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TGV深孔溅射设备行业分析:AI算力倒逼封装材料迭代市场规模已超亿美元

日期：2026-08-09 09:46:06 来源：网络整理作者：本站编辑评论：0

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前言：当前，全球玻璃基板先进封装产业化进程正全面提速：台积电于2026年6月正式发布CoPoS方案并建成试验产线，规划2027年试产、2028至2029年大规模量产；英特尔已推出搭载玻璃基板的Xeon 6商用处理器；三星电机锁定2027年量产计划。CoPoS有望成为继CoWoS之后台积电的关键先进封装平台，TGV与RDL是核心工艺环节，预计将拉动TGV相关设备需求持续释放。据测算，仅高端ABF载板领域，TGV相关设备的存量市场规模即达数千亿元量级。在市场规模方面，2024年全球TGV深孔溅射设备市场约2.23亿美元，预计2031年将达3.15亿美元；中国TGV深孔溅射设备市场有望从2024年的0.46亿美元增长至2030年的1.15亿美元，年复合增长率达13.05%，显著高于全球平均水平。在“AI算力倒逼封装材料迭代、玻璃基板产业化从0到1”的战略窗口期，TGV深孔溅射设备作为金属化环节的关键装备，有望迎来从技术验证到产业化放量的历史性机遇。

——观研报告网

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1、玻璃基板电镀的“铺路石”，TGV深孔溅射的技术壁垒

根据观研报告网发布的《中国TGV深孔溅射设备行业发展深度分析与投资前景预测报告（2026-2033年）》显示，PVD沉积设备主要采用磁控溅射（Sputtering）技术，此技术在TGV种子层制备中又称TGV深孔溅射或深孔镀膜。其核心工作原理是在高真空腔室内通入氩气，通过高压电场电离氩气产生带正电的氩离子，氩离子在电场加速下轰击金属靶材表面，通过动量传递将靶材原子撞击出来，最终沉积在基材表面上形成薄膜。磁控溅射的关键在于靶材背后布置的强磁铁产生与电场垂直的磁场，电子受洛伦兹力作用被束缚在靶材附近呈螺旋状运动，极大延长了运动路径，提高了与氩原子的碰撞概率，从而在低气压下维持高密度等离子体，显著提升了溅射效率。该工艺具有低温成膜、薄膜致密均匀、纯度高、附着力强等优势，是当前TGV种子层沉积的主流量产技术。

磁控溅射工作原理图

资料来源：英生电子

TGV深孔溅射的技术壁垒，源于其需要突破传统物理气相沉积的极限：

TGV深孔溅射的技术壁垒

资料来源：观研天下整理

2、玻璃基板产业化提速打开TGV深孔溅射设备增量空间

AI大模型需求下，单颗芯片越来越大，Chiplet技术成为必然。要将多颗GPU/CPU芯粒高速互联，传统有机树脂基板在平整度、热膨胀和介电性能上已逼近极限。玻璃基板作为近乎完美的替代方案，正成为台积电、英特尔、三星的共识，这是TGV设备最大的市场基石。当前，全球主要半导体巨头正加速推进玻璃基板量产布局。例如，台积电于2026年6月正式发布CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）方案并建成试验产线，首批测试样机已进驻子公司采钰科技厂房，规划2027年小批量试产、2028至2029年大规模量产；英特尔已推出搭载玻璃基板的Xeon 6商用处理器，技术路线率先实现商业化验证；三星电机锁定2027年量产计划。

全球主要企业在玻璃基板领域的产线布局

企业名称	国别	产线布局	核心技术方向	产能与量产状态
英特尔	美国	美国亚利桑那州Chandler工厂（研发+中试线）	玻璃基板用于Chiplet异构集成，TGV通孔、高密度布线	全球最早布局，原型产品发布，预计2026-2030年规模量产
三星电机	韩国	韩国世宗工厂（研发线），越南（规划中）	玻璃中介层、FCBGA基板替代方案	研发加速，目标2027年前后量产，面向自身及外部客户
大日本印刷（DNP）	日本	日本本土（研发线+小量试产）	玻璃芯基板（GCS），精细TGV工艺	已小批量试产，目标2026-2027年进入规模供应阶段
Absolics	美国	美国佐治亚州Covington工厂（全球首条量产线）	玻璃基板及TGV技术，面向半导体先进封装	SKC子公司，2024年宣布全球首条量产线投产，已获美国CHIPS法案补贴
沃格光电	中国	江西新余、湖北天门等地	TGV玻璃通孔技术，玻璃基MiniLED背光基板、半导体封装载板	从显示向半导体跨越，已建成TGV量产线，在显示和封装两端齐头并进
东旭光电	中国	安徽芜湖、四川绵阳（中试线布局）	TGV玻璃基板、MiniLED背光基板	从显示基板向半导体封装基板延伸，处于研发中试阶段
康宁	美国	美国本土（研发阶段）	高平整度玻璃基板，面向先进封装	具备玻璃配方优势，尚处技术储备和客户验证阶段
旭硝子（AGC）	日本	日本本土（研发阶段）	半导体级超薄玻璃基板	计划切入封装市场，技术储备中

资料来源：观研天下整理

CoPoS有望成为继CoWoS之后台积电的关键先进封装平台，TGV（玻璃通孔）与RDL（重布线层）是核心工艺环节，预计将拉动TGV相关设备需求持续释放，超快激光设备、深孔镀膜设备等均将受益。

从设备需求空间看，行业具备长期增长潜力。据测算，仅高端ABF载板领域，TGV相关设备的存量市场规模即达数千亿元量级。

3、全球TGV深孔溅射设备行业规模不断扩大，中国市场已经超亿美元

因此，在上述因素驱动下，全球TGV深孔溅射设备行业规模不断扩大。数据显示，2023年全球半导体PVD设备市场规模大约为48.05亿美元，预计2030年将达到73.83亿美元，2024-2030期间年复合增长率为6.5%。据此可推算，2024年全球TGV深孔溅射设备市场占总半导体PVD设备市场4.29%，并将在2030年回落至4.01%。假设中国半导体PVD设备中TGV深孔溅射设备占比与全球持平，可推算2030年中国TGV深孔溅射设备市场将达到1.15亿美元，年复合增长率13.05%。