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摩根士丹利更新全球NAND供需预测，核心判断为AI需求拉长存储紧缺周期，行业呈现AI与消费市场显著分化格局。
测算显示AI相关NAND需求2027年将同比增长60%，供需缺口达9%（供应短缺）。2025年供需过剩2%，2026年转为短缺15%，2027年短缺9%。AI占NAND总需求的比重将从2025年的18%升至2026年的32%、2027年的41%。进入2028年，节点迁移和新厂扩张可能部分缓解供给紧张：在60%的AI NAND年增长且产能按基准情形扩张时，短缺约5%。报告特别指出，若长江存储加速五座晶圆厂的产能扩张（当前基准310kwpm，最大可达470kwpm），全球NAND供给格局可能面临重大变化。此外，面向AI推理工作负载的“超高IOPS”SSD若在2028年进入量产，单颗SSD消耗的产能将是普通SSD的3倍，将进一步收紧行业供给。
整体服务器需求保持强劲，长期供应协议（LTA）为定价提供了下行保护。消费端方面，模组厂和分销商的库存水平已上升，智能手机和PC客户正面临销量与利润率的双重压力。2Q26涨价后已出现实际订单削减，表明消费类产品定价可能很快触及天花板，而销量因供应商将产能转向CSP客户而持续低迷。3Q26 NAND定价方面，TLC eSSD环比上涨30%，而消费级NAND产品仅小幅上涨。
DRAM方面，服务器级产品3Q26环比上涨20%，而DDR3/4等传统DRAM因供给持续收紧和AI相关需求增长，环比涨幅高达30-40%。渠道调研显示，中国部分存储器分销商的消费级（PC、智能手机）库存已偏高，而服务器产品仍然紧张。
摩根士丹利维持对存储器周期的看多立场，偏好有LTA支持的供应商标的，因其估值扩张和股东回报更具确定性。战术层面更偏好DRAM而非NAND，因DRAM的LTA条款更优、需求能见度更高、EUV限制了供给纪律，且HBM4E可能存在产能挤占。
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