本文将对存储器定义、存储器分类、全球半导体存储产品出货量及预测、存储行业产业链特征、存储技术演进、存储行业需求端、存储行业竞争格局、行业代表性企业等进行梳理，以供参考。
一、存储器定义
存储器是计算机数据存储与交互的核心载体。存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件。从功能定义来看，存储器通过接收 CPU 传输的各类数据与程序指令，以特定形式进行存储，并在系统需要时，根据控制信号快速提取所需信息。作为负责接收、暂存和提取数据的硬件装置，存储器能够根据 CPU 发出的控制指令，快速完成数据的写入与读取操作，其存储容量、读写速度和稳定性，直接决定了系统的数据处理效率与信息留存能力。
二、存储器分类
半导体存储器是现代存储体系的主流存储介质。存储器按照不同标准，分类形式多样。按照与CPU 连接的紧密程度及数据存取优先级，存储器可分为主存储器（ 内存）和辅助存储器（外存）。其中主存储器与CPU 直接相连，主要用于临时存储数据和程序，通常由DRAM 或 SRAM 组成，具备存取速度快的特征，但容量相对较小。辅助存储器则用于长期存储数据和程序，如硬盘、光盘、U 盘等，容量大，但存取速度相对较慢。按照存储介质的不同，存储器可分为磁性存储器、光学存储器和半导体存储器三大类。磁性存储器使用磁性材料作为信息载体，如硬盘、软盘、磁带等，具有容量大、价格低、可长期保存信息的优点，但速度比半导体存储器慢。光学存储器则利用光学原理实现数据存储，分为只读、可写一次、可重写三大类。具有抗干扰好、容量大、价格低、可长期保存信息的优点，但容量比硬盘小，速度也不如硬盘快。半导体存储器则以半导体器件构成存储单元，如 DRAM、SRAM 、Flash 等。相比磁性存储器和光学存储器，半导体存储器具有存取速度快、体积小、功耗低等优点，被广泛应用于计算机、手机、平板电脑等电子设备中，是现代计算机存储体系的主流存储介质。
半导体存储器根据断电后数据保存情况，可分为易失性存储（RAM）和非易失性存储（ROM）两大类。
RAM 即随机存储器，需要维持通电以临时保存数据供主系统 CPU 读写和处理， 由于其可以实现对数据的高速读写，通常用作操作系统或者其他运行中程序的临时数据存储介质。根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，RAM 可进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（ SRAM）。DRAM 需要维持通电且需要周期性刷新来维持数据，其访问速度较 SRAM 慢，功耗更高，但结构简单，单位面积存储密度显著高于 SRAM ，因而成本相对较低。主要用作 CPU 处理数据的临时存储装置， 目前广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。
ROM 主要指只读存储器，无需持续通电亦能长久保存数据。根据内容写入方式可分为 Mask ROM 、PROM 、EPROM 、EEPROM 和 Flash 等。Flash 又称闪存，具备可擦除可编程的特点，且在断电环境下能保证数据的保存完整性，其成本低、密度大， 目前被广泛应用于各种嵌入式系统中。Flash 可进一步划分为NAND Flash 和 NOR Flash ，NAND Flash 存储密度远高于其他 ROM ，且具备存储容量大，能够实现快速读写和擦除等优点，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。相较于 NAND Flash ，NOR Flash 可以直接在 Flash 闪存内运行应用程序，而不必再读到系统 RAM 中；但 NOR Flash 写入和擦除速度慢， 因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成本效益。
半导体存储芯片构成中，DRAM 与NAND Flash 是主流的应用类型。根据 YOLE 数据，2024 年全球存储芯片市场中，DRAM 市场规模占比为 57% ，NAND Flash 市场规模占比为 40% ，两者合计占据 97%的市场份额，其他存储芯片中，NOR Flash 市场规模占比约为 1.7%。
存储芯片经过切割、封装和测试后，最终形成面向终端用户的各类存储产品，如嵌入式存储、 固态硬盘、移动存储、 内存条等，以满足不同场景下的各种数据存储需求。
1）嵌入式存储产品：嵌入式存储产品是嵌入在电子设备中的存储装置，专为特定设备的空间和功能限制而设计，主要用于存储设备的操作系统、应用程序、用户数据和固件。这类产品包括嵌入式 DRAM 产品（ DDR 、LPDDR）、嵌入式 NAND 产品（ eMMC、 UFS ）以及嵌入式多芯片封装产品（ eMCP 、uMCP、ePOP） ，广泛应用于智能手机、平板电脑、智能电视、物联网(IoT)设备和车载系统，对稳定性、可靠性和低功耗有很高要求。其中，嵌入式 NAND 产品需要主控芯片来管理 NAND 闪存的读写操作，包括错误检测与校正、磨损均衡等功能； 而嵌入式多芯片封装则是指将多个具有不同功能的芯片集成在一个封装内，以节省空间并提高集成度。
2）固态硬盘： 固态硬盘是使用固态电子存储芯片阵列来存储数据的存储设备。与传统机械硬盘相比， 固态硬盘不含高速旋转的盘片，且能提供更快的数据访问速度和更好的耐用性。根据接口的不同，固态硬盘可分为 SATA 固态硬盘和 PCIe 固态硬盘，广泛应用于个人电脑、游戏主机、工作站和数据中心，显著提升系统响应速度。
3）移动存储产品：移动存储产品是一种以便携方式实现跨终端数据存储的电子产品，可以方便地从一台设备移除并连接到另一台设备，用于数据传输、备份或存储扩展。 它们通常通过标准接口连接，注重便携性和易用性。这类产品包括 USB 闪存盘、具有高速读写性能的移动固态硬盘以及用于数码相机和智能手机的存储卡，它们在文件传输、数据备份和多媒体内容分发等日常和专业场景中发挥着重要作用。
4）内存条： 内存条是搭载存储芯片的电路板，可提供 DRAM 解决方案以进行临时数据处理及程序执行。与永久存储不同， 内存条中的数据在断电后会丢失，属于随机存取存储器。作为 SoC 平台与永久存储之间的数据缓冲区，其容量和速度直接影响计算机的多任务处理能力及程序执行效率，广泛应用于计算及工业领域等。 双列直插内存条(DIMMs)是存储模块的一种主要封装形式。
三、全球半导体存储产品出货量及预测
据弗若斯特沙利文数据，全球半导体存储产品市场规模受 AI 在智能设备中快速渗透带来的存储扩容需求激增推动，从 2020 年的 128 亿块增长至 2024 年的 138 亿块。2022年至 2023 年间，由于供需关系，市场规模出现短暂下跌。2020 年至 2024 年间年复合增长率为 1.8%。预计未来五年，随着 AI 技术突破带来的新存储需求以及存储产品本身的技术升级驱动，全球半导体存储产品市场规模（ 以出货量计）将增长至 2029 年的 194 亿块，2024 年至 2029 年的年复合增长率为 7. 1%。
四、存储行业产业链特征：IDM 模式为主，周期性特征明显
存储行业主要以IDM 经营模式为主。存储行业作为高度技术密集与资本密集的产业，其产业链涵盖存储芯片设计、晶圆生产、封装测试等关键环节，各环节技术关联度极高。与逻辑芯片产业链纵向分工的模式不同，存储芯片的布图设计与晶圆制造技术结合更为紧密，关键性能优化需设计与制造团队深度协同、 同步推进，IDM 模式下企业可实现全产业链自主掌控，规避分工模式下的适配风险与沟通成本， 同时可自主调配产能、管控全流程质量，以摊薄重资产投入并保障产品可靠性，因而存储行业主要以IDM 模式为主。
应用场景的多样化及客户定制化需求，催生了独立存储器制造商经营模式。 晶圆制造完成后，不同应用所需功能需通过主控芯片设计、 固件开发及 SiP 封装等后端环节实现， 因此存储原厂仍需开发大量应用技术，以将标准化晶圆转化为具体存储产品。部分原厂依托晶圆优势向下游延伸， 同时独立的存储器供应商（含品牌商）随之出现。存储原厂竞争重心在于晶圆IC 设计与制程提升，在产品应用领域则受成本等因素限制，多聚焦于智能手机、个人电脑及服务器等大宗需求行业的大型客户。而在原厂目标市场之外，仍存在广泛的细分需求， 包括工业控制、汽车电子、物联网硬件等领域及主流应用的中小客户市场。独立存储器制造商通过专注于解决方案设计、封装测试与大规模交付，能够高效满足市场对存储产品的多样化需求。
