1 AI 需求驱动材料革新，玻璃基板迈入产业化拐点
需求加速迭代催生下一代技术，玻璃基板发展正当时。玻璃基板是新一代先进封 装的重要技术路线，其核心逻辑在于以特种玻璃材料替代传统有机封装基板中的 有机核心材料（如 ABF、BT 树脂等），从而提升芯片封装的互连密度、信号传输性 能及大尺寸封装稳定性。
随着 AI GPU、高性能计算（HPC）、Chiplet 及 CPO 等技术快速发展，先进封装正 朝着更大面积、更高带宽、更低功耗方向演进，传统有机基板在热膨胀系数、翘 曲控制、布线密度及高频性能等方面逐渐接近物理极限，而硅中介层又存在成本 高、尺寸受限等问题，行业亟需新的封装载体材料。在此背景下，玻璃基板凭借 低热膨胀系数、高平整度、低介电损耗及高尺寸稳定性等优势，被视为下一代先 进封装的重要方向。相较传统 ABF 载板，玻璃基板可支持更高密度布线及更大尺 寸封装，并有效降低高速信号传输损耗，尤其适用于 AI GPU、HBM、Chiplet 及 CPO 等高算力场景。
科技巨头加速入局，产业逐步进入量产阶段。作为下一代先进封装的重要技术方 向，玻璃基板已获得英特尔、台积电、三星等全球半导体龙头的重点投入。目前 行业整体已由前期技术验证阶段逐步进入中试验证及产能建设阶段，量产时间表 逐渐清晰。其中，英特尔产业化推进最为积极，目标于 2030 年前后实现规模化应 用；三星电机计划于 2026—2027 年推动量产落地；台积电则积极推进玻璃基板与 面板级封装技术融合，探索下一代先进封装解决方案。整体来看，随着头部厂商 持续投入及产业链逐步完善，玻璃基板正从实验室研发阶段向工程化验证及商业 化应用阶段过渡。
英特尔：是玻璃基板领域最激进的推动者。自 2023 年 9 月率先发布先进封装 玻璃基板计划以来，英特尔已投资 10 亿美元在亚利桑那州建设研发产线， 2026 年 1 月在 NEPCON JAPAN 展示 Glass Core Substrate 原型，同时，新墨 西哥州 Rio Rancho 工厂（Fab 9）或瞄准全球首座玻璃基板量产基地，商业化 目标为 2030 年。
台积电：正在加速玻璃基板与面板级扇出型封装（FOPLP）的融合。台积电 计划 2026 年建成玻璃基板 FOPLP 迷你产线，初期 300mm 规格，后续转向大 面板，开发 CoPoS（Chip on Panel on Substrate）技术。
三星电机：2024 年 1 月 CES 正式宣布进军半导体玻璃基板，建设中试线。 2025 年 11 月与住友化学成立合资公司生产 Glass Core（玻璃核心材料，非成 品基板），世宗工厂 pilot line 提前启动。2025 年玻璃基板项目从中央研究院 转至封装解决方案事业部，标志从研发转向商业化。目标 2026-2027 年实现 量产。
2 产业链：上游国产化加速，中游壁垒集中，下游 AI 驱动放量
玻璃基板产业链呈现“上游材料及设备壁垒高、中游制造工艺复杂、下游先进封装 需求驱动”的特征。其中，上游核心材料与设备决定工艺精度及良率水平，中游 TGV 加工环节是产业链核心壁垒，下游先进封装需求则决定行业放量节奏。
从工艺流程看，玻璃基板制造主要包括玻璃原片制备、TGV 通孔加工、金属化、 电镀填孔、RDL 重布线、平坦化及检测等环节。具体流程为：玻璃原片进厂后， 使用激光诱导刻蚀设备钻孔；孔内添加 Barrier 层，之后通过 PVD 工艺制作铜种 子层；经过曝光、刻蚀、显影工序制作下层铜线，铺设 PI 膜后重复上述流程，电 镀加厚铜层，去除多余 PI 膜后铺设介电 PI 膜，完成单层制作；正反面重复上述 流程实现多层结构，过程中配套退火、检测等工序，最终产出成品。
整体来看，玻璃基板工艺流程与传统先进封装具备一定工艺延续性，但由于玻璃 材料本身脆性较强，对激光加工精度、通孔良率及大尺寸翘曲控制要求更高，因 此 TGV 加工及后道平坦化成为当前产业化核心难点。
2.1 上游：原片国产化加速推进，加工设备或最先受益
玻璃基板行业上游主要包括特种玻璃原片、TGV 加工设备、铜及靶材、湿电子化 学品及检测平坦化设备等环节。具体来看
· 玻璃原片环节：玻璃原片是玻璃基板制造的核心基础材料，其核心性能指标包括 热膨胀系数（CTE）、介电损耗、机械强度等。目前，全球高端市场仍主要由康宁、 AGC、肖特等海外企业主导。国内方面，旗滨集团、凯盛科技、力诺药包等企业 依托特种玻璃及大尺寸玻璃制造能力，积极推进半导体玻璃基板相关布局；戈碧 迦则较早切入半导体玻璃基板领域，已进入部分下游客户验证体系。
