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报告总结：
首次将半导体光刻技术引入太阳电池制造工艺环节，针对BC和TOPCon电池图形，对光刻工艺、光刻胶及光刻机进行设计；
TOPCon poly finger完成研发和大试：RCA刻蚀深度减少、poly finger宽度减少、poly-Si厚度增加，能够进一步提升电池效率；60万片大试，电池效率达到26.80%-26.89%，提升幅度为0.10%-0.18%；
TBC电池光刻完成研发和中试：光刻图形非常规则，光刻胶对PSG和BSG保护性较高，p和n区域线形边缘光滑度高；光刻BC中试：光刻p+-poly和n+-poly，因无损开膜，效率提升0.10%-0.20%；
BC电池效率28%提升路线：基于光刻技术，提出效率从27%提升至28% Roadmap包含5个核心提效方案，光刻实验室实现13 um的极限宽度，能够满足BC后续提效需求。
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