由于技术和资本门槛，早期进入存储器领域的美日韩企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势，主导全球存储芯片市场。DRAM 领域，三星、海力士、美光占据了市场的主要份额。NAND 领域，市场格局稍显分散，但仍被三星、海力士、美光、铠侠、闪迪等大厂主导。 国际领先的存储原厂凭借多年技术积累，不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗，随着制程工艺不断逼近极限，芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高，研发资本投入不断增加，主要存储原厂通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能，维持规模优势和市场份额。
存储芯片行业具有强周期属性，通常以3 到4 年为一个完整周期，当前处于AI 驱动下新一轮上行周期。 由于存储产品标准化程度高， 同类产品具备很强的替代性，受行业景气度供需关系影响较大； 同时存储芯片市场高度集中，行业头部厂商在产能规划和产品定价方面步调相对一致， 因而存储行业具有较强的周期性特征，且波动幅度远大于半导体其他细分领域。回顾近十余年，存储行业已历经四轮典型周期：2012-2015 年的周期由智能手机普及和 4G 换机潮驱动，后期因产能扩张导致供过于求而回落；2016-2019 年周期则受益于DDR4 技术迭代、3D NAND 产能转移及手机游戏需求爆发，推动存储价格大幅上涨，后续因服务器等需求疲软进入调整阶段；2020-2023 年周期初期受疫情驱动的远程办公与数据中心需求支撑，但随后因消费电子需求萎缩及产能过剩，行业步入下行周期。2024 年开始存储步入新一轮上行周期，本轮行业周期主要由AI 驱动，从个人消费端转向AI 算力基建与HBM 技术革命，企业级 AI 资本开支成为核心支撑，带动 HBM、 DDR5 及企业级 SSD 等高端产品需求快速增长，供需关系的结构性重塑有望使本轮周期持续性更强。
五、存储技术演进：大容量需求凸显，新型存储加速迭代
（一）AI 引发大容量、 高性能存储需求
AI 模型从单模态转向多模态，推动数据存储需求向大容量、高性能方向演变。随着大模型从单一文本模态向文本、 图片、音频、视频等多模态演进，其训练与处理的数据集规模呈指数级增长，根据 Seagate 数据，预计数据中心对存储的需求将从 2020 年约600EB 跃升至 2028 年的 2.4ZB ，2024 至 2028 年 CAGR 预计将达到 mid20%。AI 模型训练推理不仅需要通过高速存储层快速馈送海量数据集到计算单元，而且模型参数的庞大规模，也对内存提出了极高的需求，要求存储具备低延迟和高吞吐量以支持实时响应。这些因素共同加快了对存储产品在容量和性能方面的需求。
电子产品形态与应用升级，推动对高性能低功耗存储的需求。 随着消费电子产品的形态日益丰富以及应用场景的持续拓展，市场对嵌入式存储产品的需求呈现出显著增长态势。这些设备不仅需要具备足够的存储容量以容纳操作系统、应用程序及海量用户数据，如高清影像、音频文件和各类传感器采集信息，还需在读写速度、功耗控制等方面满足特定应用场景的需求。另一方面，“AI+”浪潮正为存储产业注入新的活力。据弗若斯特沙利文/中国半导体行业协会数据，2024 年，全球 AI 手机渗透率达约 16.2% ，AIPC 渗透率达约 18.6% ，预计到 2029 年将分别达到 54.0%和 69.2% ，具有巨大的发展空间。相应地，AI 手机需要更大容量和更低功耗的存储来运行复杂的AI 模型，并存储由此产生的增强内容。AIPC 则强调本地 AI 算力，需要更大容量的 LPDDR 、UFS、 固态硬盘来支持 AI 加速器和 AI 应用。
汽车领域智能化发展正成为半导体存储市场的重要增长动力。在汽车领域，全球新能源汽车销量从 2020 年的 310 万辆迅速增长至 2024 年的 1820 万辆，年复合增长率达55.4%，渗透率由 4.0%提升至 15.6%。现代汽车日益演变为移动数据中心与高性能计算平台，如智能座舱中的高清地图、娱乐系统及语音交互等功能，对 eMMC 、UFS 等嵌入式存储的容量与读写速度提出了更高要求。未来，随着车路协同（V2X）与智能交通系统的发展，多模态数据将大幅增加，进一步推升对大容量、 高可靠性存储的需求。例如，一辆 L3/L4 级自动驾驶汽车可能需要约 500GB 的本地存储，以处理传感器数据、AI 模型及系统日志，这为半导体存储市场创造了显著增长空间。
（二）HBM 等新型存储技术加速崛起
HBM 技术：适配 AI 算力需求的高带宽存储解决方案。HBM 即高带宽存储，是一种基于 3D 堆叠封装技术的高性能 DRAM 接口规范，其核心架构系通过硅通孔（TSV）将多个DRAM 芯片垂直堆叠，并与 GPU 通过中介层互联封装在一起。相较于传统DRAM，由于 HBM 结构在较小的物理空间内实现了高容量、高带宽、低延时与低功耗等性能，成为数据中心新一代内存解决方案。
存算一体技术：为 AI 与边缘计算等场景而生的新型存储方案。存算一体是一种打破传统“存储与计算分离” 架构的新型存储技术，核心是将计算单元与存储单元深度集成在同一芯片或封装内，通过在存储端直接完成数据运算，简化数据流转路径、破解传统架构的“存储墙”“功耗墙”瓶颈，其架构主要分为近存计算、存内处理、存内计算等层级，涵盖 SRAM-CIM、DRAM-PIM、忆阻器等多元技术路线。存算一体技术可满足 AI 训练与推理、边缘计算、物联网、 自动驾驶等场景的核心需求，尤其适配海量数据高速处理、低延迟响应、低功耗运行的需求，既能解决数据传输瓶颈导致的算力浪费，也能降低设备能耗，适配小型化终端与高密度算力场景。
六、存储行业需求端：AI 推理重塑存储格局，数据中心拉动规模扩容
Agentic AI 刺激存储器需求扩张，预估 2027 年全球存储器产值将扩大至 1.28 万亿美元。AI 产业重心由模型训练转向大规模推理应用，更强调实时响应能力与数据存取效率，带动服务器端对高容量、高带宽 DRAM 的需求持续扩大，单机搭载容量亦同步提升。此外，英伟达在 Vera Rubin 平台的推广中，强化了对高效能存储的需求，推升了企业级 SSD的重要性。为了在 Token 生成效能与成本之间取得平衡，CSP 厂商正加速采用大容量 QLC SSD 以应对海量数据存取。在需求持续扩张及供给端产能有限的供需格局背景下，存储价格持续上扬，驱动存储器产业产值逐年创高，根据 Trendforce ，预估 2026 年存储器产值将达到 8893 亿美元， 同比增长 296% ，预估 2027 年行业产值将再创高峰达 1.28 万亿美元， 同比增长 44%。其中全球 DRAM 产值 2026 年将增长至 6187 亿美元， 同比增长303%；预计 2027 年产值将进一步成长至 9,033 亿美元，同比增长 46%。全球 NAND Flash行业产值 2026 年将增长至 2,706 亿美元， 同比增速高达 280.7% ，2027 年更将进一步扩大至近 3794 亿美元，持续取得 40.2%的同比增速。
从下游应用来看，手机/PC/服务器为存储主要应用领域，服务器预计将超越手机、 PC 成为最大的应用市场。存储器产业链下游应用场景极为丰富，覆盖了从个人消费电子到数据中心的广泛领域。 不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样，涉及容量、读写速度、可擦除次数、协议、接口、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容。从存储器具体的下游分布来看，服务器、手机、PC 是最主要的应用市场。根据 CFM 闪存市场数据，2024 年 DRAM 应用市场中，服务器、手机、PC 终端应用占比分别为 34%、32% 、 14%；NAND 方面，2024 年服务器、手机、PC 终端应用占比分别为 30%、31%、 14%。 2026 年，以 Mobile 、PC 为代表的消费电子需求进入传统周期波动，受 AI 推理需求驱动的超大规模云服务商（Hyperscaler）和大型互联网厂商持续加大服务器采购力度，需求端的强劲复苏直接传导至上游存储芯片领域，带动存储芯片整体采购量出现阶段性激增，成为驱动存储产业增长的核心动力，带动存储产业穿越传统周期、释放全新价值。 CFM 预计 2026 年全球 NAND Bit 整体需求同比增长 15% ，其中服务器 NAND 需求同比增长逾 60% ，服务器 NAND 在所有 NAND 需求中占比约 37% ，并首次超过手机成为 NAND 最大应用市场。2026 年全球 DRAM Bit 整体需求同比增长 20% ，其中服务器 DRAM Bit 需求同比增长约 45% ，服务器 DRAM 含 HBM 在所有 DRAM 需求占比中首次超过 50%。
