1 存储扩产周期开启，国产替代与出海共振级

1.1 全球：半导体设备需求刚性上行，存储厂商资本开支结构性上调

全球半导体市场在AI 算力需求拉动下正经历高速扩张。AI算力、新能源车、新能源产业三重高景气催生半导体增量需求，持续推高全品类芯片消耗。据WSTS数据，2025 年全球半导体市场规模已达到7964.0亿美元，同比增长26.2%；2026年全球市场规模预计将达到15112.5亿美元，同比大幅增长89.9%。AI与数据中心需求增长也驱动存储芯片市场持续扩容。2024年，全球存储芯片行业市场规模1929亿美元，同比大幅增长89.9%；2025年景气度延续上行，规模进一步攀升至2890亿美元，同比增长49.82%。受益于AI服务器和数据中心对高带宽、大容量存储的刚性需求拉动，存储芯片市场规模将持续扩张。预计2026年存储芯片市场规模将达到3775亿美元，同比增长30.6%；2030年存储芯片市场规模将达7237亿美元，5年复合增速达17.7%。

存储芯片供需失衡，价格迎来历史级上行周期。

需求端来看，AI 算力浪潮重构存储芯片需求结构，AI服务器单台DRAM搭载量为传统服务器的8‑10倍、NAND闪存用量达3倍，高端存储需求呈爆发式增长。供给端来看，三星、SK海力士将80%‑90%先进制程产能倾斜至高附加值HBM，美光亦有约70%产能转向HBM 与高端DDR5产品，通用型存储产能被系统性挤压。当前三星、SK海力士、美光三大存储原厂库存仅维持约4周，显著低于8‑12周的健康安全库存区间，处于历史低位。在供需缺口持续扩大的背景下，存储芯片价格也大幅上行。根据TrendForce数据，2026Q2，DDR5合约价预计环比上行58%‑63%，NAND闪存合约价环比上涨70%‑75%，单季涨幅创下近十年行业罕见水平，存储芯片价格正式进入强上行周期。

存储大厂资本开支持续加码，全球半导体设备投资迈入上行通道。

存储行业资本开支全面上行，直接带动半导体设备采购需求放量，行业投资正式进入增长通道。TrendForce数据显示，2025年全球DRAM资本支出537亿美元，2026年预计增至613亿美元，同比提升14%；NAND资本开支由2025年211亿美元升至2026年预计222亿美元，同比增长5%。本轮投资重心由单纯产能扩张转向工艺迭代与HBM高端存储布局，DRAM资源倾斜HBM、先进制程升级，NAND聚焦高堆叠层数适配AI存储需求。行业头部企业扩产意愿强劲，三星、SK海力士、美光2026 年合计资本支出预计达535亿美元，较2025年提升16%。存储厂商加大产线升级、高端存储产线建设力度，将持续拉动沉积、刻蚀、测试、先进封装等半导体设备订单释放，半导体设备行业景气周期具备持续性。

1.2 海外：存储龙头业绩回暖扩产提速，海外半导体设备需求持续受益

海外存储厂商营收高速上行，行业景气度逐渐兑现。美光营收由2023 年155.4亿美元增至2025 年373.8亿美元，2024、2025年同比增速分别达61.6%、48.9%；SK海力士营收体量更大，2023年为253.8亿美元，2025年攀升至672.5亿美元，连续两年同比增速超50%。随着AI 算力带动HBM、服务器存储需求爆发，叠加存储芯片价格周期上行，海外存储厂商业绩实现连续高增。盈利端修复力度强劲，高额净利润打开扩产空间。2023年行业低谷阶段美光、SK海力士均录得大额亏损，2024年双双扭亏，2025年利润进一步大幅释放。美光净利润从2024年7.8亿美元跃升至2025 年的85.4亿美元，同比增幅高达997.6%；SK海力士2025年净利润297.3亿美元，同比大幅增长121.9%。供需紧平衡下高端存储产品高毛利持续兑现，厂商盈利大幅改善，叠加HBM 长期订单锁定产能缺口，头部企业扩产意愿显著提升，持续加大先进存储产线、配套设备采购投入，全球半导体设备需求持续扩容。

.......

