报告导读：

氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。它是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，它具有宽带隙、电子迁移率高、开关频率高、导通电阻低、耐高压、耐高温等综合优势。更宽的带隙使氮化镓能够在更高的电压下工作，而更高的电子迁移率提高了电流驱动能力和响应速度，显著减少了热散失并提高了功率效率。随着氮化镓技术的成熟以及下游应用得到逐步释放，氮化镓行业步入繁荣发展期。随着下游快充、5G基站、新能源车等应用增量加速，氮化镓总体稼动率持续提升。2024年中国氮化镓（GAN）市场规模为3.82亿美元，产能稼动率为30%；初步预计2025年中国氮化镓（GAN）市场规模约5亿美元，产能稼动率提升至42%；预计2026年中国氮化镓（GAN）市场规模约8.47亿美元左右，产能稼动率将达到61%。

基于此，依托智研咨询旗下氮化镓（GAN）行业研究团队深厚的市场洞察力，并结合多年调研数据与一线实战需求，智研咨询推出《2026-2032年中国氮化镓（GaN）行业市场现状调查及投资机会研判报告》。本报告立足氮化镓（GAN）新视角，聚焦行业核心议题——变化趋势（怎么变）、用户需求（要什么）、投放选择（投向哪）、运营方法（如何投）及实践案例（看一看），期待携手行业伙伴，共谋行业发展新格局、新机遇，推动氮化镓（GAN）行业发展。

观点抢先知： 

行业定义及特点：氮化镓（GAN）是一种无机物，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。氮化镓（GAN）是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个原胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。

行业政策环境：氮化镓（GAN）属于第三代半导体材料，被认为是当今电子电力产业发展的重要推动力，国家对第三代半导体产业的高速发展给予了高度重视，从战略高度出台了一系列利好政策。如《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》提出需要集中优势资源攻关多领域关键核心技术，其中集成电路领域特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。

产业链核心节点：氮化镓（GAN）产业链上游原材料主要包括衬底、外延、设备，以及金属镓（Ga）、氨气（NH₃）、MO源（三甲基镓等）等原材料；行业中游为氮化镓器件模组生产制造；行业下游被广泛应用于高频、高压、高温及高功率场景，主要有光电子领域、射频电子领域和电力电子领域。

市场规模：随着氮化镓技术的成熟以及下游应用得到逐步释放，氮化镓行业步入繁荣发展期。2024年中国氮化镓（GAN）市场规模为3.82亿美元，初步预计2025年中国氮化镓（GAN）市场规模约5亿美元，2026年中国氮化镓（GAN）市场规模约8.47亿美元左右，2030年这一数据将达到22.35亿美元左右。

产能利用率：近年来，随着下游快充、5G基站、新能源车等应用增量加速，氮化镓总体稼动率持续提升。2024年中国氮化镓（GAN）行业的产能稼动率为30%，初步预计2025年中国氮化镓（GAN）总体稼动率将提升至42%。中国氮化镓（GAN）晶圆厂进入产能优化阶段，重心将转向提高现有产线的稼动率，2026年中国氮化镓（GAN）行业的产能稼动率将达到61%。

竞争情况：氮化镓（GAN）产业化核心分功率器件、射频器件两大方向。全球氮化镓功率半导体市场集中度极高，英飞凌、纳微半导体等国际大厂占据主导地位。国内头部企业（如英诺赛科）通过IDM模式或垂直整合，在中国功率领域份额中逐步提升，已具中国竞争力，整体仍由欧美企业主导核心市场。

市场趋势：氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料，凭借其高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等诸多优势，在功率半导体领域展现出巨大的潜力。

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