（一）服务器：全球 CSP 资本开支规模持续增长，AI 服务器存储需求迎来爆发
全球 CSP 厂商资本开支呈高增态势，核心聚焦 AI 基础设施建设。由于 AI 强劲需求，全球 CSP 厂商相继上调2026 年资本开支，加码 AI 基础建设，投资重点持续集中于高效能 GPU 集群建设、自研 ASIC 芯片开发，以及支持高功耗运算的新一代数据中心。其中， Microsoft 上调 2026 年资本支出展望至 1,900 亿美元， 同比增速提高为 130%左右，其中约 250 亿 美元 为反 映零部件价格 上 涨影 响； Google 从 1,750- 1,850 亿 美元 上修 至1,800- 1,900 亿美元，同比增速也超过一倍；Meta 则将资本支出区间由 1, 150- 1,350 亿美元上修至 1,250- 1,450 亿美元，同比增速约 85%；AWS 亦因应AI 云端服务需求，预计今年资本支出逾 2,300 亿美元， 同比增速 50%以上。根据 TrendForce 预计，2026 年全球九大CSP 厂商 Google、AWS、Meta、Microsoft、Oracle 以及字节跳动、腾讯、阿里巴巴、Baidu合计资本支出预估将增长至约 8,300 亿美元， 同比增速 79%。
CSP 厂商对服务器等 AI 基础设施投入加码，催生服务器市场规模迅速增长。
根据 TrendForce，北美 CSP 厂商持续加强对 AI 基础设施投资力道，预估将带动 2026年全球 AI 服务器出货量年增28%以上。此外，AI 推理服务产生的庞大运算负荷，驱动通用型服务器进入替换与扩张周期，预估 2026 年全球服务器 (含 AI 服务器)出货量也将年增 12.8% ，成长幅度较 2025 年扩大。
2024 至 2025 年，服务器市场主要聚焦先进大型语言模型(LLM)训练，并依赖配套GPU 、HBM 的 AI 服务器执行平行运算。2025 年下半年起，AI Agents、LLaMA 模型应用、Copilot 升级等 AI 推理服务持续发展，CSP 积极转向推理服务以发展变现及获利模式。基于不同应用场景，AI 推理除了可采用 AI Server 机柜，亦包括通用型 Server ，以支撑推理前后的运算和存储需求。
根据 TrendForce ，2026 年海外 CSP 厂商资本开支指引持续高增，除了为布局大规模基础建设，也有部分是汰换2019 至2021 年云端投资热潮购置的通用型 Server。预计Google和Microsoft将最积极提升通用型 Server采购量，以应对每日需实体提供的 Copilot、Gemini推理流量需求。
2026 年，AI Server 出货动能主要来自北美 CSP、各地政府主权云项目，以及大型CSP 加快自有 ASIC 研发、边缘 AI 推理方案的助力。从使用的 AI 芯片分析，预估 GPU占 69.7% ，仍为最大宗；其中，搭载 NVIDIA（英伟达）GB300 的机种将成为出货主流， VR200 则于下半年后逐步放量。然而，在 Google、Meta 等北美云厂商积极扩张自研 ASIC方案的情况下，预计 2026 年 ASIC AI Server 的出货占比将提升至 27.8%，为 2023 年以来最高，出货增速也超越GPU AI Server。Google对自研ASIC 的投资力道明显强于多数CSP，将成为 ASIC 市场领头羊，其 TPU 除了 自用于 Google Cloud Platform 云端服务基础设施外，也积极对外销售于 Anthropic 等业者。
随着 AI 数据中心大举扩张以及 AI 训练推理负载持续增长 ，预计将拉动服务器NAND 和 DRAM 需求持续攀升。
NAND：AI 推理驱动存储架构变革，NAND 跃升为数据中心新基石。
1）AI 存储需求激发 HDD 替代效应，Nearline SSD 迎旺盛需求
根据 TrendForce ，AI 推理应用快速推升实时存取、 高速处理海量数据的需求，传统作为海量数据存储基石的 Nearline HDD（近线硬盘）已出现供应短缺，由于全球主要 HDD制造商近年未规划扩大产线，无法及时满足 AI 刺激的突发性、 巨量储存需求。 目前 NL HDD 交期已从原本的数周，急剧延长为 52 周以上，加速扩大 CSP 的储存缺口。
HDD 产业正值技术换代的阵痛期，投资新一代热辅助磁记录(HAMR)技术产线初期的高昂成本，不仅造成产能扩张瓶颈，也迫使供应商将费用转嫁给客户，导致每 GB 的平均售价(ASP Per GB)从过往的 0.012-0.013 美元，提高至 0.015-0.016 美元，削弱了 HDD最核心的成本优势。相比之下，NAND Flash 通过 3D 堆栈技术的演进，产能提升速度远快于 HDD。此外，随着堆栈层数从上百层迈向200 层以上或更高，晶圆的储存位元密度不断提升。预期 2026 年 2Tb QLC 芯片的产出将逐步放量，成为降低 Nearline SSD 成本的主力。
AI 推理工作负载涉及大量小型数据的随机读取，以及对模型参数的快速调用。从效能角度分析，SSD 的 IOPS（每秒读写次数）是 HDD 的数百甚至数千倍，其微秒级的延迟(Latency)更是 HDD 毫秒级延迟无法比拟的。 而 SSD 在运作时无需马达驱动磁盘，每TB 的功耗远低于 HDD。对于大型数据中心而言，改用 SSD 所节省的电费、冷却成本以及机柜空间，长期足以抵销其较高的初始购置成本。
2）KV Cache 创新 NAND 新增量需求
Agentic AI 时代，智能体不再是无状态的聊天机器人，而是依赖于对话、工具和中间结果的长期记忆进行推理、反思和规划。在基于 Transformer 架构的模型中，长期记忆以推理上下文的形式实现，也称为KV 缓存。KV 缓存能够保存推理阶段的上下文信息，从而避免模型为生成每个新 Token 而重复计算历史数据。随着序列长度的增加，KV 缓存的规模会呈线性增长，迫使其在更长的会话中持续保存，并可在多个推理服务之间实现共享。
现有的内存和存储层层级结构中，随着推理上下文持续扩展，其流转机制依次为 GPU HBM（ G1 ）、 系统 DRAM（G2）、本地 SSD（ G3 ）、共享存储（G4）。在整个存储层级架构的顶层，GPU HBM（ G1 ）可提供纳秒级访问和超高效率，使其成为直接用于 token生成的活跃 KV 缓存。随着上下文超出 HBM 的物理限制，KV 缓存会扩展到系统 DRAM （G2）和本地/机架内存储（ G3 ）中，此时访问延迟会增加，每个 token 的能耗和成本开始上升。虽然这些层级扩展了有效容量，但每向下迁移一个层级，都会产生额外的开销，从而降低整体效率。在整个存储层级架构的底层，共享对象和文件存储（G4）可提供持久性和存储容量，但延迟将达到毫秒级，推理效率也是最低的。 虽然它适用于存储访问频率较低的或共享的数据资产，但将活跃或频繁复用KV 缓存保存到此层级会增加功耗，并直接限制AI 扩展的成本效益。
基于上述问题，英伟达推出基于 BlueField-4 数据处理器（DPU）的推理上下文记忆存储平台，该平台创建了一个专用上下文记忆层（ G3.5 ），以弥合高速 GPU 内存和可扩展共享存储之间的性能差距。在存储架构上，BlueField-4 DPU 通过 4 颗 DPU 管理 150TB内存池直连 GPU ，为每颗GPU 额外拓展 16TB 上下文空间，这一架构变革直接推动单机柜 NAND 需求从 830TB 飙升至近 2PB。
DRAM：模型权重&KV 缓存推动 DRAM/HBM 需求攀升
推理阶段 AI 服务器对 DRAM、HBM 容量需求攀升。从推理的角度来看，推理对HBM 的需求主要来自模型权重静态内存、KV 缓存动态内存两大模块，以典型的GPT 模型为例，根据优刻得数据，GPT-5 推理阶段整体对 HBM 的需求量可达至 26.8PB。其中，模型权重静态内存方面，对于 4.5 万亿参数的MoE 架构 GPT-5 模型，其活跃专家权重需全部加载至 HBM 以保障响应效率，此部分需求约为 24PB；其二是 KV 缓存动态内存， KV 缓存的核心作用是避免注意力权重的重复计算，通过 GQA 技术优化后，单个 token的 KV 缓存占用约 480KB，按照 58 亿的总并发 Token规模计算，该模块需消耗 2.8PB 的HBM 资源。DRAM 的需求核心则主要来自KV 缓存，且需结合缓存命中率进行综合测算。在 24 小时时间窗口内，若输入 KV 缓存的重用率达到 50%，可有效降低 Prefill 阶段的计算量。按每日 38 万亿的 Token 处理规模估算，GPT-5 推理所需的DRAM 容量约为 9. 1EB。
