【招商电子】存储行业深度跟踪报告:长协锁单彰显紧缺延续,行业景气有望延续至2027年

存储行业进入由AI驱动的结构性超级周期，26Q1全球存储公司业绩齐创历史新高，供需紧缺有望延续至2027年甚至更久。价格方面，近期现货价短期扰动不改合约价上行趋势，并不代表存储价格逆转。随着存储厂商逐步签订多年期战略协议，其业绩能见度将显著提升，同时存储产品加速从标准化转向定制化，行业商品化属性与周期波动有望进一步减弱，建议关注海外存储/国内模组/利基存储和上游设备/材料等产业链公司。

需求端：AI推理驱动存储全栈式需求结构性激增，定制化趋势或削弱行业周期属性。AI沿“推理→Agentic AI→Physical AI”三阶段演进，叠加2026年全球九大CSP合计资本开支预计达约8300亿美元（同比+79%），共同驱动HBM/Server DRAM/eSSD/HDD全栈需求增长；其中AI推理成为核心驱动，2025-2031年数据中心AI推理NAND位元需求CAGR高达56%。同时，HBM4起base die改用逻辑工艺、CXL/SOCAMM/3D DRAM/HBF等新架构持续涌现，存储产品加速从标准化转向定制化，行业壁垒持续提升，存储商品化属性与周期波动有望减弱。

供给端：26年原厂资本开支大幅增长，HBM挤占下DRAM/NAND实际新增有效供给非常有限。据SemiAnalysis，2026年DRAM供应低于需求约7%，HBM缺口6%、2027年扩大至9%；据宇瞻预计，2026年DRAM缺口8%、NAND缺口约5%。2026年三大原厂资本开支虽同比大幅增长，但新增晶圆产能高度集中且主要分配给HBM，几乎全部集中于三星P4、海力士M15X、美光A3，其中M15X与A3均主要用于HBM生产；NAND几乎无实际晶圆增量、位元增长主要依靠技术升级，叠加铠侠宣布2028年停产2D NAND进一步收紧供给；其余扩产项目（海力士龙仁、美光铜锣/爱达荷）实质性产出贡献要等到2027H2之后，整体新增有效供给非常有限。

库存端：原厂与利基厂库存持续去化、DOI下行，模组厂主动加码备货以锁定供应能力。原厂三星、海力士、美光、南亚科26Q1库存维持低位，美光DRAM库存周转天数已降至120天以下的紧张水平；闪迪为支持新签NBM协议主动备货、库存环比+14%，西部数据DOI环比大幅下降。台厂模组厂（群联、威刚、十铨等）加速备货并签订LTA锁单，利基型厂商（华邦、旺宏、晶豪科）DOI环比下降；大陆江波龙、德明利、佰维三家模组厂26Q1合计库存达422.2亿元再创新高、连续5个季度环比上行，大陆利基型厂商库存增速明显低于模组厂、DOI持续改善。

价格端：价格端现货短期扰动不改合约价上行趋势，二季度NAND合约价涨幅领先DRAM。指数层面，DXI、DRAM、NAND价格指数均在4月前后创阶段高点后小幅回落，较高点分别下降0.4%、2.7%、5.3%；现货层面，DDR4 16Gb月环比回调较大、NAND现货价过去一个月累计跌幅达30-40%，主因前期涨幅过高致买方承接意愿低迷，叠加部分贸易商资金周转压力下降价变现。但合约价上行趋势不变，据TrendForce预计26Q2传统DRAM合约价环比+58-63%、NAND合约价环比+70-75%，NAND涨幅领先主要受AI/数据中心需求持续旺盛、原厂供给优先满足高价值品类及CSP主动签署LTA锁量等因素驱动；现货短期调整系阶段性扰动，并不代表存储器价格趋势逆转。

