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报告分享| SiC MOSFETs非侵入式结温均衡与平滑方法研究

   日期:2026-05-18 22:32:55     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
报告分享| SiC MOSFETs非侵入式结温均衡与平滑方法研究

张擎昊 博士后

张擎昊博士,本硕博阶段均就读于清华大学电机工程与应用电子技术系,师从国家杰青获得者张品佳教授。目前,他担任清华大学“水木学者”博士后研究员,主要研究方向为功率装备的可靠性健康管理与智能感知技术。

近年来,他以第一作者身份在电气工程领域国际顶级期刊发表论文12篇,以通讯作者身份发表1篇,累计被引785次,H指数为16。同时,他已授权或申请发明专利16项,并获得学会科技进步一等奖3项、IEEE计算智能协会亮点论文奖1项、IEEE最佳会议论文奖3项。其博士论文荣获清华大学及中国电工技术学会优秀博士论文奖,并入选国家资助博士后研究人员计划。

在科研项目方面,他主持国家重点研发计划子课题2项、国家自然科学基金青年基金1项。此外,他还担任IESES会议出版主席,并受邀担任多个电气领域TOP期刊的审稿人。

信息来:NE电气

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