AI 推动服务器 DRAM 持续向高性能、 大容量方向升级，单机柜 DRAM/HBM 存储容量大幅提升。AI 训推需求爆发推动了以英伟达为首的AI 基础设施供应商对 DRAM、HBM 性能与容量的持续迭代升级。从英伟达 Rubin 平台内存配置来看，每颗 Rubin GPU HBM4 提供 288GB 内存容量与 22TB/s 内存带宽，单机柜 HBM 内存达到 20.7TB ，带宽达 1.6PB/s ，实现总容量及带宽分别较 Blackwell 平台提升约 1.5 倍、2.8 倍。Vera CPU 内存作为近端溢出层，单 CPU 配置 1.5TB LPDDR5X 与，单机柜内LPDDR5X 总容量达 54TB，总容量较 Blackwell 平台提升约 2.5 倍。
（二）手机：智能化趋势带动存储容量及性能提升
AI 手机有望成为驱动手机市场增长的关键动力，市场渗透率预计持续提升。随着 AI技术推动产品升级，AI 智能手机已成为智能设备的关键形态，其提供的算力是普通智能手机的五到十倍。AI 手机通过端侧大模型满足用户实时翻译、智能摘要、影像增强等功能需求，有望成为推动用户换机需求的核心动力，其增速预计将快于手机市场整体增速。据弗若斯特沙利文/中国半导体行业协会数据，作为消费电子中最大的品类，2024 年全球智能手机出货量达到约 12 亿部。到 2029 年，全球 AI 智能手机渗透率预计将升至 54.0%， AI 智能手机出货量将达到 7.74 亿部。
AI 手机适配端侧大模型，需要更强性能、更大容量的内存和嵌入式存储，并且随着大模型参数量提升 ， 所需存储容量随之增长。 目前安卓旗舰机型普遍标配 LPDDR 5X+UFS4.0/4. 1 ， 在 1000-3000 元 价 位 的 中 低 端 市 场 ， 入 门 级 机 型仍 主 要 搭 载LPDDR4X+UFS2.2 ，部分主打性价比的机型则开始采用旗舰机存储方案，UFS4.0/4. 1 开始向 2000 元档机型渗透，LPDDR5/5X 正加速下放。LPDDR5/5X、UFS4.0 凭借更高的传输速度和更低的功耗，显著提升了智能手机运行流畅度，将更好满足手机智能化发展新需求。
从当前 AI 手机对存储容量配置来看：
1）DRAM：主流安卓旗舰机型运行内存 12GB 起步，iPhone 17 Pro 系列亦升级至12GB。据联发科无线通信事业部 AI 技术高级经理庄世荣所述，130 亿参数的端侧大模型仅运行就需 13GB 内存， 已接近传统旗舰手机 8GB- 12GB 的整机运行内存，加上安卓系统本身运行需占用 4GB 内存，以及若要流畅运行社交、办公等常规 APP 并保活，还需额外 6GB 内存，总内存需求达 23GB。 即便经过极致压缩的轻量化模型， 内存需求仍显著更高，如 vivo 30 亿参数的蓝心端侧大模型 3B 需 1.5GB 内存，70 亿参数版本经压缩后仍需 3.5GB 内存。为了满足大模型在端侧流畅运行， 目前除苹果外，华为、小米、 OV 等主流旗舰机型起步运行内存均已升级至 12GB ，部分高端机型甚至突破至 16GB；在苹果最新发布的 iPhone 17 系列新品中，苹果亦将 iPhone 17 Pro 系列 LPDDR5X 内存从 8GB 提升至 12GB ，以保障AI 功能响应速度。
2）NAND：传统手机 NAND 主要以基础数据存储为核心，侧重满足系统运行、App安装与文件保存等常规需求，AI 手机 NAND 主要侧重满足本地大模型运行、多模态数据处理等核心需求，需要在存储容量、速度、带宽等方面进行全方位升级。 目前主流 AI手机的嵌入式存储起步容量一般为 256GB ，例如苹果 iPhone 17 Pro 系列、荣耀 Magic8系列等旗舰机型均以 256GB 作为基础存储配置，以满足用户日常使用、影像存储以及AI 应用的基本需求，同时兼顾性能与成本平衡。随着AI 功能持续完善，AI 手机搭配NAND容量预计将逐渐向 512GB/1TB 加速渗透。
手机单机存储容量提升驱动手机市场存储规模增长。根据 CFM 闪存市场数据，2024年智能手机 DRAM 、NAND 单机搭载容量分别为 7GB/195.7GB ，预计 2025 年 DRAM 、 NAND 单机搭载容量将分别提升至 8. 1GB/224.2GB。受益于 AI 手机单机存储容量提升，手机 DRAM/NAND 市场有望持续增长。
（三）PC：AI 重构存储标准，高性能大容量大势所趋
AI PC 能够更好满足企业级办公场景的需求，用户更愿意为其付费，AI 渗透率相较于其他消费电子产品更高。据弗若斯特沙利文/中国半导体行业协会数据，2024 年全球PC 出货量为 2.59 亿台,其中 AI PC 出货量达到 0.48 亿台，渗透率为 18.6%。预计到 2029年全球 PC 出货量将增长至 3. 12 亿台，AI PC 出货量预计将增长至 2. 16 亿台，届时渗透率将达到 69.2%。
在 PC 领域，DRAM 为流畅的多任务处理提供保障，例如 DDR5 ，SSD 则凭借大容量存储、高读写性能及出色稳定性，不仅大幅缩短系统开机、软件加载与文件传输时间，还能有效支持大型程序高效运行、海量数据处理，以及多任务场景下的无缝协同。其抗震动、低功耗的特性，进一步提升了设备耐用性与续航能力，持续推动 PC 向更高效率、更强稳定性、更丰富功能的方向迭代升级。
具备 AI 功能的 PC 需要更大的内存。传统 PC 主要为CPU+GPU 架构，核心功能为本地“计算+存储”。AI PC 在传统架构上新增 NPU 模块，架构扩展为“CPU+GPU+NPU”，功能则扩展至 “计算+存储+算力” 。AI PC 通过新增 NPU ，对功耗、散热、以及存储要求更为严苛， 以微软 Copilot+PC 所设定的最低配置来看，Copilot+PC 必须配备算力至少40TOPS 以上的专用 NPU ，同时在内存上，至少需配备 16GB DDR5 或 LPDDR5X 内存，储存容量至少需 256GB SSD 或 UFS 存储，以支持 AI 功能实时计算和处理。根据 CFM闪存市场统计，AI PC 存储配置上，满足基础 AI 模型运行需要 16GB 内存，高级 AI 模型则要求 64GB 或更高内存；在目前已发布的AI PC 产品中，x86 架构产品所配置的 SSD主要在 1-2TB ，ARM 架构在 256GB- 1TB ，Apple Silicon 在 256-8TB。
七、存储行业竞争格局：寡头垄断主导，国产加速突围
海外原厂主导存储芯片市场。存储器产业链从上至下分别为： 晶圆厂、主控芯片、封装测试、存储模组与产品供应商、存储品牌商、下游具体应用场景等。其中，上游晶圆厂即存储“原厂” ，是业内对具备自有晶圆制造能力的存储芯片厂商的通称，掌握核心颗粒（Die）的制造权，如三星、美光、海力士、长鑫存储等。原厂拥有晶圆制造能力，掌握制程工艺、架构设计等核心技术，是存储芯片性能、寿命、功耗等指标的决定者，同时控制着行业最关键的产能资源和话语权, 因而存储行业具备高度集中的寡头垄断特性。
1）DRAM：CR3 占比 90.5% ，南亚科技、华邦电子等承接其退出的传统产品份额。根据 TrendForce 数据，以营收计，2025 年 Q4 三星、SK 海力士、美光在全球 DRAM 市场份额分别为 36.0%、32. 1%、22.4% ，合计市占率达 90.5%； 同时，随着原厂退出绝大多数传统 DRAM 产品供应，释放出来的市场份额由南亚科技、华邦电子和大陆供应商迅速承接，直接带动相关厂商收入大涨，2025 年 Q4 南亚科技、华邦电子、力积电营收占比分别为 1.8%、0.6%、0. 1%。
2）NAND：CR5 占比达 89.9% 。据 TrendForce 数据，以营收计 2025 年 Q4 ，全球前五大厂商三星、SK 海力士、美光、铠侠、 闪迪总市占率达 89.9%。其中，三星以28%的市占率稳居第一，SK 海力士市占率 22. 1%排名第二，铠侠、闪迪、美光科技分别以 14. 1%、 12.8%、12.8%的市占率位列第三至第五。
国内企业在多个细分领域加速突围。存储芯片行业作为技术、资金双密集产业，产品设计周期长、工艺复杂、资金投入高，对企业研发能力、技术经验积累、资金实力均有较高的要求。 国内企业因起步相对较晚，前期主要依托国家政策、基金提供支持。近年来，在国家对存储产业的大力扶持下，国内形成了从存储芯片设计、制造、封测到下游应用的完整产业链。凭借政策支持、技术积累及产业链协同合作，以长鑫存储，长江存储为代表的国内企业已在多个细分领域实现了突破。
