有效降低高端芯片 开发过程中的人力成本风险与技术迭代压力，为工业级控制器芯片的高质量交付 做好充足的人才铺垫。
（2）公司的生产实践经验丰富，确保研发课题顺利进行
公司控股子公司长兴半导体成立于2012年，是国家级专精特新“小巨人”企 业，并获得高新技术企业认定，在半导体存储封测领域积累了深厚的行业公信力 与技术认可度。同时，长兴半导体构建了涵盖ISO 9001、ISO 14001、ISO 45001 在内的国际标准化管理矩阵，并持有质量体系注册证书。
在长期的生产实践中， 长兴半导体针对NAND Flash及DRAM等存储介质的物理特性积累了大量的实践 经验，特别是在高密度封装及先进模组制造领域积累了详实的底层运行数据。依 托已有的固件开发经验与产品验证体系，研发团队能够准确模拟工业级应用中极 端温度、高频振动及突发断电等复杂场景，确保自研控制器芯片具备可靠性与较 强的环境适应能力。
（3）公司具有经验丰富的研发团队，确保项目顺利施行
公司拥有深度覆盖存储芯片生产及研发、底层固件开发、硬件设计及系统兼 容性验证等核心环节的研发团队，在存储多Die堆叠封装、存储SiP集成化设计以 及超薄CSP/BGA封装等维度取得了多项关键技术突破，取得了八十余项专利证书，为工业级控制器芯片的自主研发构筑了坚实的底层技术屏障。通过科学的职 能划分实现了专业技术人才的集约化利用。
研发团队在各垂直技术领域通过深度 的专业化分工，显著提升了技术攻关的精准度与资源配置效率。依托成熟的技术 管理规程与过往产品的量产验证经验，公司建立了标准化的研发产出评价体系， 有效降低了研发全生命周期中的技术偏移风险。现有的协作模式与技术管理资产， 为本项目在高性能控制芯片领域的攻关提供了稳健的架构支持，能够保障研发课 题按照既定周期实现技术突破与成果转化，为本项目的顺利实施提供可靠的组织 与制度支撑。
4、项目投资估算
本项目总投资33,822.94万元，主要包括场地租赁费、装修工程费、设备购置 费、设备安装费、流片费和研发人员薪酬。
5、项目建设期
本项目的建设期为36个月。实施主体北京铜官盈新文化旅游发展股份有限公司。
6、项目实施的目的
（1）优化公司业务结构，提升存储芯片领域核心竞争力
近年来，公司逐步调整业务结构，将存储器业务作为未来发展的核心方向，重点聚焦存储器芯片先进封装、测试、存储模组制造及存储器主控芯片研发。本次向特定对象发行股票募集资金，重点投向公司半导体存储器相关业务，将进一步加大公司在半导体存储器领域的投入，完善存储芯片业务布局，提升公司在存储芯片先进封装、测试、模组制造及存储器主控芯片的技术实力、产能规模和市场竞争力。
同时，通过聚焦存储器核心业务，能够优化公司业务结构，提升公司整体盈利能力和抗风险能力，实现公司的可持续发展。
（2）强化主控芯片研发能力，补全存储产业链条
当前，主控芯片作为存储系统的核心部件，对产品性能、稳定性及供应链安全具有关键作用。公司现有研发条件已难以满足高端主控芯片持续研发、技术攻关及团队扩容的需要，研发场地、专业设备及体系化研发平台均存在提升空间。为把握半导体国产替代发展机遇，突破关键技术瓶颈，实现从存储模组、封测环节向上游主控芯片研发延伸，建设专业化、规模化的研发中心具有重要战略意义。
本次“存储器主控芯片研发项目”将围绕主控芯片技术研发展开，聚焦存储芯片核心技术攻关，通过建设专业研发场地、购置先进研发及测试设备、引进研发技术人才，完善芯片研发体系，提升自主创新能力，实现主控芯片与存储制造环节的协同适配，进一步补全存储芯片产业链布局。
项目实施后，公司研发基础设施与技术创新能力将显著提升，有利于增强产品核心竞争力与供应链自主可控能力，推动公司在高端存储领域持续升级，为公司长期高质量发展提供有力支撑。
（3）缓解公司资金压力，优化资本结构，助力核心业务聚焦
当前，公司稳步推进房地产业务去化与剥离，聚焦科技、文旅领域，重点布局存储半导体产业。半导体存储行业作为技术迭代迅速、资本投入高的行业，正迎来人工智能、云计算等下游需求爆发带来的历史性机遇，研发及产能扩充均需要持续且大规模的资金支持。
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