存储系计算机数据交互核心载体，AI驱动下本轮周期持续性或更强。存储器系 计算机数据交互核心载体，半导体存储器因其存取速度快、体积小、功耗低等 优点，被广泛应用于计算机、手机、平板电脑等电子设备中，是现代计算机存 储体系的主流存储介质，2024年DRAM、NANDFlash 合计占据全球 97% 存 储芯片市场份额。存储行业作为高度技术密集与资本密集的产业，各环节技术 关联度极高，行业普遍采用 IDM 模式。由于存储产品标准化程度高，同类产 品具备很强的替代性，受行业景气度供需关系影响较大；同时存储芯片市场高 度集中，行业头部厂商在产能规划和产品定价方面步调相对一致，因而存储行 业具有较强的周期性特征，且波动幅度远大于半导体其他细分领域。当前处于 AI 主导的新一轮上行周期，从个人消费端转向AI算力基建与HBM技术革命， 企业级AI资本开支成为核心支撑，带动HBM、DDR5及企业级SSD等高端产 品需求快速增长，供需关系的结构性重塑有望使本轮周期持续性更强。
需求端：AI 推理需求爆发重塑存储需求结构，云厂商资本开支高增带动服务器 存储成为核心增长引擎，手机、AIPC 同步扩容打开行业长期成长空间。AI 推动存储器产值规模大幅增长，根据Trendforce，预估2026年存储器产值将达 到8893 亿美元，同比增长296%，预估2027年行业产值将再创高峰达1.28万 亿美元，同比增长44%。从下游应用来看，手机/PC/服务器为存储主要应用领 域，服务器端，AI服务器单机柜 HBM、NAND等存储配置容量相比传统服务 器大幅提升，2026 年全球九大云厂商资本开支预计同比增长79%至 8300 亿美 元，通过持续加强对AI基础设施投资力道，预估将带动2026年全球AI服务器 出货量同比增长28%以上，服务器端存储需求有望高增；终端层面，AI 手机、 AI PC 渗透率快速上行，端侧大模型倒逼设备标配大容量 LPDDR、UFS 与 SSD，旗舰机型内存起步 12GB、存储 256GB 起，单机搭载存储容量持续提升。 服务器、手机、PC等多线共振，支撑存储需求持续高景气。
供给端：原厂扩产趋于谨慎，中长期产能缺口或仍具刚性。全球存储格局长期 由海外垄断，2025Q4DRAM 前三厂商合计市场份额 90.5%，NAND 前五厂商 合计市场份额达89.9%；国内长鑫存储、长江存储分别突破 DRAM、3DNAND 核心工艺，份额稳步提升。行业历经 2022-2023 年大规模减产去库，2024年起 进入 AI 驱动上行周期，各大原厂主动关停DDR4、2DNAND 等低端产线，产 能优先倾斜 HBM、高端 DRAM 与企业级 NAND。2026 年行业资本开支增长 但重心聚焦制程升级而非单纯扩产，全年存储位元增量有限。中长期原厂扩产 节奏相对节制，新增产能集中于 2027 年后释放，供给约束短期仍难以缓解， 预计存储供需缺口将有望持续。
1 存储行业概况：计算机数据存储与交互的核心载体
1.1 存储器定义及分类
存储器是计算机数据存储与交互的核心载体。存储器是指利用磁性材料或半导体等 材料作为介质进行信息存储的器件。从功能定义来看，存储器通过接收CPU传输的各类 数据与程序指令，以特定形式进行存储，并在系统需要时，根据控制信号快速提取所需 信息。作为负责接收、暂存和提取数据的硬件装置，存储器能够根据CPU发出的控制指 令，快速完成数据的写入与读取操作，其存储容量、读写速度和稳定性，直接决定了系 统的数据处理效率与信息留存能力。 半导体存储器是现代存储体系的主流存储介质。存储器按照不同标准，分类形式多 样。按照与CPU连接的紧密程度及数据存取优先级，存储器可分为主存储器（内存）和 辅助存储器（外存）。其中主存储器与CPU直接相连，主要用于临时存储数据和程序， 通常由DRAM或SRAM组成，具备存取速度快的特征，但容量相对较小。辅助存储器 则用于长期存储数据和程序，如硬盘、光盘、U盘等，容量大，但存取速度相对较慢。 按照存储介质的不同，存储器可分为磁性存储器、光学存储器和半导体存储器三大类。 磁性存储器使用磁性材料作为信息载体，如硬盘、软盘、磁带等，具有容量大、价格低、 可长期保存信息的优点，但速度比半导体存储器慢。光学存储器则利用光学原理实现数 据存储，分为只读、可写一次、可重写三大类。具有抗干扰好、容量大、价格低、可长 期保存信息的优点，但容量比硬盘小，速度也不如硬盘快。半导体存储器则以半导体器 件构成存储单元，如DRAM、SRAM、Flash等。相比磁性存储器和光学存储器，半导体 存储器具有存取速度快、体积小、功耗低等优点，被广泛应用于计算机、手机、平板电 脑等电子设备中，是现代计算机存储体系的主流存储介质。
半导体存储器根据断电后数据保存情况，可分为易失性存储（RAM）和非易失性存 储（ROM）两大类
