1、项目概况
本项目的实施主体为苏州东微半导体股份有限公司，实施地点位于江苏省苏州市。总投资为32,918.00万元。本项目拟在苏州市建设新一代研发中心，项目计划建设期36个月，是公司夯实研发基础设施、系统性提升核心技术创新能力的关键举措，核心目标是构筑覆盖“器件设计—封装验证—模组开发—系统测试”全链条的研发能力体系，为公司从功率器件向“功率器件+功率管理控制芯片”双轮驱动战略升级提供坚实的研发基础支撑。
2、项目实施的必要性
（1）系统性提升器件可靠性验证能力，突破车规级认证瓶颈
第三代半导体器件是公司本次新型功率器件项目的核心技术方向，也是公司未来业务增长的关键引擎。然而，第三代半导体器件因其宽禁带材料特性和高频高压应用场景，对可靠性测试提出了远高于硅基器件的严苛要求，包括更宽温度范围下的功率循环测试、更高电压等级下的高温反偏测试、更长时间的高温高湿反偏测试等。
目前，公司在SiC器件的车规级可靠性测试方面对外部第三方测试机构依赖度较高，测试排期受限于外部资源、验证周期较长，而且在产品开发初期快速迭代阶段的测试灵活性不足。通过扩充CNAS标准可靠性实验室并配置DHTOL、HTFB、PC、H3TRB、HAST、双脉冲测试等关键设备，公司将具备覆盖器件全参数、全工况的车规级可靠性自测能力，有效突破车规认证瓶颈，加速产品在整车客户端的导入进程。
（2）填补封装测试环节空白，加速新产品产业化周期
作为采取Fabless模式的功率器件设计公司，新产品在晶圆制造完成后，需通过封测厂进行封装试制和初步测试，受封测厂产线排期、产能分配及技术沟通效率等因素影响，单次封装验证周期往往需要数周甚至更长时间，若验证结果不理想则需要多轮迭代，显著延长了新产品的研发周期。
本项目的快速封装验证产线建设，将使公司在内部完成从晶圆减薄、划片、焊接、键合到塑封、测试的全流程封装验证，实现“当天设计、当天封装、当天测试”的快速迭代能力。这不仅将大幅缩短新产品从设计定型到量产导入的周期，降低对外部封测资源的依赖和试错成本，更将显著提升公司对下游客户需求的快速响应能力，在竞争日益激烈的功率半导体市场中建立时间优势。
（3）构建模组级研发能力，支撑高密度功率模组业务拓展
功率模组是公司产品向高附加值方向延伸的核心方向，也是公司从单一器件供应商向系统级方案提供商转型升级的关键载体。随着数据中心电源和新能源汽车电驱系统对功率密度的要求持续提升，功率模组的设计复杂度不断增加，研发过程中对模组级仿真、测试和验证能力的需求日益迫切。
目前，公司的功率模组研发在模组级热管理测试、电磁兼容验证和系统级可靠性评估等方面仍存在一定短板，研发效率和验证充分性有待提高。本项目通过建设模组实验室，配备模组设计仿真平台、热管理测试系统、电磁兼容测试系统及可靠性验证设备，有助于显著提升功率模组产品的研发效率、技术水平和市场竞争力，为公司功率模组业务的规模化发展提供有力支撑。
（4）升级研发基础设施，增强核心人才吸引力
研发人才是功率半导体设计公司的核心资产，先进完善的研发测试基础设施是吸引和留住高端研发人才的关键条件。当前，公司在功率器件设计、第三代半导体器件开发、控制芯片设计等方向持续加大研发投入，研发团队规模快速扩充，对研发实验场地、测试设备和仿真平台的需求持续增长。现有的研发办公空间和测试场地容量已趋于饱和，部分先进测试设备尚待补充配置。
通过本项目的实施，公司将扩充高标准的CNAS可靠性实验室、封装验证产线和功率模组、IC功率器件合封模组实验室，同时完成研发场地的扩容升级。良好的研发环境和先进的实验条件将显著增强公司对高端技术人才的吸引力，为公司在功率半导体领域持续保持技术竞争优势提供坚实的人才保障。
3、项目实施的可行性
（1）企业自身实力雄厚，为研发中心建设提供坚实保障
公司作为国内领先的功率器件设计企业，在资金实力、客户资源、管理能力等方面具备开展本项目的坚实基础。在资金层面，截至2025年末，公司总资产311,924.89万元，归属于上市公司股东的净资产295,660.43万元，资产负债率仅5.72%，财务状况稳健，具备充足的资金保障能力支持本项目的建设投入。
在客户资源层面，公司深耕高性能功率器件领域多年，已积累较为丰富且优质的客户资源，并与下游新能源、光伏储能、数据中心、工业电源、消费电子等领域客户建立了稳定合作关系。上述客户群体应用场景多元、产品迭代需求持续，为研发中心的测试能力布局和研发方向选择提供了明确的市场导向，也保障了研发成果的高效产业化转化。