销售端：多年期协议持续加固业绩能见度，供需紧缺有望延续至2027年甚至更久。原厂端，三星、海力士、美光、南亚科26Q1营收与毛利率同步突破历史纪录，一季度DRAM ASP环比+mid-60%、NAND ASP环比+mid-70%；各原厂均已积极与客户推进多年期战略协议（SAC/NBM/LTA），美光成功签署首份五年期SCA协议，闪迪签署5份NBM覆盖2027财年超1/3位元生产量、含逾110亿美元财务担保，西部数据/希捷部分LTA已延伸至2028-2029年，业绩能见度与稳定性显著提升。中国台湾与大陆各环节亦全面受益，3/4月单月营收普遍创历史新高：中国台湾利基型厂商产能持续满载、合约价涨幅倍数以上，eMMC等细分品类缺货尤为突出，模组厂受AI驱动的高容量需求带动26Q1营收创单季新高，普遍判断缺货将延续至2027年。大陆方面，兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正等利基型厂商26Q1营收与利润同环比大幅增长；江波龙、德明利、佰维存储三家模组厂26Q1营收与利润均高增创新高，平均单月利润约10亿元，盈利能力大幅跃升；随着海外大厂逐步退出2D NAND及利基DRAM市场，大陆厂商有望持续扩大市场份额。

投资建议：26Q1存储产业链各公司业绩表现均亮眼，具备约束力的长协落地对存储公司业绩能见度与增长提供显著保障。当前存储缺货持续加剧，供应很难在短时间内大幅增加，预计供需缺口或将持续至2027年，存储合约价涨势同样将延续，后续市场价格趋势和各环节公司业绩增长持续性是核心关注点，建议关注存储+设备+产业链三大核心环节相关公司：1）海外存储：***、***、***、***、***、***、***等；2）国内原厂：***、***；3）模组：***、***、***、***、***等；4）利基存储：**、***、***、***、***、***等；5）代工和封测：***、***、***、***、***、***、***等；6）存储设备：***、***、***、***、***、***、***、***、***、***、***、***、***等；7）存储材料：***、***、***、***、***、***、***等。

风险提示：AI算力资本开支不及预期，库存减值风险，国际贸易摩擦与供应链波动，行业竞争加剧，汇率波动风险，价格下行的风险。

一、需求端：AI推理驱动存储需求扩张，定制化趋势持续提升行业壁垒

AI驱动存储全品类需求结构性激增，同时存储产品逐步从标准化转向定制化，行业商品化属性与周期性有望减弱。AI技术沿“推理→Agentic AI→Physical AI”三阶段依次展开，构成相互强化的复合需求循环，叠加CSP资本开支高速扩张，根据TrendForce预计，2026年全球九大CSP合计资本支出将达约8300亿美元，同比增速由原61%上修至79%，共同驱动从HBM、Server DRAM到eSSD、HDD的全栈式需求增长。同时，存储产品正加速从标准化转向定制化：HBM4起base die改用逻辑工艺，可集成电源管理、ECC、定制接口、客户加速器等差异化功能；CXL池化、SOCAMM（专为AI数据中心设计的LPDDR模组）、3D DRAM、HBF（填补HBM与SSD之间空白层、单栈容量达HBM的8-16倍）等新架构持续涌现，存储行业壁垒逐步提高、商品化属性与周期波动有望减弱。

1、26年CSP资本开支将达8000亿美元以上，AI推理驱动存储全品类需求激增

AI三大飞轮驱动存储全品类需求激增，数据及存储价值逐渐提升。AI技术演进正沿“推理→Agentic AI→Physical AI”三个阶段依次展开，构成一个彼此强化的复合需求循环，驱动全品类存储需求结构性扩张。1）推理阶段，算力引擎从阶段性训练转为持续实时运行，根据西部数据FY26Q3法说会，2026年推理工作量预计将占全部人工智能计算量的约三分之二，每分钟产生数百亿token，每次交互均需持久化存储，在拉动HBM与server DRAM满足高带宽实时计算需求的同时，海量输出数据下沉至SSD与HDD；2）进入Agentic AI阶段，AI从单次问答升级为持续执行涵盖规划、决策与验证的复杂工作流，每小时自主运行持续产生须长期留存的数据，整机DRAM与SSD需求持续增长，高容量HDD亦迎来云端与企业侧的结构性增量；3）Physical AI进一步拉动存储需求，自动驾驶、机器人与工业系统从传感器、摄像头持续产生海量数据流（单车每小时最高4TB），叠加监管合规的5-10年留存要求与数量级更高的合成训练数据需求，对高可靠、高容量HDD需求激增。三重驱动力叠加，使AI对存储的拉动从HBM延伸至HDD，呈现全栈式、持续加速的结构性特征。