1）长鑫存储：作为国内 DRAM 领域领军者， 自成立以来公司始终专注于DRAM 产品的研发、设计、生产及销售。公司采取 “跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，可提供 DRAM 晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多样化的产品方案，可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。根据 Counterpoint数据预测，按营收口径，2025 年长鑫存储市场份额约 5% ，并将在 2026/2027 年将进一步增长至 7%/8%。
2）长江存储：国内 NAND 领域领军者,在 NAND 领域以®Xtacking®架构实现差异化竞争， 自成立以来公司已陆续推出 TLC 、QLC 等市场主流产品系列。2019 年 9 月，搭载公司自主创新®Xtacking®架构的第二代 TLC 3DNAND 闪存正式量产。2020 年 4 月，公司宣布第三代 TLC/QLC 两款产品研发成功，其中 X2-6070 型号作为首款第三代 QLC 闪存，拥有发布之时业界最高的I/O 速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。2024 年，公司第五代 TLC 3D NAND 研发成功并量产，并于 2025 年发布第五代 QLC 3D NAND 。根据 Counterpoint数据预测，按营收口径，2025 年长江存储市场份额约 10%，并将在 2027年将进一步增长至 12%。
八、行业代表性企业
（一） 兆易创新： 国内存储、MCU 双龙头，定制化存储打开增长空间
兆易创新成立于 2005 年，深耕专用型存储芯片行业二十年，MCU 领域十四年， 已成为中国内地专用存储芯片和 MCU 领域的领军企业。公司目前业务涵盖 Flash 存储器、专用型 DRAM 、微控制器（MCU）、模拟芯片及传感器芯片，同时还提供包括相应算法和软件在内的完整系统与解决方案。根据弗若斯特沙利文报告，以 2024 年销售额计算，公司在多个领域均处于市场领先地位，并且是唯一一家在 NOR Flash、SLC NAND Flash、专用型 DRAM 以及 MCU 领域均跻身全球前十名的集成电路设计厂商。 细分领域来看，公司是全球第二大、中国内地最大的 NOR Flash 厂商；全球第六大、中国内地最大的 SLC NAND Flash 厂商；全球第七大、 中国内地第二大专用型DRAM 厂商；全球第八大、 中国内地最大的MCU 厂商； 同时，也是中国内地第二大指纹传感器厂商。
存储产品线持续拓展，定制化存储卡位端侧 AI 化浪潮。
1）Nor Flash 方面，公司为国内推出首款容量高达 2Gb、高性能的 SPI NOR Flash 系列产品及首款国产超高速 8 通道 SPI NOR Flash 产品的厂商，率先实现45nm节点 SPI NOR Flash 大规模量产。在汽车领域，公司 SPI NOR Flash 车规级产品 2Mb~2Gb 容量已全线铺齐，为市场提供全国产化车规级闪存产品。
2）NAND Flash 产品方面，公司 38nm 和 24nm 两种制程全面量产，并正在以 24nm为主要工艺制程，容量覆盖 1Gb~8Gb，其中 SPI NAND Flash 在消费电子、工业、汽车电子等领域实现了全品类的产品覆盖。2025 年，公司推出了兼备更快读取速度和坏块管理功能的高速 QSPI NAND Flash 产品，可应用于工业、IoT 等快速启动应用场景。公司38nmSLCNANDFlash 车规级产品容量覆盖 1Gb~4Gb ，搭配车规级 SPI NOR Flash ，为进入车用市场提供更多机会。
3）DRAM 产品方面，公司产品品类持续扩张，陆续推出 DDR4 、DDR3L 产品， 已经覆盖 DDR3L 1Gb-8Gb、DDR4 4Gb/8Gb，2025 年，公司 8Gb 容量 DDR4 产品市场推广顺利进行，营收稳步增长；LPDDR4 产品开始贡献营收，公司后续将完善 LPDDR4 产品系列，产品技术覆盖度持续提升。同时，公司紧贴客户需求， 2024 年 7 月成立控股子公司青耘科技，从容量、带宽、能耗等方面为客户提供更为定制化的解决方案， 目前公司控股子公司青耘科技已完成核心团队搭建，相关定制化存储业务有序推进，在 AI 手机、 AIPC 、机器人等多个领域均有重点客户和项目突破。
（二）普冉股份： 内生外延双轮并进，存储 + 战略拓宽成长边界
普冉股份主营业务为非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售，目前主要产品包括： 非易失性存储器芯片 NOR Flash、EEPROM 和 SLC NAND Flash 及其衍生产品 eMMC 、MCP；微控制器芯片以及模拟产品。公司的 NOR Flash 产品应用于低功耗蓝牙模块、TWS 蓝牙耳机、手机触控和指纹、TDDI、AMOLED、可穿戴设备、车载导航和安全芯片等领域。EEPROM 产品应用于摄像头模组、智能仪表、工业控制、汽车电子、 网络通信、 家电等领域。SLCNANDFlash 及其衍生产品应用于可穿戴设备、通讯设备、安防监控、工业控制、汽车电子等领域。MCU 主要为基于 ARM Cortex-M 系列 32 位通用MCU 产品，可广泛应用于智能家电、可穿戴设备、物联网、计算机网络、玩具、安防等消费类及各类工业控制、车载领域；模拟产品的第一个产品系列为音圈马达驱动芯片（Voice Coil Motor Driver ，简称 VCM Driver）， 目前提供独立和存储二合一两类开环类音圈马达驱动芯片产品，主要应用于摄像头模组，公司基于存储、模拟及传感器技术的积累和延展，正持续研发光学防抖音圈马达驱动芯片产品。凭借低功耗、 高可靠性的产品优势，公司成为了国内 NOR Flash 和 EEPROM 的主要供应商之一，同时，公司实施 “存储+”战略，积极拓展微控制器及模拟芯片领域。此外，公司持续推进海外业务布局，实现了在日本、韩国、美国等多家的知名大客户导入，产品应用领域涵盖消费、工控、光伏及车载。
公司存储产品线持续拓展，存储+战略稳步推进，不断拓宽增量空间。
1）NOR Flash 产品：公司NOR Flash 产品采用电荷俘获（ SONOS ）及浮栅（ETOX）工艺结构，提供 512Kbit 到 1Gbit 容量的系列产品，覆盖 1. 1V-3.6V 的操作电压区间。 目前公司 40nm SONOS 工艺制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列产品均已实现量产，公司 SONOS 工艺的第三代 40E 平台 4Mbit~64Mbit 小容量系列已实现批量出货； 128Mbit容量系列将于 2026 年完成开发。公司也并行采用浮栅（ETOX）工艺结构，提供以中大容量为主、 中小容量为辅的系列产品， 目前 55nm及 50nm 制程实现了 4Mbit~ 1Gbit 全容量系列产品量产出货。公司 4Xnm16Mbit~64Mbit 产品均已量产出货，应用于 IPC、智能网联终端等领域。同时，公司 ETOX 工艺平台 1.65V~3.6V 宽压系列已完成部分容量产品的量产；256Mbit~ 1Gbit 大容量产品已交付了部分工控、通讯、PC 、服务器等客户。车载领域，公司中小容量 SONOS NOR Flash 车载产品已陆续完成 AEC-Q100 认证，主要应用于部分品牌车型的前装车载导航、 中控娱乐等。 同时，公司全容量 ETOX NOR Flash 系列产品通过 AEC-Q100 车规认证，
2）EEPROM 产品：公司已形成覆盖 2Kbit 到 4Mbit 容量的 EEPROM 产品系列，操作电压覆盖 1.2V-5.5V，主要采用 130nm 工艺制程，部分中大容量产品采用 55nm 工艺制程并已实现量产。 工控和车载领域，公司工业控制应用占比显著提升，车载产品完成AEC-Q100Grade1 标准的全面考核，在车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量交付，同时完成了多家国内 Tier1 厂商的认证，汽车电子产品营收占比持续提升。 同时，公司 2Mbit 产品已批量用于高速宽带通信和数据中心。此外，公司推出的超低电压 1.2V 系列 EEPROM 已实现量产出货，涵盖 32Kbit 至 512Kbit ，是目前行业内工艺节点领先和容量覆盖面较为完备的超低电压产品线。2025 年，公司EEPROM 产品线重要组成部分 SPD 产品线亦实现顺利量产出货，在持续推进重点大客户的验证和送样。
