AI 算力驱动光互连升级，磷化铟全产业链从"材料瓶颈"走向"价值重估"：随着 800G 光模块规模化部署、1.6T 加速导入、CPO/SiPh 在下一代 AI 集群中从样品向量产迁移，磷化铟（InP）作为唯一可支撑 1310/1550nm 长距高速单模发射的直接带隙 III-V 材料，其战略地位从"光通信衬底"跃升为"AI 基础设施卡脖子环节"。2025 年全球 InP 器件需求约200万片，实际产能仅约60万片，供需缺口超50%，且扩产周期长、良率爬坡慢、上游铟资源伴生于锌矿，供给弹性极弱。我们认为：
1）上游铟资源"伴生+管制"双重约束，纯度瓶颈卡住产业链咽喉。全球90% 原生铟来自锌矿副产，中国精炼产量占全球约70%；2025年2月商务部对磷化铟等材料实施出口管制后，东西铟价脱钩，6N级以上高纯铟提纯（电解—真空蒸馏—区域熔炼多段工艺）进一步制约衬底端原料可得性，上游稀缺性正向中游传导。
2）中游衬底寡头垄断格局稳固，6英寸升级+扩产周期是核心。衬底市场份额更小，但其技术壁垒和市场集中度远高于外延：衬底制造是从0到1的结晶过程，核心难点在于：1）核心瓶颈在上游，衬底制造严重依赖6N级（99.9999%）以上的超高纯铟；2）长晶工艺极难，InP单晶生长需在高温高压下进行极端环境控制，且扩产周期较长，设备交期和良率爬坡极慢；3）高度寡头垄断：全球InP衬底住友（42%）、AXT/北京通美（36%）、JX日矿（13%）三家合计垄断>90%份额。住友大阪工厂预计扩产3倍、AXT募资6.325亿美元扩产，缺口填补可期。而外延是在衬底上生长薄膜，其较衬底而言，市场集中度更低、市场份额更高。因此，我们认为，磷化铟衬底作为产业链最上游的制造环节，是当前技术壁垒最高同时供需最紧张，也是当前AI光模块链中最为卡脖子的一环。
3）下游EML短缺倒逼技术路径分化，InP在光源侧不可替代性强化。光芯片沿EML（现行）→CW+SiPh（高速发展）→CPO+ELS（2026–2028）→硅基单片III-V（2030+）四代演进；EML被NVIDIA等锁产能、交付延至2027年后，800G供需缺口40–60%，驱动CW+SiPh加速渗透，但CW的InP基底仍依赖住友/AXT，InP需求不减反增。
4）产业链利润向"衬底/外延+高端光芯片"双集中，垂直整合厂商议价权放大。衬底技术壁垒、厂商集中度最高；外延因MOCVD可采购而分散，但定制化程度高、客户粘性强；下游EML/CW/UHP芯片与CPO ELS模块ASP具备2–3倍弹性。拥有InP长晶+外延+芯片+模块全栈能力的IDM（Lumentum、Coherent）与衬底材料龙头（住友、AXT/通美）将享受缺口溢价。
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（报告来源：中国银河证券。本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