存储优化技术改善整体推理成本，进一步推动内存需求用量。另外，AI行业软硬件持续优化成为存储需求的又一驱动，存储优化技术看似降低单设备内存用量，但实际演进方向是最大化单位内存承载的上下文量与用户数，从而改善AI服务的经济性、扩大整体市场规模，形成进一步推升存储需求的正向循环。

2、存储部分产品逐渐转向定制化，行业壁垒逐渐提高或将减小周期属性

存储产品逐渐从标准化产品转向定制化，其商品化属性或将进一步减小。以往的HBM产品均符合JEDEC定义，理论上各家供应商产品可进行互换，但HBM4打破了惯例，核心原因在于base die，位于DRAM晶圆下方并负责协调所有功能，开始采用逻辑工艺而非DRAM工艺。一旦base die采用先进逻辑制程，就可以集成更多定制功能，如电源管理、ECC纠错、定制接口、客户设计的加速器等。SK海力士主流产品base die采用台积电的12nm工艺，而面向英伟达旗舰GPU和谷歌TPU的高端设计则采用3nm工艺。三星则采用自家的4nm工艺，并逐步过渡到2nm工艺，用于对性能要求最高的应用。美光的HBM4E base die由台积电代工，并为英伟达和AMD的下一代加速器提供定制版本。

CXL：专为集中部署设计，扩展内存容量。CXL为用于通过PCIe连接CPU、加速器和内存池的标准。微软指出，其服务器中高达25%的DRAM处于“闲置”状态，已分配给主机，处于空闲状态，但无法重新分配，CXL池化解决了这个问题。超大规模数据中心运营商的策略从“为每台服务器购买更多DRAM”转变为“购买一个池并共享”。

SOCAMM：采用LPDDR内存，专为AI数据中心设计。英伟达与美光、三星和海力士合作，共同设计了一种新型内存条，尺寸为14×90mm，仅为RDIMM内存条的三分之一，采用四个16芯片LPDDR5X堆叠结构，可提供128GB容量，读写速度为9.6 GT/s。美光的SOCAMM内存条已量产，并应用于英伟达的GB300主板，三星和海力士也推出了符合标准的版本。根据三星26Q1法说会，公司率先面向英伟达Vera Rubin平台，实现SOCAMM2产品量产上市销售。

架构上，Groq LPU+SRAM凭借低延迟、高带宽打破低延迟瓶颈。传统GPU需频繁从片外HBM读写数据，会受制于有限带宽与较高的延迟，而LPU片上的SRAM带宽高达80TB/s以上，相比于HBM速度提升达10倍，但LPU+SRAM容量小且系统成本高昂，当前LPU与GPU在AI推理阶段可形成分层计算的协同模式（GPU负责Prefill，LPU负责Decode）。

英伟达在GTC 2026大会上发布首款原生LPU推理专用平台（LPX 机柜），升级后单机柜可搭载256颗LPU芯片，同时其新一代GPU芯片Feynman将全球首发台积电 A16（1.6nm）制程，首次集成LPU硬件堆栈，形成GPU+LPU的异构架构。

二、供给端：26年原厂资本开支大幅增长，HBM挤占下DRAM/NAND实际新增有效供给非常有限

供给端受HBM挤占与洁净室产能不足双重制约，2026-2027年DRAM/HBM/ NAND或将持续存在供应缺口。根据SemiAnalysis，2026年DRAM供应低于需求约7%，其中HBM缺口6%、2027年进一步扩大至9%，通用DRAM 2026/2027也将持续约7%结构性缺口；根据宇瞻预计，2026年DRAM缺口达8%、NAND缺口约5%，全年仍处于紧平衡状态。产能投放方面，2026年三大原厂资本开支虽同比大幅增长，但实际新增晶圆产能高度集中且主要分配给HBM，2026年新增产能几乎全部集中于三星P4、海力士M15X、美光A3三家晶圆厂，其中M15X与A3均主要用于HBM生产；NAND方面2026年几乎没有实际晶圆增量贡献，位元增长主要依靠技术工艺升级，另外，铠侠已宣布2028年停产2D NAND产品（浮栅式与BiCS FLASH 第3代），进一步收紧供给端；其余主要扩产项目（海力士龙仁、美光铜锣/爱达荷）的实质性产出贡献基本要等到2027H2甚至2027Q3之后，整体新增有效供给非常有限。