2 海外厂商供需错配，半导体设备国产替代迎来新机遇

2.1 海外设备交付周期历史性拉长，国产厂商迎来出海黄金窗口

元器件交期大幅拉长，半导体设备扩产需求日渐凸显。2026年全球半导体元器件供货周期显著拉长，车规32-bitMCU交期超52 周，SiC和模拟集成电路交期也高达25-40周和20-48周。供给端来看，多家龙头厂商2026年40-180nm成熟产能全年满产，叠加地缘管控和产能区域集中均约束了元器件供给；而需求端，A 算力中心、新能源电网等放量大幅消耗成熟制程功率与模拟芯片。供需错配倒逼晶圆和功率器件厂商加速扩产成熟产线与SiC产线，持续拉动半导体设备采购，中长期支撑设备行业订单与资本开支维持高景气。

海外设备交付瓶颈下，国产设备迎来出海黄金发展窗口。当前AI算力、存储扩产带动全球晶圆厂资本开支大幅上行，但应用材料、东京电子等海外头部设备企业受核心零部件短缺、产能饱和约束，主流前道、存储配套设备交付周期拉长至12–24个月，同时开启涨价，海外三星、SK海力士、美光等厂商扩产计划受制于设备供给瓶颈，迫切寻求多元化设备供应商以保障产能落地。供给缺口下海外晶圆厂主动对接国内设备企业，叠加国产刻蚀、薄膜、清洗、测试设备工艺成熟、交付效率与综合成本优势突出，国产厂商海外验证、订单落地进程显著提速。本轮海外设备交期紧缺形成中长期供需错配，为国内设备企业打开韩国、东南亚等海外增量市场，出海成为第二增长曲线，行业长期成长空间充分释放。

2.2 半导体设备国产化率低，国内厂商技术突破加速替代

半导体设备国产化分层推进，光刻、量测等环节国产替代空间大。国内半导体设备国产化进程呈现明显分化格局，清洗、刻蚀、去胶设备国产化水平领先，CMP、热处理、薄膜沉积设备近年实现阶段性突破；光刻、涂胶显影、量测、离子注入等环节技术壁垒较高，国产替代仍存较大提升空间。

研发投入持续提升，高端设备研发提速完善自主供给：

• 研发投入扩张：当前本土设备企业自主研发动力持续增强，多家厂商加码布局先进封装、高端存储配套、光刻与量测等高壁垒设备研发，意在突破海外技术垄断，加速产业链全面自主可控。2020-2025年国内半导体设备企业研发投入规模实现连年大幅攀升，行业研发总额由2020年33.1亿元增长至2025年185.8亿元，六年增长超5倍。分年度增速看，2021年同比增速高达70.2%，后续年份也始终维持25%以上的高双位数增长区间。从半导体设备企业平均研发投入来看，行业企业平均研发支出稳步上行，由2020年1.7 亿元提升至2025年7.4亿元，2024年、2025年研发投入增速分别高达39.8%、28.9%。

• 核心聚焦三大方向：一是Chiplet、HBM配套先进封装专用设备，覆盖混合键合、TSV刻蚀、高端分选测试等工艺；二是适配DDR6、HBM等高带宽存储芯片的专用CP/FT测试整机；三是光刻、电子束量测、高端离子注入等前道核心“卡脖子”装备，同步推进整机与核心零部件协同攻关。

• 企业研发核心目标直指打破海外厂商长期技术垄断与设备供给封锁，通过持续工艺迭代、晶圆厂联合验证加速产品产业化落地，循序渐进实现半导体制造、封测全流程设备自主可控，持续完善国内产业链自主供给能力，充分匹配本土晶圆厂、存储厂扩产带来的设备采购需求。