3）SLC NAND Flash 及其衍生产品：公司于 2025 年 11 月通过现金收购诺亚长天部分股权实现对 Sky High Memory Limited 的间接控股。SHM 提供中高端应用的高性能 2D NAND 及衍生存储器（ SLCNAND ，eMMC ，MCP）产品及方案，其中 SLC NAND Flash产品容量覆盖 1Gbit – 16Gbit ，适配工业、汽车、通信等对稳定性要求严苛的场景，公司同时布局 16nm、32nm 、41nm 等多代际工艺产品线， 目前，公司产品已通过全球多家大型客户的平台验证；eMMC 以工业级与车规级标准为核心设计导向，容量覆盖从 2GB 至64GB ，目前，SHM 的 eMMC 已通过多家主流客户的严格平台验证；MCP 产品可提供不同比例的 NAND（ 如 8Gb 至 16Gb）与 DRAM（ 如 8Gb 至 16GbLPDDR4x）配置，以满足从轻量级物联网模块到高性能车载信息娱乐系统等不同层次的应用需求。
4）“存储+ ”系列芯片：MCU 产品方面，公司已成功量产 M0+及 M4 五大产品系列、超两百余款 MCU 产品，覆盖 55nm 、40nm 工艺制程。产品支持 24MHz~170MHz 主频、 24KByte~512KByteFlash 存储容量、USB/CAN/SDIO/Ethernet 等主流接口，以及 20~ 100IO的多种封装形式，形成宽电压、低功耗、支持-40°C~ 105°C/125°C 高温等高质量、 高可靠性、 高性价比通用产品矩阵。产品主要应用于智能家居、小家电、BMS、无人机、驱动电机、逆变器、电子烟等下游领域。模拟产品 VCM Driver 芯片方面，公司目前多款开环的音圈马达驱动芯片产品均已量产出货； 同时，公司面向主摄长焦及潜望镜头的新一代 OIS 芯片现已实现规模化大批量量产。此外，公司于 2025 年推出首款闭环驱动芯片，可满足大行程应用需求，适配折叠屏、潜望式摄像头等高端应用场景。
（三）东芯股份：全品类利基存储龙头， “存算联”战略稳步推进
东芯股份主营业务围绕利基型存储芯片设计领域，是目前大陆为数不多能同时提供NAND Flash 、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司。公司产品主要应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗、汽车电子等领域。公司秉持 “提供高可靠的存储产品设计及方案”为使命，并以 “成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，努力通过自主研发的知识产权、稳定的供应链体系以及高可靠性的产品为客户提供优质的存储产品及解决方案。目前公司设计研发的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。
公司针对各类主营存储产品，持续实施产品更新迭代策略。
1）SLC NAND Flash：公司继续加强在 SLC NAND Flash 行业的技术领先优势，积极推进存储产品的升级迭代。报告期内 “ 1xnm 闪存产品研发及产业化项目” 已实现量产，设计与工艺持续优化，产品可靠性指标显著提升，并已实现产品销售。2xnm 制程 SLC NAND Flash 产品系列研发持续推进，进一步提升了可靠性指标，并持续扩充产品料号。
2）NOR Flash：公司持续推进 48nm、55nm 制程下 64Mb-2Gb 中高容量的 NOR Flash产品的研发，围绕可穿戴设备、安防监控、物联网、汽车电子、端侧 AI 等应用领域，精确定位不同容量的客户需求，优化性能、功耗与性价比的合理匹配。
3）DRAM：公司在已量产的 DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4x、PSRAM等产品基础上，继续在 DRAM 领域进行新产品的研发设计， 目前主要围绕可穿戴，网络通信等应用领域。
4）MCP：公司目前已可以向客户提供 4Gb+2Gb、4Gb+4Gb 、8Gb+8Gb 、16Gb+16Gb等多种组合的MCP 产品，主要应用于 5G 通讯模块、车载模块、工业控制等应用领域。公司在研产品进一步拓展多容量配置，依托自主研发 SLC NAND Flash 与DRAM 组合，打造具备成本优势与稳定性能的MCP 解决方案，持续丰富产品线，全面满足客户的多样化需求。
5）公司继续推进车规级存储产品的研发及产业化进度，着力构建高附加值的车规产品矩阵，公司 SLC NAND Flash、NOR Flash 以及 MCP 均有产品通过 AEC-Q100 的验证，具备满足严苛车规级应用环境的能力。公司稳步推动车规客户的导入与销售， 已经完成国内多家整车厂的白名单导入并且持续推动多家海内外一级汽车供应商（ Tier1 ）的供应商资质认证，并在多款车型中实现量产。公司产品在汽车电子中的应用领域包括通信及远程控制系统、ADAS 系统、智能座舱域控系统、车身控制系统等。
公司持续推进 “存、算、联”一体化战略布局，构建以存储芯片为核心，覆盖计算、通信领域的多元化技术生态体系。
1）联接芯片领域，公司正持续推进 Wi-Fi7 无线通信芯片的研发设计工作。基于对市场趋势的研判，公司发现 Wi-Fi 芯片市场蕴含显著增长潜力，尤其是 Wi-Fi6/7 技术在高带宽传输、 高安全性保障、超低延迟响应及多设备并发接入场景中展现的核心优势，使其成为驱动该市场未来增长的关键技术方向。随着智能手机、笔记本电脑、物联网（IoT）终端、智能家电等联网设备规模的持续扩大，市场对 Wi-Fi 芯片组的需求呈现确定性增长态势， 同时对无线连接的可靠性与传输速率提出更高要求。公司首款无线传输芯片定位于高带宽、低延迟应用场景，可满足智能终端领域对高速无线连接的技术需求。通过差异化技术创新，公司致力于为客户提供本土化的智能无线通信与感知芯片及系统级解决方案。 目前该产品研发项目进展符合预期。
2）在计算芯片领域，公司于 2024 年通过自有资金 2 亿元人民币战略投资上海砺算，布局高性能 GPU 赛道。上海砺算主要从事多层次（可扩展） 图形渲染 GPU 芯片的研发设计，坚持自研架构，产品可实现端、云、边的主流图形渲染和 AI 加速，对标主流 GPU架构，与外部生态无缝兼容，力争解决国产主流完整 GPU 架构自主可控的关键问题。报告期内，上海砺算完成首款自研 GPU 芯片“7G100”的首次流片、晶圆制造及芯片封装，对产品的测试结果符合预期， 目前正按计划进行客户送样以及量产工作。产品可应用于个人电脑、专业设计、AIPC、云游戏、云渲染、数字孪生等应用场景。
（四）北京君正： “计算 + 存储 + 模拟” 三轮驱动，车载与端侧 AI 构筑长期增长曲线
北京君正系全球车规领域存储龙头芯片设计厂商，公司目前拥有存储芯片、计算芯片、模拟芯片和互联芯片主要产品线。其中，存储芯片主要产品有高集成密度、 高性能品质、 高经济价值的 SRAM 、DRAM 、Flash 等，主要面向汽车、工业医疗等行业市场，同时，在人工智能技术快速发展迭代的情况下，对 3D DRAM 等新型存储芯片的需求逐渐显现，公司积极布局面向AI 应用领域的3D DRAM 产品；公司计算芯片产品线主要应用于安防监控、智能门铃、智能眼镜、运动摄像耳机等智能视觉相关领域和生物识别、二维码识别、教育电子、打印机、扫地机器人、智能门锁等智能硬件产品领域。模拟与互联芯片产品线包括各类LED 驱动、DC/DC 、GreenPHY 、以及 LIN 、CAN 等芯片产品，可面向汽车、工业、智能家居、 白色家电、游戏及电竞产品、智能穿戴、机器人等多类市场应用领域提供多种型号的产品。
公司持续推进新产品新技术及市场布局，构建 “计算 + 存储 + 模拟”完善的产品矩阵，成长空间进一步打开。
