SiC MOSFET 的应用领域非常广泛，包括电动车充电站、光伏逆变器、电机驱动等。大多数应用可归纳为几种基本拓扑，这些拓扑有助于确定长期应用试验。下表列出了最主要的基本拓扑结构。
长期应用试验就是"让器件在真实电路里跑半年到一年"，不是按标准可靠性条件进行试验，而是按实际拓扑、实际工况进行测试，看看长期开关运行后会不会出问题。
重点聚焦于硬开关拓扑，因为它们通常对功率半导体要求最严苛。英飞凌开发了多套测试台，可对上述每种拓扑中的SiC MOSFET施加应力，这些测试台使器件能在模拟真实应用条件下运行。
可靠性试验的典型时长从1000小时延长至6-12个月，以便更深入地了解器件在接近数据手册极限条件下的长期行为。
例如，为验证开关条件下漏源电压与负栅极电压的组合是否带来额外影响，进行了静态负栅压VGS,low=-5V的测试，这是因为在高开关频率下会出现栅极电压下冲，其瞬态VGS低于数据手册给出的-10V限值，试验条件见表7，该试验已运行超过7000小时，除第4.2节所述的VTH和RON漂移外，未见其他退化迹象，相关数据见图58。除芯片参数外，试验中使用的EASY模块（商用型号FF8MR12W1M1H_B11）在试验期间也未出现退化，图59给出了被测模块的SAM图。
请注意，该试验不会导致与功率循环试验相当的焊料老化，因为测试台在两次读数之间是连续运行的。在这些接近实际应用条件的试验中，我们的SiC MOSFET未显示热载流子注入迹象，也未出现任何系统性的寿命终期 (EOL) 机制。
文献给出了一个示例：对器件施加数百万次幅值为6倍额定电流 (Inom) 的脉冲，也未触发任何形式的退化。图60给出了一些典型开关波形，更多信息可参阅相关论文。
本公众号内容基于英飞凌2025年10月发布的《英飞凌如何控制和保证基于SiC的功率半导体器件的可靠性白皮书》进行整理、分析与解读，版权归原作者所有，本文仅作学术交流与技术讨论，不构成对原文的实质性替代，详细内容请阅读原文，如有不当引用请联系删除。