1、HBM扩产挤占传统DRAM产能，预计2027年两者仍将存在一定缺口

2027年HBM与DRAM仍存在一定供应缺口。根据SemiAnalysis数据，预计2026年供应将低于需求约7%，其中HBM缺口达6%，将在2027年进一步扩大至9%。传统DRAM预计也保持结构性紧缺，预计2026、2027年间将持续存在约7%的缺口。

AI算力需求的激增正转化为短期内DRAM需求的急剧增长，这包括AI服务器中的DDR/LPDDR/HBM以及通用服务器中的DDR。从2023年开始，HBM需求呈现出清晰且稳步加速的趋势，三大原厂也以日益激进的方式扩张HBM产能：2023年底三大存储原厂分配给HBM的晶圆产能仅约123千片/月；2025年底增至约331千片/月，两年扩张2.7倍以上；2026年底预计达到约473千片/月；2027年底预计达到约668千片/月，即四年内HBM晶圆产能将增长5倍。原厂如此激进扩产HBM的逻辑有两点：其一，HBM被视为远超传统PC、移动、汽车等终端市场的结构性、可持续增长引擎，AI服务器（GPU与ASIC）中HBM密集度的持续提升将驱动单台服务器HBM含量进一步增加；其二，HBM复杂的前端与后端制造要求使其相对于通用DRAM能够实现更强的产品差异化，在引脚速度、能效、散热与封装集成等性能特性上为原厂创造了定价权与市场份额提升的空间。

HBM产能的大规模扩张对通用DRAM供应产生了"双重挤压"效应。1）直接挤占晶圆产能：HBM晶圆产能占DRAM总晶圆产能的比例从2022年的不足5%已上升至2025年底的约20%，预计到2027年底将达到约35%。这意味着仅HBM一项就将消耗三大原厂DRAM总晶圆产能的三分之一以上，直接挤占了原本可用于通用DRAM生产的产能。

2、2026年原厂资本开支增长显著，预计实际整体晶圆新增量非常有限

2026年海外三大原厂预计资本开支增长显著，美光进一步上调全年资本开支，将进一步加大投资以扩充高端产品产能。

1）三星：2026年受人工智能相关需求持续拉动，公司资本开支预计同比大幅增长。公司将进一步加大下一代制程与核心技术的前瞻性研发投入，稳固技术领先地位，同时强化战略生产基地布局、扩充基础设施储备，提前匹配未来市场需求；

2）海力士：在AI时代构建应对结构性需求增长的足够供应能力正成为核心竞争优势，公司预计今年Capex同比大幅增长。多数将投向以Yongin Cluster为中心的基础设施准备、M15X产能ramp-up、采购EUV等关键设备；

3）美光：预计2026财年资本支出将超250亿美元，较上一季度业绩会预估水平上调，增幅主要源于洁净室设施相关资本支出，其中最大投入为铜锣湾厂区项目，其次为美国工厂项目建设支出增加；公司预计2027财年资本支出将大幅上调，重点投向HBM及DRAM相关领域。随着全球制造基地建设推进，2027财年建设相关资本支出同比增幅将超100亿美元，同时设备支出预计也将实现同比增长，开展上述投资的同时，美光将持续紧盯市场环境与客户需求，确保供应规划合理适配。

2026年实际新增晶圆产量有限且主要集中在HBM，NAND几乎没有实际晶圆增量。根据SemiAnalysis数据，预计2026年几乎所有新增的晶圆产能都将集中在三家晶圆厂：三星的P4（主要是第一阶段和第三阶段，第四阶段在26年底的投入有限）、SK海力士的M15X以及美光的A3。同时，美光的A3和SK海力士的M15X预计都将主要用于HBM生产而非传统DRAM，这将限制晶圆和位元产出的增量。NAND方面，2026年几乎没有实际晶圆增量贡献，位元增长主要靠技术工艺的升级。

1）三星：P4第四阶段预计将在配备齐全的第一和第三阶段之后，于今年晚些时候投产。尽管P4的第二阶段原定于2027年第一季度投产，但预计这一时间表可能会提前。即便如此，预计第二阶段对晶圆产量的实质性贡献仍将在2027年上半年实现。