1）存储芯片方面，公司 SRAM 产品品类丰富， 包括了不同容量的同步 SRAM、异步 SRAM、 高速 QDR SRAM 等产品。2025 年，公司进行了部分 SRAM 产品的研发，并对相关产品进行了客户送样。公司DRAM 产品开发主要针对具有较高技术壁垒的专业级应用领域，可向客户提供不同容量、不同界面和不同功耗规格的产品，能够满足工业、医疗、主干通讯和车规等级产品的要求，具备在极端环境下稳定工作、节能降耗等特点。 2025 年，公司部分 20nm、 18nm、 16nm 的 DRAM 芯片完成了产品测试和量产工作，部分新工艺制程的产品仍在研发中，新工艺制程的 DRAM 芯片有望大幅提高公司 DRAM产品线的市场竞争力，推动公司DRAM 产品在主流车规 DRAM 及工规 DRAM 市场中销售份额的持续增长。公司基于新制程的 8Gb DDR4、8Gb LPDDR4 以及 16Gb LPDDR4 等产品陆续进入批量生产阶段。为满足汽车市场在域控、座舱等领域不断增长的需求，公司启动了LPDDR5 产品的研发。公司Flash 产品线包括了目前全球主流的NOR Flash 存储芯片、2D NAND Flash 和 eMMC/UFS 存储芯片，2025 年，公司进行了不同容量和种类的 Flash 产品的定义、研发和工程样片生产等相关工作，并加大了对大容量 NOR Flash产品的研发，其中2Gb 车规级 NOR Flash 产品已量产。
2）计算芯片方面，2025 年，公司完成了面向安防监控领域支持 H.265 硬件编码的视频处理器 T33 的研发、投片与量产工作，完成了T32 升级版本的投片工作以及面向泛视觉领域的 C 系列产品的新一版 MPW 流片。T33 主要面向消费和行业智能安防市场的终端主流应用，具有低功耗、 高性价比、 高分辨率的特点，采用异构系统，支持多模态成像，在不增加硬件成本的基础上，具备音频持续采集能力，可很好地满足客户在 AOV 市场中性能、功耗和分辨率方面的综合需求；C 系列产品可满足工业、 医疗、消费等领域对超小尺寸与极低功耗的芯片产品的需求。针对生物识别、3D 打印、高端条码识别、扫地机器人以及其他边缘计算的新兴市场机会，公司启动了 X3000 芯片的研发，该产品同时具备高性能多核异构、AI 算力和实时控制功能，为公司进一步开拓新兴市场提供了平台基础。近年来，随着 AI 模型向端侧应用的普及渗透，在个人消费类电子产品、白色家电、办公设备以及工业控制等领域，各类硬件产品对于图像识别、音频识别、人机交互、实时控制等方面有了更高的要求，需要控制芯片能够运行一定的算法，从而需要其同时具备一定的算力性能，原有 MCU 类芯片产品已不能满足这类不断增长的产品需求。针对各类硬件产品智能化需求加速涌现的市场趋势，面对巨大的 MCU 市场，2025 年，公司启动了 AIMCU 芯片产品的研发，产品样品于 2025 年四季度回片。
3）模拟与互联产品线方面，近年来，公司不断丰富车规级、工业级等高品质 LED驱动芯片的产品种类，持续进行互联芯片的技术与产品研发。2025 年，公司进行了各类不同工艺、不同种类、面向汽车和非汽车领域的矩阵式和高亮型等多类LED 驱动芯片的研发和投片等工作，并推出车规级音频功放芯片、低功耗高性能矩阵 LED 驱动芯片、高亮度 40*9 矩阵 LED 驱动芯片、 高边线性 LED 驱动芯片、车规级 6A 同步降压恒压芯片等多款模拟产品，不断丰富公司模拟产品线的产品品类；同时，公司将 LED 驱动、LIN、 CAN 、MCU 等单元整合为多功能集成的 Combo 芯片，以帮助客户降低综合成本，简化设计。针对新能源汽车的发展需求，公司进行了 BMS 芯片的研发。
（五）聚辰股份：DDR5 SPD 迎放量高峰，车规 EEPROM 开启第二增长曲线
聚辰股份为全球领先的非易失性存储芯片及存储模组配套芯片供应商，公司目前拥有存储类芯片、混合信号类芯片和 NFC 芯片三条主要产品线，产品包含 EEPROM、NOR Flash、SPD、及开环/闭环/OIS 全系列VCM 驱动芯片、NFC 芯片。广泛应用于存储模组、智能手机、汽车电子、工业控制、物联网及可穿戴设备、 白色家电、通信设备和医疗仪器等众多领域。根据弗若斯特沙利文统计，2024 年公司为全球排名第三的 EEPROM 芯片供应商， 占有全球约 14.0%的市场份额，市场份额在国内 EEPROM 企业中排名第一，并在智能手机、液晶面板等细分市场确立了全球领先者地位 ，分别占有全球约 40.3%和21.8%的市场份额。存储模组配套芯片方面，目前全球市场上的 DDR5 SPD 芯片供应商主要为公司（与澜起科技合作）和瑞萨电子， 目前公司和澜起科技已在 DDR5 SPD 领域奠定了市场领先地位。
公司是业内少数具备向行业主要内存模组厂商直接供应配套芯片资质的企业之一。自 DDR2 世代起即研发并销售内存模组配套芯片，目前拥有配套 DDR2/3/4/5 内存模组的全系列 SPD 芯片、TS 芯片产品组合。针对最新的 DDR5 内存技术，公司与澜起科技合作开发了配套 DDR5 内存模组的 SPD 芯片，并于 2021 年下半年率先通过下游客户的可靠性、稳定性、兼容性等验证，在行业主要内存模组厂商中取得大范围应用， 占据了该细分市场的先发优势。 随着 DDR5 内存模组渗透率的持续提升，以及服务器和个人电脑市场需求量的不断释放，公司 DDR5 SPD 芯片的销量和收入较上年同期实现快速增长。
公司是全球领先的非易失性存储芯片供应商，具备工业级和汽车级存储芯片供应能力。在消费电子领域，公司目前拥有覆盖 1Kb-4Mb 容量区间的全系列 EEPROM 芯片以及覆盖 512Kb-64Mb 容量区间的全系列 NOR Flash 芯片产品组合。在汽车和工业领域，公 司 目 前 已拥有覆 盖 1Kb-4Mb 容 量 区 间 的 全 系列 工 业 级 EEPROM 芯 片 与覆 盖512Kb-64Mb 容量区间的全系列工业级 NOR Flash 芯片，以及符合 A1-A2 等级标准的全系列汽车级 EEPROM 芯片和覆盖 512Kb- 16Mb 容量区间的全系列汽车级 NOR Flash 芯片产品组合。
公司是业内少数拥有完整的开环式、 闭环式和光学防抖式音圈马达驱动芯片产品组合的企业，经过多年发展，现已成为全球领先的开环式音圈马达驱动芯片供应商。当前，来自开环式驱动芯片的收入为公司音圈马达驱动芯片业务的主要收入来源。在开环式驱动芯片领域，公司相继开发了单向马达驱动芯片、单向马达驱动+EEPROM 集成芯片、双向中置马达驱动芯片、双向中置马达驱动+EEPROM 集成芯片等产品， 目前公司的开环式音圈马达驱动芯片在工作电压、算法最快稳定时间、算法最大容忍马达频率变化范围等关键性能指标方面达到行业最高技术水平。 同时，公司持续向闭环式和光学防抖式驱动芯片等更高附加值的领域拓展，2025 年，公司闭环式驱动芯片已进入部分领先品牌的智能手机厂商的相关项目进行产品的测试验证，多款光学防抖式驱动芯片搭载在行业主要智能手机厂商的中高端机型实现商用，成为产品线销售收入和毛利润增长的核心驱动力和新增长点，并有望在更为广泛的应用市场和客户群体中大批量供货。
（六）江波龙：存储模组龙头迎风启航，周期上行 + 高端转型双轮驱动
江波龙主营业务为半导体存储应用产品的研发、设计、封装测试、生产制造与销售。公司聚焦于半导体存储应用产品的全链条能力建设，形成了芯片设计（ 包括主控芯片及存储芯片）及固件算法开发、封装测试等核心能力。在存储器主营业务基础上，公司已拓展至主控芯片设计、存储芯片设计等集成电路设计领域，实现了更全面的市场布局和更深度的产业链协同，为市场提供消费级、车规级、工规级存储器以及行业存储软硬件应用解决方案。公司拥有行业类存储品牌 FORESEE、海外行业类存储品牌 Zilia 和国际高端消费类存储品牌 Lexar（雷克沙）。公司产品广泛应用于主流消费类智能移动终端、数据中心、汽车电子、物联网、安防监控、工业控制等领域，以及个人消费类存储市场。根据灼识咨询的数据，公司是全球第二大独立存储器企业及中国最大的独立存储器企业。公司旗下 FORESEE 品牌 2023 年 B2B 收入在全球独立存储器品牌中排名第五；Lexar 品牌 2023 年 B2C 收入在全球独立存储器品牌中排名第二；Zilia 品牌 2023 年收入在拉丁美洲和巴西的独立存储器中排名第一。
企业级业务实现放量增长，大幅提升公司增量空间。公司企业级存储业务规模增长明显，2025H1 ，公司企业级存储业务收入达到 6.93 亿元， 同比增长 138.66%。公司是国内少数具备“eSSD+RDIMM”产品设计、组合以及规模供应能力企业，在 eSSD 与 RIDMM产品组合基础上， 已成功点亮 SOCAMM 产品，结合 MRDIMM、CXL2.0 内存拓展模块构建了全面的企业级产品体系。公司的 eSSD 与 RIDMM 产品已成功完成鲲鹏、海光、飞腾等多个国产 CPU 平台服务器的兼容性适配，DDR5 RDIMM 产品也通过了AMD 旗下Thread ripper PRO 9000WX 系列工作站 CPU 认证，为在主流平台上的广泛应用提供了坚实的技术基础。从下游客户来看， 目前公司企业级产品已导入头部互联网企业的供应链体系中，并持续深化与多个领域知名客户的合作，将为公司业绩提升带来积极作用。
