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美银报告:全球存储芯片行业深度解读:Vera内存“砍半”传闻不实,存储超级周期仍在继续

   日期:2026-06-15 05:27:31     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
美银报告:全球存储芯片行业深度解读:Vera内存“砍半”传闻不实,存储超级周期仍在继续
韩国半导体出口再创新高、DRAM现货价格连续两周反弹、美银韩国大会即将召开——存储芯片行业的“超级周期”仍在加速演绎。本文将为您深度解读最新行业动态。

一、核心观点速览

  • NVIDIA Vera CPU内存容量减半传闻不实:市场传闻Vera CPU的SOCAMM内存容量从1500GB砍至750GB,但我们的调研显示,1500GB仍是主流配置,客户可自行选择。
  • 存储需求持续强劲:韩国6月上旬半导体出口达111亿美元,创历史新高,同比增长206%。
  • 三星分红或大幅增加:2026年自由现金流预计超200万亿韩元,分红规模有望达到50-70万亿韩元。
  • 美银韩国大会即将召开:6月15-19日,预计将呈现更加看涨的情绪,芯片短缺可能持续至2027-2028年。

二、NVIDIA Vera CPU:内存容量“砍半”传闻真相

市场传闻vs 真实情况

近期市场传出消息,称NVIDIA新一代Vera CPU的SOCAMM内存容量将从原定的1500GB大幅削减至750GB,降幅达50%。这一消息引发了市场对存储需求减弱的担忧。
但我们的调研结果明确表明:这一传闻并不属实。
对比维度
传闻内容
实际情况
Vera Rubin(含HBM4)
750GB
1500GB(192GB x 8)为主流
Vera CPU机架(无HBM)
750GB
初始仍用1500GB,也可用750GB 
客户选项
强制降配
客户可自由选择750GB或1500GB 

关键结论

  1. Vera Rubin应继续使用1500GB:750GB虽可能可行,但性能会降低
  2. Vera CPU机架初始也以1500GB为主:但也可工作在750GB配置下
  3. 初始SOCAMM订单是为Vera Rubin下的:因此Vera CPU机架带来了增量SOCAMM需求,对整体市场是正面因素
一句话总结:市场对NVIDIA降配的担忧被夸大,存储需求的基本面没有改变。

三、存储行业景气度:多项数据创历史新高

韩国6月上旬半导体出口爆发

韩国6月前10天半导体出口达到111亿美元,环比增长30%,同比增长206%。主要贡献来自ASP同比增长超过100%。
5月台湾存储企业营收同样表现强劲:
  • 南亚科技:同比增长730%
  • 群联电子:同比增长301%
  • 其他存储厂商普遍录得强劲增长
中国5月IC进口也创下历史新高,达567亿美元,同比增长68%。这主要是芯片价格同比上涨近70%所致,而进口数量实际上下降了1%。

DRAM现货价格连续两周反弹

产品
最新价格
周环比
同比
16Gb DDR5
44.8美元
+3%
+675%
16Gb DDR4
66.6美元
+4%
+985%
8Gb DDR4
36.3美元
+2%
+961%

美银存储指标创历史新高

我们的存储指标在2026年3-4月达到189的历史最高值,之前的峰值约为140。这一突破性增长主要由DRAM/NAND现货价格、ASP和出货量的异常强劲表现驱动。

四、三星电子:分红可能大幅增加

三星电子有望成为高分红标的。我们的分析显示,2026年现金分红规模有望达到50-70万亿韩元,其中一半可能比往常提前4-5个月支付。
主要依据:
  1. 2026年自由现金流预计超过200万亿韩元
  2. 50%的分红比例已有明确指引
  3. 员工特别奖金将在2027年1月通过回购库藏股支付
  4. 零售投资者税务优惠:如果2026年末分红在4Q26/1Q27以50:50或40:60的比例分配
三星优先股可能对追求更高股息收益的投资者更具吸引力。

五、美银韩国大会:存储超级周期或将进一步强化

我们将在6月15-19日举办第18届韩国大会,参会人数创历史新高——约200位投资者、120家企业。
我们预计大会期间市场情绪将更加看涨,主要原因有三:
因素
具体内容
存储专家预测
芯片短缺可能持续到2027年甚至2028年
企业指引
科技、机器人、国防、新能源、消费品等领域展现全球领导力
资金流入
ETF、长线资金流入加速,价值提升计划(分红、回购、美国上市)

六、行业展望与投资提示

存储周期的核心判断

当前存储周期的持续性取决于供给端的扩产态度。从全球主要原厂的动作来看,扩产普遍极其克制:
  • 新增产能主要集中在HBM领域
  • 产能释放时间点大多在2027年下半年
  • 原厂优先扩产HBM,因其需求可见度更高、客户更集中

价格走势

  • DRAM现货和合约价格在2025年10月-2026年1月经历了一轮猛烈上涨,随后在2-4月趋于平稳
  • 5月以来价格再度温和回升,16Gb DDR5现货价格目前约45美元
  • DRAM合约价格:16Gb DDR5约35美元,16Gb DDR4约35美元
对比历史极值——2017年10月DDR4峰值约10美元,当前价格已处于多十年高位。

七、风险提示

  1. NVIDIA Vera实际配置风险:如果最终客户大量选择750GB配置,可能影响SOCAMM总需求
  2. 地缘政治风险:美国关税政策可能影响三星、SK海力士等韩国企业的HBM业务
  3. 产能扩张风险:如果主要原厂加速扩产,可能导致价格回落
  4. 技术路线风险:CPO等新技术可能改变存储需求结构

结语

本轮存储芯片行业的“超级周期”,正在从AI算力需求的驱动下持续演绎。NVIDIA降配传闻被证伪、韩国半导体出口创新高、美银存储指标创历史极值——这些信号共同指向一个结论:
存储行业的景气度不仅没有减弱,反而在持续强化。当市场还在对短期波动产生疑虑时,产业趋势早已给出了明确的答案。
在超级周期中,最大的风险不是追高,而是过早离场。
本文根据美银证券2026年6月13日《Global Memory Tech》研报整理。报告作者:Simon Woo(首尔)、Dai Shen(香港)、Vivek Arya(美国)等。仅供参考,不构成投资建议。

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