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美光发布26Q3财报,业绩亮眼

   日期:2026-06-25 15:22:25     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
美光发布26Q3财报,业绩亮眼

6月25日,美光科技(Micron Technology)公布了2026财年第三季度财报(截至2026年5月28日),本季度美光实现营收414.6亿美元(约合人民币2825.52亿元),同比暴涨345.7%,环比增长73.7%,创下历史新高。

按美国通用会计准则计算(GAAP),美光Q3净利润为282.43亿美元(约合人民币1924.96亿元),同比暴涨1398.3%,环比增长104.9%;

按非美国通用会计准则计算(non-GAAP),净利润为288.57亿美元(约合人民币1966.81亿元),同比暴涨1223.1%,环比增长105.8%。

美光26财年第三季度收入构成表(图片来源:APP ECONOMY INSIGHTS)

从收入构成角度看,美光Q3季度收入来源如下:

1. 云存储贡献营收约为137.69亿美元,相比去年收入33.86亿美元,同比增长307%,营业利润率达到78%。

2、核心数据中心贡献营收约为115.24亿美元,同比增长653%,营业利润率为83%。

3、移动与客户端贡献营收约为115.21亿美元,同比增长253.9%,营业利润率达到86%。

4、汽车及嵌入式贡献营收约为46.34亿美元,同比增长311.2%,营业利润率则为75%。

业绩收入表现为,云存储>核心数据中心≈移动与客户端>汽车及嵌入式。

美光26财年第三季度收入分解(图片来源:美光财报)

从产品构成角度看,本财季,DRAM内存营收达313亿美元,同比增长343%,占美光总营收的76%,主要系行业供需紧缺、高端产品占比提升双重利好,DRAM均价涨幅约60%;

NAND闪存营收为99亿美元,同比增长361%,占美光总营收的24%。主要系闪存供给紧张、高附加值产品占比提升带动,NAND闪存均价涨幅位于80%中段区间。

【HBM相关】

美光采用1-beta DRAM技术打造的HBM4,已面向其头部客户平台实现大批量出货,合格样品也已交付至多家终端客户。同时,该公司基于1-gamma DRAM工艺研发的HBM4E进展顺利,预计将于2027年实现量产。

目前HBM4 12层堆叠内存量产爬坡速度达到HBM3E的2倍,HBM4产品营收已突破10亿美元(约合人民币68.16亿元)。预计HBM4 12层良率成熟速度将大幅快于前代HBM3E 12层产品。

【存储产能保障】

据美光财报电话会议信息,美光已签署 16 项“战略客户协议”(SCA),涵盖数据中心和汽车等领域。协议通常为 3 到 5 年的“照付不议”(Take-or-Pay)模式,不仅提前锁定了未来销量,也为美光带来了约 220 亿美元的财务与现金承诺。

据美光高管分析,AI硬件的性能与架构高度依赖内存带宽和容量,这催生了更复杂的内存架构,也让内存升级为AI产业中的战略核心资产,为美光带来前所未有的差异化机遇。对于这一强劲的市场需求,存储供应改善将需要相当长的时间。

尽管美光预计行业供应将在 2028 年逐渐改善,目前尚无法预见内存供应何时能赶上日益增长的需求,由于存储行业的供给增长高度依赖全新晶圆厂扩产(greenfield fab)项目。这些新建项目规模庞大、复杂且耗时。此外,其进度还受到多种因素的制约,包括全球范围内晶圆厂建设周期、关键技术工人短缺、包括许可在内的法规,以及对增强型能源基础设施的需求。

现阶段,美光正全力提升旗下晶圆厂产能利用率,包括协同设备供应商加速光刻机采购、厂内设备装机与产能爬坡,同步推进设备更换、升级以提升生产效率。

据Mehrotra分析:“近期,我们与ASML签署多年极紫外光刻机(EUV)供货协议,支撑公司在1-delta制程及后续新一代工艺中扩大EUV设备部署规模。”目前,该公司全球制造基地扩建工作进展顺利,这将持续提升其长期存储供给能力。

美光扩产项目包含美国爱达荷州ID1、ID2两座DRAM工厂,这两座工厂均在稳步施工中。其中,ID1工厂计划于2027年年中实现首批晶圆下线,ID2工厂则预计2028自然年末投产。同时,美国纽约首个晶圆厂集群已于今年1月正式破土动工。

公司位于美国弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂现已投产 1-alpha 工艺 DDR4 芯片;此前完成收购的中国台湾厂区内,一座占地 30 万平方英尺的晶圆厂房进度提速,预计 2027 年年中即可形成大规模出货能力,投产节点较原先规划提前四分之一。

他进一步透露,美光已在该中国台湾厂区动工修建第二座洁净室,面积与现有第一座厂房持平,可适配 EUV 光刻设备。同时依托中国台湾厂区成熟的先进封装产线,美光将在新加坡落地第二座先进封装基地,预计 2027 年上半年投产,大幅扩充 HBM 封装产能。”

美光高管Murphy针对 HBM 业务战略补充说明,公司目标是让自身 HBM 市场份额与整体 DRAM 市占率维持匹配。之所以定下这一方向,核心在于 HBM 晶圆耗用量大,会持续分流通用 DRAM 产能,压缩常规存储产品供给空间。Murphy提到,即便后续存储涨价节奏有所放缓,公司持续倾斜产能至数据中心、边缘高性能存储赛道,叠加战略客户长期供货协议锁定稳定出货,足以对冲价格上行放缓带来的业绩压力。

美光预计第四季度营收将达 500 亿美元(上下浮动 10 亿美元),远超市场预期的 435 亿美元,毛利率预计将维持在约 86% 的超高位。

【结语】

过去存储是强周期的大宗商品,价格随行就市。

当前 AI 催生结构性供需缺口,客户主动支付大额保证金签署 3-5 年长期协议,行业从现货周期模式转向锁量锁价长期供货商业模式,美光业绩确定性大幅提升。

算力竞争已不再只看 GPU,HBM、DRAM、SSD 成为算力基建瓶颈,头部客户优先锁定长期产能,供需紧张至少维持 2 年以上,不存在短期过剩风险。

【参考链接】:

https://m.21jingji.com/article/20260625/herald/e23f9748544eed3d0e2eee52580ea72a.html

https://zhidx.com/p/569124.html

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