上一篇文章介绍了library，文章链接：DC中的library。本篇文章将介绍这些library和工艺，以及corner的关系。
liberty，milkyway和tluplus是DC使用的主要工艺库，他们分别对应标准单元的电气特性，几何图形参数和金属线的寄生参数。芯片制造过程和房地产建筑过程类似，“地基”是有晶体管搭建的，“上层”通过金属线(Metal)和通孔(Via)实现互联，“地基”和“上层”之间通过接触层(Contact)的欧姆接触实现工艺互联。
其中，liberty和milkyway就属于“地基”的库(准确的说，标准单元包含了单元内部晶体管的互连，这部分属于BEOL的范畴)；tluplus属于“上层”的库，也包含了接触层。
“地基”属于前道工序(FEOL，front end of line)的范畴，“上层”属于后道工序(BEOL，back end of line)的范畴，“接触层”属于中间工序(MOL，middle of line)的范畴。
前道工序包含晶体管的制作(有源区的扩散，深阱注入，栅的制造以及浅槽隔离等)，后道工序包含金属线和通孔的金属化(铝的金属化，铜的大马士革工艺以及化学机械研磨等)。
工艺角(corner)包含PVT corner和RC corner。PVT corner对应liberty，RC corner对应tluplus。
其中，PVT corner包含process(工艺)，voltage(电压)和temperature(结温)三个指标。process常常使用ff、ss、tt分类，两个f、s或t分别表示NMOS和PMOS的process是fast，slow还是typical；电压通常是典型电压的0.9倍或1.1倍；温度通常是-40到125℃范围内，根据工业级(C)，车规级，军事级(M)和宇航级(R)，温度范围可能略有不同。
RC corner是金属连接的阻(R)容(C)参数，通常包括rbest，rcbest，rworst，rcworst和typical。随着工艺的进步，和DPT(double pattern technology)的引入，RC corner变得更为丰富。
工艺角存在，是由于芯片制造过程中广泛存在的die-to-die，wafer-to-wafer的global variation。与此相对应的，我们熟知的OCV(On-Chip variation)描绘die内不同区域间电路的variation。