目前关于玻璃原片行业的主流的生产工艺包括溢流熔融下拉法、流孔下拉法、浮 法工艺和二次拉制法。
· 溢流熔融下拉法：玻璃液流入 V 型溢流槽，从槽体两侧自然溢流、沿外壁向 下流淌，两股玻璃在槽底空中自然熔合、垂直下拉成型，双面全程不接触任何 模具/锡液。其优点在于两面原生镜面、无粘锡、表面粗糙度＜0.5nm，无需抛 光可直接做 TGV 打孔，热稳定性、CTE 一致性最优；缺点是窑炉、溢流槽设 备壁垒极高、单线投资额大、单窑产能偏小。代表企业有康宁、NEG、旭硝子； 国内对标：凯盛科技、力诺药包。
· 狭缝下拉法：熔融玻璃通过铂金精密狭缝漏板垂直向下引出，靠牵引辊拉伸控 厚，肖特 D263 高硼硅基板核心工艺（力诺现有日用高硼硅同源工艺）。其优 点在于适配高硼硅配方、小尺寸基板量产灵活、厚度控制精度极高（±5μm）； 缺点是大板量产受限、铂金漏板耗材成本高；代表企业有肖特、力诺、戈碧迦。
· 浮法工艺：玻璃液漂浮在熔融锡液液面摊平成型，依靠锡液自重+拉边机控厚， 建筑玻璃传统工艺改良做电子基板。其优点是单窑吨位大、大板（米级）量产 成本最低、设备国产化成熟；缺点是贴锡面存在锡析出缺陷，必须额外化学研 磨抛光，做 TGV 易因表面杂质出现打孔裂纹；代表企业有旗滨、沃格光电、 彩虹股份。
· 二次拉制法：先用浮法/下拉做厚坯玻璃，玻璃坯二次加热软化、再次牵引超 薄拉制；也可厚原片氢氟酸化学蚀刻减薄得到超薄基板。其优点在于配方调试 灵活、小批量新品试产成本低、不用新建大型熔窑；缺点是多一道减薄工序、 良率偏低、蚀刻废液成本高；代表：沃格光电、国内部分中小基板厂。
综合来看，当前以溢流下拉法与浮法为两大主流技术路线，原片生产必须采用高 硼硅玻璃路线，对材料纯度要求较高。现有药用高硼硅玻璃生产企业具备切入先 进封装玻璃基板供应的能力，仅需在现有生产能力基础上优化翘曲、线膨胀系数 等参数即可满足要求，当前材料供应商基本可覆盖相关需求，因而药用玻璃若转 型做玻璃基板更具优势。
玻璃基板尺寸：310×310 短期过渡，515×510 未来主流。目前，玻璃基板主流的尺 寸有两种 310×310mm 和 515×510mm。其中 310×310mm 为过渡量产规格，为了衔 接 CoWoS 存量产能，其尺寸贴近 12 寸晶圆（300mm 直径），台积电现有 CoWoS 设备小幅改造即可投产，不用全新建厂，快速从硅中介层切换玻璃中介层； 可保证良率优先落地，其板幅小，玻璃高温翘曲、RDL 布线均匀性、TGV 打孔 良率更易提高，是 CoPoS 第一代主力规格；该规格匹配当前主流 AI 芯片包括 B200、AMD MI400 这类单芯 + 8HBM 封装尺寸刚好适配，排版利用率 81%，替 代原有 12 寸硅中介层（圆形利用率仅 45%），小幅提产能、降本。
而 515×510mm为未来主流规格，面向下一代超大算力芯片。其面积是小板 2.7 倍， 单批次产出翻倍，规模化后单颗 AI 芯片封装成本再次下降，是玻璃基板成本优 势突出方案；加之其可沿用显示玻璃成熟产业链，510mm 对标 LCD 世代面板裁 切尺寸，康宁、旭硝子现有 G4/G5 玻璃原片可直接裁切 515 基板，玻璃原片采 购成本更低，是面板级封装产业标准化大尺寸。
TGV 加工设备：TGV 加工设备是玻璃基板产业链中最核心的设备环节之一，其 作用是在玻璃基板内部形成微米级通孔结构，是实现玻璃基板垂直互连的关键工 艺。由于玻璃材料具有高硬度、高脆性特征，对孔径精度、孔壁质量及深宽比要 求极高，因此 TGV 设备直接决定玻璃基板良率及后续电镀填孔效果。目前主流工 艺路线包括飞秒激光、皮秒激光及“激光改质+化学蚀刻”等方案。
国内企业方面，帝尔激光是 TGV 设备领域布局最早、产业化进展最快的企业之 一，已形成“激光改质+化学蚀刻+AOI 检测”一体化解决方案，相关设备已实现 晶圆级及面板级玻璃基板应用覆盖；德龙激光则重点布局玻璃通孔激光加工设备， 在半导体先进封装领域持续推进客户验证；此外，大族激光等企业也依托激光加 工技术积累，积极布局玻璃基板相关设备市场。整体来看，随着玻璃基板产业化 推进，TGV 设备有望成为产业链最先兑现业绩的环节之一。
