刚刚，全球存储芯片原厂三星发布财报预告，三星电子第二季度销售额171.00万亿韩元，同比增长129%，预估169.23万亿韩元，上年同期为74.6万亿韩元；第二季度营业利润89.40万亿韩元，同比增长1810%，预估84.2万亿韩元，上年同期为4.7万亿韩元。标志着三星连续第三个季度创下营业利润纪录。
不久前，三星电子会长李在镕表示，随着人工智能相关芯片需求持续爆发，当前公司产能已不足以满足市场需求，公司正考虑在韩国光州建设新的投资基地。该公司还在近期正式宣布了其投资计划，总额高达2655万亿韩元，其宣布将在韩国京畿道中部的龙仁市和西海岸中部平泽市的半导体产业集群投资2030万亿韩元。
韩国政府最近宣布了存储扩产计划，计划未来15年投入30万亿韩元研发下一代存储技术，加快打造覆盖存储制造、先进封装及半导体材料设备的完整产业链。他补充道，政府将通过将新建晶圆厂的建设进度提前最多12年，从2040年代中期至2030年代中期，来帮助企业加快半导体投资。此外，这位韩国官员还表示，预计五年内将DRAM生产能力翻倍，预计全球内存市场将在5年内增长四倍。
三星的盈利能力如此强悍，这主要是存储芯片的贡献。随着市场对人工智能服务器需求持续增长，DRAM、NAND和高带宽内存（HBM）的价格大幅上涨，迅速恢复了三星半导体业务的盈利能力。
近日，有消息称三星电子拟将今年第三季度DRAM(动态随机存取存储器)的平均售价，环比上一季度提高20%。如果按这个消息属实，半导体芯情预估，三星三季度的利润仍然可以创造一个新的高度，存储行情仍在继续。这将是三星电子连续第三个季度大幅上调DRAM价格。2026年第一季度，DRAM价格环比上涨约90%；第二季度继续上涨50%至60%。两个季度累计涨幅已超过2倍。其中，LPDDR（低功耗内存）因能效优势被AI加速卡广泛采用，需求膨胀更为显著，涨幅持续高于通用DRAM。若此次涨价最终落地，意味着三星电子今年以来的累计涨价幅度将达到340%左右。价格快速上涨的背后，是全球存储市场供需缺口的持续扩大。自2024年底以来，在AI算力需求拉动下，DRAM与NAND Flash现货价格均进入快速上行通道。数据显示，DDR4（8Gb）从2024年底到2026年6月涨幅超过17倍，DDR5（16Gb）从2025年11月至2026年6月底涨幅约4.9倍。世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2026年全球存储芯片市场规模将突破8000亿美元，涨幅高达249.5%。
对于存储芯片走势，分析师认为，从2025年下半年开始，三星、海力士和美光已开始对存储芯片扩产投资，其中三星电子在韩国平泽和龙仁开发区的投资超过1700亿美元，海力士在清州和龙仁的投资超过700亿美元，美光在美国爱达荷和纽约等地的扩产投资接近2000亿美元。这些产能正常情况下将在2027年至2028年逐步大规模释放。在未来存储产能可能倍增的预期下，下游大客户仍愿意签署到2030年的带有履约责任的长期合同，这在一定程度上反映出下游客户对AI需求驱动下的存储需求增长较为乐观且确定。同时，长期合约覆盖面的增加也使存储需求和价格的波动性有所降低。业内普遍认为，AI基建驱动的存储短缺局面或持续至2027年，部分国产厂商已通过签订长期采购协议应对供应链波动。
随着Anthropic PBC的Claude、OpenAI的ChatGPT等大型人工智能系统对高性能存储芯片需求激增，行业供需关系迅速收紧。供应紧张直接推升价格，并显著改善厂商盈利能力。摩根大通研报指出，AI带来的产业红利已开始向CPU、DRAM、HBM以及企业级SSD全面扩散，本轮存储超级周期将"更高、更长"，预计全球存储TAM将从2025年的2140亿美元飙升至2028年的1.68万亿美元，DRAM收入2028年有望达1.23万亿美元；CPU已成新一轮存储上涨核心催化剂。汇丰控股数据显示，4月至6月期间，DRAM平均售价较前一季度上涨超过40%，NAND价格涨幅超过50%。价格的快速上行不仅提升了三星电子和SK海力士（SK Hynix Inc.）的利润率，也促使AI企业开始寻求多元化供应来源。在产能扩张方面，三星集团计划在韩国西南部新建晶圆厂，总投资规模约800万亿韩元，以应对需求增长。同时，据The Information援引知情人士消息，Anthropic正与三星洽谈，考虑由其代工定制AI芯片。
三星不只是上半年赚得多，有机构预估未来几年三星利润仍然可观。UBS瑞银估算了三星26年到29年的营收及利润情况，预计三星今年的运营利润大约是441万亿韩元，27年837万亿韩元，28年达到902万亿韩元，29年因为毛利下降，运营利润会降低到632万亿韩元。
存储芯片的行情近乎疯狂，涨价幅度历史罕见。数据显示，2026年上半年的存储芯片行情，正在不断刷新市场认知。如果说一季度DRAM环比暴涨93%-98%已令人震撼，那么二季度的数据更让人瞠目——消费级LPDDR5X 12GB内存颗粒价格较一季度大涨89%，LPDDR4X 4GB上涨75%，SSD均价上涨约50%，UFS闪存涨幅最高达100%。集邦咨询数据显示，2026上半年NOR Flash合约价平均累积涨幅达100%-120%，单层单元NAND闪存涨幅更是高达130%-150%。本轮涨价的底层逻辑已发生质变。海外存储三大巨头将70%-80%的先进产能用于生产HBM、高端DDR5等AI产品，流向消费领域的产能占比不足两成。美光直言DRAM供应紧张将延续至2027年以后，2028年才有机会改善。摩根士丹利6月研报更是指出，短缺局面或至少持续至2028年，打破此前“2027年缓解”的预期。三星表示客户已开始预定2027年产能，认为2027年供需缺口将进一步扩大。
下半年方面，根据TrendForce最新存储器价格调查，2026年第三季整体DRAM格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基期作用，合约价涨幅收敛，预计将季增13-18%。NAND Flash主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预估整体NAND Flash合约价将季增10-15%，幅度较前几季明显缩减。
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