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【财报研读】利润暴增18倍VS股价暴跌18%:三星和SK海力士最新出炉

   日期:2026-07-30 16:55:38     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
【财报研读】利润暴增18倍VS股价暴跌18%:三星和SK海力士最新出炉

7月30日,三星电子交出了一份让整个半导体行业侧目的成绩单——第二季度营业利润89.49万亿韩元,同比增长1813.8%。半导体部门一家就贡献了89.2万亿韩元,占公司总营业利润的99.7%。这个数字有多夸张?它甚至超过了英伟达和苹果的历史最佳单季业绩。

但就在前一天,SK海力士的财报发布却引发了截然不同的市场反应——营收79.32万亿韩元、营业利润60.54万亿韩元,双双创下历史新高。然而,由于两项数据均不及分析师预期,公司股价一度暴跌逾18%。

同一赛道、同一时期,两份“历史最佳”财报,换来的却是一个掌声、一个却是巴掌。

HBM的“胜利”

也是HBM的“陷阱”

先看SK海力士。作为全球最大的HBM供应商,它几乎把所有筹码都押在了AI这辆战车上。HBM4已在第二季度启动量产出货,HBM4E样品也已送样。从技术领先性来看,SK海力士没有任何问题。

但问题恰恰出在“太领先”上。有分析指出,SK海力士在AI数据中心所用高端内存芯片领域的业务占比高于竞争对手,这意味着它在传统内存芯片价格强劲上涨时获益较少。

换句话说,当通用DRAM的利润率反超HBM时,重仓HBM反而成了拖累。

这是一个极为反直觉的现象。在整个行业都在追逐HBM的时候,SK海力士却因为HBM占比过高而“踏空”了通用DRAM的涨价红利。

而通用DRAM二季度环比涨幅约为30%,NAND约为50%至60%。再加上SK海力士已与约10家主要客户签订了长期供应协议,锁定了相当比例的销售价格,削弱了从现货价格上涨中获取超额收益的弹性。

这是一场“结构性错配”——技术路线的选择与市场当下的利润分布出现了偏差。

三星为什么赚翻了?

通用内存才是隐藏赢家

这一轮存储超级周期,核心驱动力是AI数据中心的爆发式需求。但很多人可能没意识到,涨价最猛的不是HBM(高带宽内存),而是通用DRAM和NAND闪存。

根据TrendForce的数据,2026年一季度DRAM合约价环比涨了80%-95%,二季度又涨了58%-63%;NAND闪存更夸张,二季度涨幅扩大到70%-75%。

64GB DIMM内存的价格,从2025年三季度到2026年一季度就涨了3.5倍,预计到三季度累计涨幅将达到5倍。

为什么通用内存涨得这么凶?因为AI服务器不仅需要HBM,还需要海量的通用DRAM做系统内存。一台AI服务器的DRAM消耗量,是传统服务器的8到10倍。据集邦咨询数据,2026年全球DRAM总需求里,AI服务器相关需求占比突破53%,首次超越手机、PC等所有消费电子的总和。

而三星在通用DRAM市场的份额是38.5%,全球第一。HBM市场它虽然只排第三(约21%份额),但架不住通用内存盘子大、涨得猛。更关键的是,三星的产能弹性大,当AI需求爆发时,它可以快速把传统DRAM产能转向高利润的服务器DRAM。这一波涨价潮,三星吃了个满嘴流油。

 “几家欢喜几家愁”

三星手机的至暗时刻:同族相残

如果说三星半导体部门赚的盆满钵屋,那三星手机部门的处境就真的有点惨了。

Q2三星MX部门(智能手机)录得7000亿韩元的营业亏损——这是自2009年全球金融危机以来,三星移动部门首次季度亏损。

亏损的原因也算是搬起石头砸自己的脚:内存涨价。让三星半导体部门赚翻的内存涨价,却反手把三星手机部门给干亏了。

因为DRAM和NAND闪存是智能手机的核心组件,价格飙升直接推高了BOM成本。而手机市场竞争激烈,尤其是中国厂商在中低端市场打价格战,三星不敢随便涨价——涨了就卖不动。

更尴尬的是,三星内部DS部门和MX部门的关系已经从"协作"变成了"同族相残"。DS部门把高利润的AI/HBM产能视为宝贝,给自家手机部门的报价跟外部客户没区别——不给长约、不保供应、按季度宰价。说白了,在AI存储超级周期面前,亲儿子也得按市场价来。

而在中国市场,三星手机的处境更加艰难。IDC数据显示,2026年Q2三星在中国智能手机市场的份额已经降到0.1%——一百台新手机里卖不出半台,基本可以忽略不计了。

算力决定AI的上限,存力决定AI的效率。现在上限还在不断刷新,但效率的天花板已经隐约可见了那么,问题来了,这轮存储涨价会持续多久?

SK海力士CEO郭鲁正的说法是,内存短缺可能持续到2030年之后。这话听起来有点夸张,但如果AI需求真的保持现在的增速,也不是不可能。

不过市场显然没那么乐观。SK海力士股价的暴跌,某种程度上也反映了投资者的担忧:AI存储的盛宴还能持续多久?资本支出大增会不会导致未来产能过剩?

随着生成式AI进入规模化落地阶段,大模型训练与推理对存储性能、容量、架构的需求持续攀升,存储正从被动的数据容器,升级为驱动AI产业发展的核心底座。

在此背景下,以“存力跃迁,AI破局”为核心主题的2026全球闪存峰会(Flash Memory World 2026),将于2026年8月26日在中国武汉正式举办。本届峰会由 DOIT 传媒、华中科技大学计算机科学与技术学院、华中科技大学集成电路学院联合主办,汇聚全球存储产业链力量,全面呈现闪存技术前沿突破与 AI 时代的产业新图景。

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