自研芯片应用加速，成长潜力进一步打开。 目前公司多款主控芯片已经实现批量应用，并成功完成 UFS4. 1 主控芯片的首次流片，成为全球少数具备该代际主控芯片自研能力的企业。依托主控芯片、 固件算法、封装测试的全栈能力，公司已与多家晶圆原厂及头部智能终端设备厂商构建了深度合作关系，以 UFS4. 1 为代表的旗舰存储产品正在批量出货前夕。 同时，公司已经实现定制化端侧 AI 存储产品在头部客户的批量出货。此外，公司还推出了 Wafer 级 SiP 封装的mSSD 产品，正在多家头部 PC 厂商加快导入。上述技术布局与深度协同机制，使公司在晶圆供应结构性偏紧的环境下，构建起了差异化的供应保障能力与成长潜力。
（七）德明利：主控 + 模组垂直整合，企业级存储引领国产替代
德明利是一家专注于存储领域的解决方案提供商，公司以集成电路设计与研发为核心技术根基，核心能力源于自主可控的存储主控芯片研发及产业化应用的长期深耕。公司经过多年积累，构建了 “硬科技+软服务”的双轮支撑体系，掌握了自主可控的主控芯片研发核心技术， 同步形成固件解决方案及量产优化工具核心技术，夯实解决方案的技术根基。在此基础上，公司持续深化 “从底层技术到终端场景”的全链路布局，以闪存主控芯片自主研发设计和存储解决方案开发为核心，推动业务模式从单纯产品销售逐步向场景化、定制化解决方案转型升级，使存储模组成为解决方案落地的重要载体，为客户提供一站式、全链路存储解决方案服务。
公司产品线涵盖固态硬盘类、嵌入式存储类、 内存条类及移动存储类四大系列， 已广泛应用于数据中心、手机、车载电子、平板、安防监控等多元应用场景。 同时，公司以客户场景为中心，结合系统设计硬件工程、创新优化固件算法、深度挖掘介质应用等方式，实现晶圆颗粒与特定应用场景的敏捷适配，保障数据存储的稳定性、安全性和兼容性，在满足产品性能、可靠性、QoS 等指标的基础上，持续提供增值特性服务，持续为全球 100 多个国家和地区的客户提供定制化、高品质、高性能的存储产品和解决方案。
企业级存储业务拓展顺利。公司企业级产品已完成飞腾生态体系合作伙伴认证，完成 OpenCloudOS、腾讯云技术兼容互认证，加入海光产业生态合作组织（ 即“光合组织”），加入中国移动 “千帆”生态联盟，成为信创工委会技术活动单位； 与飞腾、龙芯、兆芯及海光等主流国产 CPU 平台及统信、麒麟、中科方德等操作系统开展联合测试与长期生态适配。
自研主控芯片实现突破。2025 年公司自研主控芯片实现突破，新一代 SD6.0 主控芯片与基于 RISC-V 指令集的 SATASSD 主控芯片均已实现量产导入，同时多款面向高性能场景的差异化存储主控项目 已同步启动，公司研发布局已延伸至 PCIe SSD、CXL 内存控制器等前沿领域，为产品竞争力的持续领先构筑了坚实的技术底座。
加速新兴领域布局，拓展未来成长空间。公司正在加速新兴领域协同布局，在 AI与数据中心领域推出适配 AI 应用需求的固态硬盘与内存模组，深化与上游原厂、先进封装等产业链核心企业的合作，强化供应链安全保障。2025 年，公司持续推动 2023 年向特定对象发行股票募投项目落地，并基于市场变化与战略聚焦，加码 PCIe SSD 存储控制芯片及模组项目产能布局。 同时公司发布新一轮向特定对象发行股票预案，全面强化技术自主性与产业化能力，加快前次技术研发成果的产业化深化与战略性延伸，实现从技术攻坚迈入规模量产与高端市场开拓。
股权激励彰显发展信心。公司发布 2026 年股权激励计划，向 34 名董事、 高管及核心骨干授予 300 万份股票期权（ 占总股本 1.32% ，首次 241 万份、预留 59 万份） ，行权价 237.08 元/份，行权条件为 2026—2028 年公司营收分别不低于 200 亿、235 亿、 265 亿元（触发值分别不低于 180 亿、215 亿、240 亿）及个人绩效达标。本次激励计划将进一步将员工与企业利益绑定，充分调动其积极性和创造性，提升核心团队凝聚力和企业核心竞争力，实现公司、股东、员工利益一致，确保公司发展战略和经营目标的实现。
（八）佰维存储：存储及封测双轮驱动，端边 AI 共振拓宽成长边界
佰维存储主要从事半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，主要产品及服务为半导体存储器和先进封测服务，其中半导体存储解决方案按照应用领域不同又分为智能移动及 AI 新兴端侧存储、PC 及企业级存储、智能汽车及其它应用存储等。公司在存储芯片领域已形成完整产品矩阵，并持续推进 LPDDR5X、DDR5、UFS、PCIe5.0等高端存储产品的研发与量产，为嵌入式、PC、工车规、企业级等主流应用领域提供大容量、创新性存储解决方案，并获得国内外一线客户的广泛认可。公司在 AI 端侧领域已获得较好的竞争优势，通过自研主控芯片、 固件算法与先进封测能力实现差异化竞争，覆盖 AI 手机、AIPC 、AI 眼镜、具身智能等多场景。
深度渗透多领域头部客户，成长空间明确。在智能移动领域，公司产品已进入 OPPO、 VIVO、荣耀、传音控股等知名客户。在 AI 新兴端侧领域，公司产品目前已被 Meta、Google、阿里、小米、小天才、Rokid 、雷鸟创新等国内外知名企业应用于其 AI/AR 眼镜、智能手表等智能穿戴设备上。在 PC 领域，公司 SSD 产品目前已经进入联想、小米、Acer、HP、华硕等国内外知名PC 厂商；在国产PC 领域，公司是 SSD 产品的主力供应商，占据优势份额。在企业级（服务器）领域，公司产品成功进入头部 OEM 厂商、AI 服务器厂商及头部互联网企业的核心供应链体系，凭借成熟的产品矩阵，公司实现了涵盖 PCIeSSD 、 SATASSD 等产品的批量供货；此外，公司积极深化国产化生态布局，与国内企业级客户达成战略合作伙伴关系。在智能汽车领域，公司产品已成功进入 20 余家国内主流主机厂及核心 Tier1 供应商的供应链，并实现车规级存储产品的批量交付和规模销售。 目前，公司正加速推进 UFS 、BGASSD 等新一代高带宽、大容量车规级存储产品的导入与上车验证，以满足智能座舱、 自动驾驶等复杂应用场景对高性能存储的迫切需求。
AI 端侧技术与产品布局领先，构建 AI+存储综合竞争力。在 AI 端侧应用日益广泛的背景下，公司已构建完整的产品布局，致力于满足 AI 终端对大容量、高速度、低功耗和高集成度的严苛要求。公司面向AI 手机已推出 UFS、LPDDR5/5X、uMCP 等嵌入式存储产品，并已量产 12GB、 16GB 等大容量 LPDDR5X 产品；AI PC 方面，公司已推出高端 DDR5 超频内存条、PCIe5.0SSD 等高性能存储产品组合；AI 可穿戴设备方面，公司推出了高度集成的 ePOP 系列产品， 目前已被 Meta 、Google、小米、小天才、Rokid、雷鸟创新等国内外知名企业应用于其 AI/AR 眼镜、智能手表等智能穿戴设备上，其中，公司为 Ray-BanMeta 提供 ROM+RAM 存储器芯片，是国内的主力供应商。此外，公司正在布局的晶圆级先进封测制造项目，将服务于先进 DRAM 存储器、先进 NAND 存储器、存储与计算整合等领域，满足 AI 手机、AIPC、AI 眼镜等 AI 端侧对大容量存储解决方案的需求，构建 AI+存储综合竞争力。
打造领先晶圆级封测能力，抢占未来增长极。公司坚持以 “存储+ 晶圆级先进封测”为双轮驱动，向上游深度延伸， 目前已构建覆盖了 2.5D、Chiplet 、RDL 、Fanout 等多种先进封装形式，并聚焦两大核心产品线： 面向先进存储芯片的 FOMS 系列和面向存算合封领域的 CMC 系列。其中，基于 FOMS-R 工艺开发的超薄 LPDDR 产品，已成功应用于端侧 AI 手机，有效满足 AI 终端对高带宽、大容量、低功耗存储的迫切需求；CMC 系列产品能够提供多种异构集成方案，实现计算芯片与大容量存储的高效互连，为高性能边缘计算场景提供坚实支撑。 目前，公司位于东莞松山湖的晶圆级先进封测制造项目进展顺利，正按客户节奏稳步推进打样与验证工作。该项目计划在 2026 年底实现月产能 5,000片，并于 2027 年底提升至 10,000 片/月，如果客户导入顺利，预计将于 2026 年年底起正式贡献收入。通过该项目，公司将为客户交付 “存储+ 晶圆级先进封测”一站式综合解决方案，进一步强化在存算融合领域的技术壁垒与市场竞争力。