在管理层面，公司于2022年2月在上海证券交易所科创板上市，建立了完善的法人治理结构和内部控制体系，具备规范的研发管理、财务管理和项目管理能力，能够有效统筹推进研发中心建设、设备采购、人才招聘等各项工作的开展。
（2）技术基础扎实，具备研发平台建设与运行的核心能力
公司长期深耕高性能功率器件研发，在超级结MOS、屏蔽栅MOS、原创Tri-gateIGBT、SiC宽禁带半导体领域形成多项独家器件结构与工艺专利，搭建覆盖多电压等级、多应用场景的完整产品研发平台，配套自有可靠性测试实验室保障新品快速验证落地。公司多品类器件拥有原创核心技术，产品矩阵全覆盖高端高景气赛道，核心研发团队具备国际一线半导体企业产业化经验，持续强化差异化技术壁垒与产品商业化转化能力。
在研发团队方面，公司拥有一支高素质的技术研发团队，核心技术人员均具有丰富的功率器件设计、工艺开发和测试验证经验。截至2025年末，公司研发人员数量较上年同期增长13.04%，研发人员平均薪酬较上年同期增长18.09%，持续研发投入和团队扩充为项目实施提供基础，为研发中心的建设和运行提供了有力的技术人才支撑。
在标准认证方面，公司对CNAS实验室认证标准和质量体系要求有深入了解，具备按照CNAS标准建设和管理可靠性实验室的能力。在封装技术方面，公司在高密度功率模块封装领域已积累了先进封装技术经验，为快速封装验证产线的建设提供了技术基础。在模组开发方面，公司的高密度功率模块产品已在算力服务器电源、车载OBC等应用领域逐步量产，积累了丰富的模组设计、测试和应用经验，为模组实验室的建设提供了直接的技术储备。
（3）市场需求旺盛，为研发成果转化提供广阔空间
本项目对应的研发能力提升方向均具有旺盛的下游市场需求和广阔的发展前景，为研发成果的快速产业化提供了坚实保障。
在可靠性测试方面，随着数据中心电源对功率器件长期工作寿命要求的提升，以及新能源汽车800V高压平台对车规级SiC器件可靠性的严苛要求，具备CNAS认证资质的自建可靠性测试能力将直接服务于公司新产品的客户认证和导入进程。公司现有客户群体对供应链自主可控的要求日益提高，具备车规级可靠性自测能力的供应商在客户导入过程中将具有显著的竞争优势。
在封装验证方面，快速封装验证能力的建设将直接支撑公司多产品线（超级结MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT、TGBT等）的快速迭代开发。据行业趋势判断，功率器件产品迭代周期正在缩短，快速封装验证能力将成为提升新产品上市速度的关键竞争要素。
在功率模组方面，根据QYResearch数据，2024年全球数据中心用功率半导体器件市场规模约为5.34亿美元，预计2031年将达到12.40亿美元，2025-2031期间年复合增长率为11.0%，其中电源供应单元和电压调节模块占数据中心服务器功率半导体需求的比重较高。公司高密度功率模块产品线已在算力服务器电源、车载OBC、主驱电控等领域逐步量产，模组实验室的建成将进一步提升公司功率模组产品的技术水平和迭代速度，充分受益于下游市场需求扩张。
（4）政策支持有力，为研发中心建设提供良好环境
我国及地方政府高度重视半导体产业的高质量发展，出台了一系列针对性扶持政策，为公司建设研发中心提供了良好的政策环境。在国家层面，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》将集成电路列为重点突破领域，《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》从财税、投融资、研究开发等多维度对集成电路企业给予系统性支持。工业和信息化部等五部门印发的《制造业可靠性提升实施意见》明确支持企业加强可靠性测试能力建设，提升核心基础零部件和元器件的可靠性水平。
在地方层面，苏州市作为我国集成电路产业的重要集聚区，先后出台了多项支持半导体产业创新发展的政策措施。苏州工业园区作为国家级经济技术开发区和高新技术产业开发区，在研发创新载体建设、高端人才引进、研发投入补贴等方面具有完善的扶持政策体系。公司作为苏州本土培育的科创板上市企业，能够充分享受地方政策红利，有效降低研发中心建设成本，提升项目整体效益。
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