RAM即随机存储器，需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理，由 于其可以实现对数据的高速读写，通常用作操作系统或者其他运行中程序的临时数据存 储介质。根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，RAM可进一步分为动态随机存取存 储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。DRAM需要维持通电且需要周期性 刷新来维持数据，其访问速度较SRAM慢，功耗更高，但结构简单，单位面积存储密度 显著高于SRAM，因而成本相对较低。主要用作CPU处理数据的临时存储装置，目前广 泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。 ROM主要指只读存储器，无需持续通电亦能长久保存数据。根据内容写入方式可分 为MaskROM、PROM、EPROM、EEPROM和Flash等。Flash又称闪存，具备可擦除可 编程的特点，且在断电环境下能保证数据的保存完整性，其成本低、密度大，目前被广 泛应用于各种嵌入式系统中。Flash可进一步划分为NANDFlash和NORFlash，NAND Flash 存储密度远高于其他ROM，且具备存储容量大，能够实现快速读写和擦除等优点， 是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。相较于NANDFlash，NORFlash可 以直接在Flash闪存内运行应用程序，而不必再读到系统RAM中；但NORFlash写入和 擦除速度慢，因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成本效益。
半导体存储芯片构成中，DRAM与NANDFlash是主流的应用类型。根据YOLE数 据，2024年全球存储芯片市场中，DRAM市场规模占比为57%，NANDFlash市场规模 占比为40%，两者合计占据97%的市场份额，其他存储芯片中，NORFlash市场规模占 比约为1.7%。
存储芯片经过切割、封装和测试后，最终形成面向终端用户的各类存储产品，如嵌 入式存储、固态硬盘、移动存储、内存条等，以满足不同场景下的各种数据存储需求。 1）嵌入式存储产品：嵌入式存储产品是嵌入在电子设备中的存储装置，专为特定设 备的空间和功能限制而设计，主要用于存储设备的操作系统、应用程序、用户数据和固 件。这类产品包括嵌入式DRAM产品（DDR、LPDDR）、嵌入式NAND产品（eMMC、 UFS）以及嵌入式多芯片封装产品（eMCP、uMCP、ePOP），广泛应用于智能手机、平 板电脑、智能电视、物联网(IoT)设备和车载系统，对稳定性、可靠性和低功耗有很高要 求。其中，嵌入式NAND产品需要主控芯片来管理NAND闪存的读写操作，包括错误检 测与校正、磨损均衡等功能；而嵌入式多芯片封装则是指将多个具有不同功能的芯片集 成在一个封装内，以节省空间并提高集成度。 2）固态硬盘：固态硬盘是使用固态电子存储芯片阵列来存储数据的存储设备。与传 统机械硬盘相比，固态硬盘不含高速旋转的盘片，且能提供更快的数据访问速度和更好 的耐用性。根据接口的不同，固态硬盘可分为SATA固态硬盘和PCIe固态硬盘，广泛应 用于个人电脑、游戏主机、工作站和数据中心，显著提升系统响应速度。 3）移动存储产品：移动存储产品是一种以便携方式实现跨终端数据存储的电子产品， 可以方便地从一台设备移除并连接到另一台设备，用于数据传输、备份或存储扩展。它 们通常通过标准接口连接，注重便携性和易用性。这类产品包括USB闪存盘、具有高速 读写性能的移动固态硬盘以及用于数码相机和智能手机的存储卡，它们在文件传输、数 据备份和多媒体内容分发等日常和专业场景中发挥着重要作用。 4）内存条：内存条是搭载存储芯片的电路板，可提供DRAM解决方案以进行临时 数据处理及程序执行。与永久存储不同，内存条中的数据在断电后会丢失，属于随机存 取存储器。作为SoC平台与永久存储之间的数据缓冲区，其容量和速度直接影响计算机 的多任务处理能力及程序执行效率，广泛应用于计算及工业领域等。双列直插内存条 (DIMMs)是存储模块的一种主要封装形式
据弗若斯特沙利文数据，全球半导体存储产品市场规模受AI在智能设备中快速渗透 带来的存储扩容需求激增推动，从2020年的128亿块增长至2024年的138亿块。2022 年至2023年间，由于供需关系，市场规模出现短暂下跌。2020年至2024年间年复合增 长率为1.8%。预计未来五年，随着AI技术突破带来的新存储需求以及存储产品本身的 技术升级驱动，全球半导体存储产品市场规模（以出货量计）将增长至2029年的194亿 块，2024年至2029年的年复合增长率为7.1%。
1.2 存储行业产业链特征：IDM模式为主，周期性特征明显
（报告来源：财信证券。本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
