2026年中国DRAM行业市场前景预测研究报告

DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵。基本的操作机制分为读(Read)和写(Write)，读的时候先让Bitline(BL)先充电到操作电压的一半，然后再把晶体管打开让BL和电容产生电荷共享的现象，若内部存储的值为1，则BL的电压会被电荷共享抬高到高于操作电压的一半，反之，若内部存储的值为0，则会把BL的电压拉低到低于操作电压的一半，得到了BL的电压后，再经过放大器来判别出内部的值为0和1。

DRAM是现代计算设备中不可或缺的“主内存”，其核心特点是断电后数据会丢失，因此主要用于临时存储正在运行的程序和数据。

资料来源：中商产业研究院整理

近年来，中国DRAM行业受到各级政府的高度重视和国家产业政策的重点支持。国家陆续出台了多项政策，鼓励DRAM行业发展与创新，《电子信息制造业2025-2026年稳增长行动方案》《关于推动未来产业创新发展的实施意见》《算力基础设施高质量发展行动计划》等产业政策为DRAM行业的发展提供了明确、广阔的市场前景，为企业提供了良好的生产经营环境。具体情况列示如下：

资料来源：中商产业研究院整理

1.全球市场规模

近年来，全球DRAM市场规模快速扩张。中商产业研究院发布的《2026-2031中国DRAM（动态随机存取存储器）行业深度分析及发展趋势研究预测报告》显示，2024年全球DRAM市场规模从2021年的1025亿美元增长至2025年的1469亿美元，年均复合增长率达9.4%。中商产业研究院分析师预测，2026年全球DRAM市场规模将达1961亿美元。

数据来源：弗若斯特沙利文、中商产业研究院整理

2.中国利基DRAM市场规模

中商产业研究院发布的《2026-2031中国DRAM（动态随机存取存储器）行业深度分析及发展趋势研究预测报告》显示，中国是全球利基DRAM市场中最大的市场，2024年中国利基DRAM市场规模达379亿元，占全球市场的60%以上。2025年市场规模约达395亿元，中商产业研究院分析师预测，2026年中国利基DRAM市场规模将进一步增长至438亿元。

数据来源：弗若斯特沙利文、中商产业研究院整理

3.竞争格局

受益于ASP增长与服务器DRAM优势，三星2026年第一季度营收环比大增93.4%至373.2亿美元，市占率升至38.5%，排名第一。SK海力士凭借最高的HBM出货比重，营收达279.8亿美元，环比增长62.5%，市占率28.8%位居第二。美光营收环比增长81.6%至217.5亿美元，市占率稳定在22.4%。南亚科技与华邦电子则填补前三强制程转换后的空缺，市占率分别为1.6%和0.6%。

数据来源：TrendForce、中商产业研究院整理

4.下游应用情况

目前，DRAM应用市场中，服务器需求独占50%，是DRAM第一大市场；手机、个人电脑、智能汽车需求占比依次为28%、13%、2%。

数据来源：Omdia、中商产业研究院整理

1.长鑫存储

长鑫存储已成长为全球第四、中国第一的DRAM厂商，正通过产能、技术与资本三轮驱动，从市场挑战者向全球DRAM行业的战略玩家迈进。产能上，公司正处于持续高速扩张阶段，月产能已从早期的数万片快速跃升至数十万片级别，并计划在未来几年内将总产能提升至足以比肩行业前列的水平；技术上，通过“跳代研发”策略，已快速实现从第一代到第四代工艺平台的全线量产，其DDR5与LPDDR5X等产品速率已达国际主流领先水平；产品上，已全面覆盖DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X等全代际产品，并提供晶圆、芯片、模组等多元化业务模式；资本上，公司于2026年完成科创板IPO，成功募资数百亿元，为工艺迭代与前沿技术研发注入强大动力；长期愿景上，公司计划在2030年前后进一步扩充产能，并以跻身全球市场重要一极为目标，致力于实现超过10%的全球市场份额。

2.兆易创新

兆易创新专注利基型DRAM设计，2026年计划自研LPDDR4X量产并启动LPDDR5小容量研发，由长鑫存储代工，深耕工业控制、电力设备、消费电子配套等细分领域，2025年利基型DRAM营收同比增长50%。

2026年一季度，兆易创新营业收入为41.88亿元，同比增长119.38%；归母净利润为14.61亿元，同比增长522.79%。2025年主营产品包括存储芯片、微控制器、传感器、模拟产品、技术服务及其他收入，营收占比分别为71.34%、20.75%、4.23%、3.62%、0.05%。

数据来源：中商产业研究院数据库

数据来源：中商产业研究院数据库

3.北京君正

北京君正集成电路股份有限公司的主营业务是集成电路的设计、开发及产业化，包括处理器芯片及平台式解决方案的研发。公司的主要产品是存储芯片、计算芯片、模拟与互联芯片。

2026年第一季度实现营业收入15.6亿元，同比增长47.17%；实现归母净利润3.19亿元，同比增长331.08%。2025年主营产品包括存储芯片、计算芯片、模拟与互联芯片，营收分别占整体的61.41%、27.28%、10.67%。

数据来源：中商产业研究院整理

数据来源：中商产业研究院整理

4.东芯股份

东芯半导体股份有限公司的主营业务是半导体芯片的研发、设计和销售，提供半导体芯片相关的开发服务和产品技术支持。公司的主要产品是NANDFlash、NORFlash、DRAM、MCP、技术服务。东芯股份聚焦中小容量利基型DRAM设计，产品包括DDR3、LPDDR1/2等，由韩国子公司Fidelix和中芯国际/力积电代工，2024年DRAM收入6685万元同比增长43.5%，正研发8Gb LPDDR4X，应用于物联网、可穿戴、网络通信等场景。

2026年第一季度实现营业收入4.79亿元，同比增长237.32%；实现归母净利润1.38亿元，同比增长333.9%。2025年主营产品包括NAND、MCP、DRAM，营收分别占整体的65.20%、25.05%、5.84%。

数据来源：中商产业研究院整理

数据来源：中商产业研究院整理

5.紫光国芯

紫光国芯（西安紫光国芯半导体）是中国大陆唯一拥有自主DRAM设计能力的存储芯片设计公司，其技术源自2006年德国奇梦达（Qimonda）破产时收购的DRAM研发团队和专利资产，目前产品覆盖SDR、DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2、LPDDR4及GDDR6等全系列标准型DRAM，以及车规级、工规级特种存储器，工艺节点从110nm演进至20nm以下，HBM存储芯片处于样品系统集成验证阶段，主要面向工业控制、汽车电子、网络通信、消费电子等利基市场，是国内特种DRAM品种最齐全、技术传承最完整的供应商。