2）海力士：龙仁一期工程的无尘室预计要到2027年2月才能投入使用，由于设备搬入和认证需要时间，晶圆产量在2027年第三季度前将非常有限。

3）美光：近期从力积电收购的P5铜锣厂，在2027年下半年之前贡献实质性的晶圆产量尚不确定。在满负荷运转下，该厂通用型DRAM的最大月产能约为4.5万片晶圆；如果该厂配置为生产HBM，由于TC键合机等后端设备对无尘室要求更高且制造工艺更为复杂，其实际产出可能会更低。美光的爱达荷州1号晶圆厂目前的目标是2027年中期投产，晶圆产出可能同样要等到 2027 年第三季度。

NAND方面，铠侠宣布退出2D NAND 市场。继先前公告停产“薄型小尺寸封装”（TSOP）后，铠侠电子（中国）于3月31日再度向客户发布停产通知，表示浮栅式（Floating Gate）与BiCS FLASH 第3代产品即将于2028 年停产。

三、库存端：原厂库存紧张贯穿2026全年，中下游战略备货蓄力业绩高增

原厂与利基厂库存持续去化、DOI下行，模组厂主动加码备货以锁定供应能力。原厂端，三星、海力士、美光、南亚科26Q1库存维持低位，美光DRAM库存周转天数已降至120天以下的紧张水平；海外NAND/HDD厂中，闪迪为支持新签NBM协议主动备货，库存环比+14%，西部数据则因下游需求强劲，DOI环比大幅下降。台厂方面，模组厂（群联、威刚、十铨等）26Q1加速备货并签订LTA以确保稳定供货，威刚目标6月底库存拉升至500亿新台币以上；利基型厂商（华邦、旺宏、晶豪科）DOI环比下降，营运效率逐季提升。大陆方面，江波龙、德明利、佰维存储三家模组厂26Q1合计库存达422.2亿元再创新高，连续五个季度环比上涨，在供需紧缺背景下主动囤货以支撑长期业绩增长；大陆利基型厂商库存虽连续8个季度环比上行，但增速明显低于模组厂，DOI持续改善，整体营运效率稳步提升。

1、原厂：26Q1年库存处于较低水平，DOI持续下降营运效率提高

26Q1原厂库存水位处较低水平，库存去化持续DOI仍处紧张水平。25Q4末三星库存364.42亿美元，环比+1.7%，DOI为94；25Q4末海力士库存98.93亿美元，环比+5.6%，DOI为131；26Q1末美光库存为82.67亿美元，环比+0.8%，DOI为130；26Q1末南亚科库存7.59亿美元，环比-12.6%，DOI为191。

1）三星：NAND受一季度库存去化、可用产能受限影响，位元出货增速预计环比仅低个位数；

2）美光：26Q1末库存83亿美元，环比增加6200万美元，库存周转天数123天；DRAM库存周转天数仍处于紧张水平，低于120天。

2、台厂：Q1积极备货库存快速增长，确保后续稳定供应能力

模组厂：26Q1加速备货库存快速增长，确保稳定供货能力整体营运水平较好。1）群联电子：截至2月底公司库存已突破500亿新台币，群联也与一线客户CSP或OEM厂商同步签订LTA，以达到上下游承诺。对于中小型客户，则优先以库存支持方式维持供货能力，未来库存多数用于长期合作客户；2）威刚：公司亦提前多备且充足的NAND Wafer，预估4月底库存水位将拉升至超过400亿新台币、6月底则目标达500亿新台币；3）十铨：展望2026年第2季至下半年，DRAM与NAND Flash需求预期维持强劲，将透过长期采购策略与安全库存管理机制确保稳定供货，对于整体营运抱持正向看法。

3、大陆：模组厂积极备货创历史新高，支撑长期业绩增长

模组厂：各家Q1库存大幅增长，以支撑后续供应能力与业绩增长。26Q1江波龙、德明利、佰维存储库存分别为179.6亿元、121.9亿元、120.7亿元，累计同比+164%/环比+59%，库存周转天数分别为303、270、282。26Q1大普微库存20亿元，环比+43%。存储价格持续上涨及供应紧缺情况下，国内模组厂积极囤货，26Q1江波龙、德明利、佰维存储三家合计库存达422.2亿元，再创新高，连续五个季度环比上涨，在当前紧缺背景下，公司为保障后续整体供货能力，库存与DOI有所增加，为长期业绩增长提供支撑。

四、价格端：现货价短期扰动不改合约价上行趋势，二季度NAND涨幅超过DRAM

现货价较高点出现小幅回调，但合约价涨势依然强劲。指数层面，DXI、DRAM及NAND价格指数均在4月前后创阶段高点后小幅回落，较高点分别下降0.4%、2.7%及5.3%；现货价方面，DDR4 16Gb月环比回调幅度较大，NAND现货价格过去一个月累计跌幅已达30-40%，主因前期现货价涨幅过高导致买方承接意愿低迷，叠加部分贸易商资金周转压力下降价变现，短期内买方普遍观望、以消化库存为主；合约价方面，现货波动不改合约价上行趋势，根据TrendForce数据，预计26Q2 传统DRAM合约价环比上涨58-63%，NAND 合约价环比上涨70-75%，NAND 涨幅超过DRAM，主要受AI/数据中心需求持续旺盛、原厂供给优先满足高价值品类及CSP主动签署LTA锁量等因素驱动。整体来看，现货短期调整系市场的阶段性扰动，并不代表存储器价格趋势逆转。

1、价格指数：当前整体涨势放缓，较高点有小幅回调

DXI：2025 年 7月开始呈指数级上升趋势，当前涨势趋于平缓。DXI指数衡量存储器出货量与价格，从2025年7月开始指数加速上涨，在2026年4月21日达到681172.6 高点，期间涨幅8倍，5月8日DXI指数达678650点，环比上周增长0.7%，较高点下降0.4%。

DRAM指数：出现小幅下滑，当前较高点下降2.7%。10月指数突破千点关口，此后涨幅持续扩大，11月单月涨幅超40%，2025年末指数突破2000点，进入2026 年后更是加速冲高，最终在4月7日达到4049.2点的阶段高点，4月28日指数为3938.5，较高点下降2.7%。

NAND指数：出现小幅回调，当前较高点下降5.3%。NAND指数上涨稍晚，从2025年9月低点冲高至2026年3月24日高点3229.9，4月28日指数为3059.9，较高点下滑5.3%

2、现货价格：DRAM与NAND价格有所回调，与合约价仍存在一定差距

DRAM：整体现货价普遍回调，DDR4 16Gb回调幅度最大。截至5月8日，主流DDR5 16Gb /DDR4 16Gb/DDR4 8Gb/DDR3 4Gb现货均价为39.83/58.46/32.1/8.73美金，相较上周环比+2.14%/-4.41%/ -1.17%/+4.18%，相较上月环比+7.66%/-19.42%/-4.35%/+13.31%。DDR4 16Gb因此前现货价涨幅巨大，与合约价价差较大，当前回调幅度较多，整体来看，当前现货价与合约价仍有一定价差。

根据TrendForce数据，当前现货市场延续保守氛围，买方多以探价为主，实际购货意愿低迷。仅DDR5品牌颗粒保有零星买盘支撑；DDR4颗粒则因需求不振，导致供应商虽向下调节报价，仍无法有效刺激买卖需求，整体价格延续向下修正趋势，最终成交情况萧条。

NAND：近期呈持续下修态势，部分贸易商因资金周转压力采取降价变现措施。4月27日TLC 512Gb/TLC 256Gb/TLC 128Gb现货价分别为20.59美元/10.48美元/6.58美元，较上周环比-1.8%/持平/持平，整体来看，NAND颗粒也出现小幅回调。根据TrendForce数据，NAND现货价格在过去一个月呈持续下修态势，累计跌幅已达30-40%。跌价主因在于先前现货价位过高，买方承接意愿低迷；此外，部分贸易商面临资金周转压力，采取降价变现策略，动摇市场信心。此举导致有实质需求的买方产生后续续降的预期心理，目前普遍采取观望态度。

近期各类存储产品现货价均趋稳，个别PC SSD价格小幅上涨。根据闪存市场数据，原厂NAND资源官价高位坚挺，并且本月部分资源收紧供应，而与资源捆绑更深的嵌入式存储及行业SSD成本居高不下，成品价格始终保持平稳。去年四季度以来存储市场供需反转下，部分PC OEM并未能及时和原厂达成深度的战略合作，使其在争取供应时的话语权偏低，从而通过引入更多的国产存储厂商来纳入供应体系以保证供应稳定性，部分行业厂商凭借品牌、产品等优势承接该部分需求。基于原厂Q2坚定拉涨PC存储价格至0.30美金/GB上下区间范围，但面向存储厂商释放的资源单价早已在3月全面突破0.20美金/GB，行业厂商在采购高价资源同时也正不断推涨成本压力，加上原厂面向PC OEM出货的SSD产品多以高容量为主，行业厂商在256GB及以下容量的SSD产品上拥有较充分的议价权。4月28日行业256GB SATA/PCIe 3.0 SSD价格呈个位数百分比上涨。

3、合约价格：预计二季度NAND涨幅超过DRAM，手机、PC等领域价格也将持续走高

存储合约价持续上涨但涨幅较一季度收窄，NAND合约价二季度涨幅高于DRAM。预计26Q2 DRAM合约价环增58-63%，NAND合约价环增70-75%。根据TrendForce数据，2026年第二季因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用，并采用“补涨”策略拉近各类产品价差，尽管终端市场面临出货下修风险，预估整体传统 DRAM合约价格仍将环增58-63%。NAND Flash市场持续由AI、数据中心需求主导，全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季整体合约价格将环增70-75%。

DRAM：服务器端短期内供给仍维持紧缩，手机、PC端26Q2价格将持续坚挺。根据TrendForce数据，①PC：尽管整机需求出现下修，但原厂同步缩减对PC OEM、模组厂的供货，导致原厂满足率较低的PC OEM需加价向原厂或模组厂采购，对价格形成支撑；②服务器：北美云端服务供应商对AI推理的应用情境逐渐明确，带动AI Server、通用型Server需求上升，大容量RDIMM成为主要采购目标。供给方面，原厂考量Server DRAM的获利居各类产品之首，优先分配位元产出至此。目前原厂也正与主要客户洽谈长期协议，作为未来扩产依据，然而短期供给仍维持紧缩；③手机：品牌因存储器成本压力持续累积，不排除自2026年第二季起调整生产计划，但预估上半年对手机DRAM的拉货力道暂不致出现大幅收缩。整体而言，随着原厂与指标客户谈定第二季价格、立下涨幅基准，加上原厂欲借由补涨缩小各应用间价差，手机DRAM合约价将较前一季持续走升。

预计26Q2消费类DRAM合约价环增45-50%。根据TrendForce数据，大厂逐步退出成熟DDR4以下产品制造的策略不变，在市场供给结构持续收敛下，过去几个月整体价格已累积惊人涨幅。考虑到供给持续缩减、订单转移，以及成熟制程供应商产能扩张不及等因素，预估2026年第二季消费类DRAM合约价格仍将持续环增45-50%。

NAND：服务器端需求持续旺盛，当前NAND各品类供给缺口仍在二季度价格涨势将延续。根据TrendForce数据，2026年第二季NAND Flash原厂虽通过制程升级、调升QLC比例提高位元产出，但增加幅度有限。来自AI Server的需求保持强劲，PC、智能手机厂商则被迫缩减产品容量，以抑制NAND Flash需求量。随着生成式AI进入大规模应用阶段，高效能SSD需求显著增长，企业级SSD订单成长未见放缓。供给方面，2026年将明显缺货，新产能预计要到2027年底或2028年才能大规模开出。CSP为确保供货稳定，愿意接受涨价并签订LTA，更增添原厂上调价格动力。

即便PC需求不见好转，但买方预期Client SSD价格将持续上行，且担心产能遭Server完全排挤，出现库存回补需求。然而供应商为追求营业利益最大化，持续缩减对Client SSD的供给，第二季价格涨势不减。

eMMC/UFS部分，即使智能手机市场低迷，旗舰机AI功能对高速传输的需求维持刚性，车用、工控需求也小幅回温。从供给面来看，eMMC/UFS与Enterprise SSD在部分制程上高度重叠，但单位利润远低于后者，导致供给缺口最大，预计第二季价格也将大幅提升。

五、销售端：多年期长协持续加固业绩能见度，存储供需紧缺或将延续至2027年

26Q1全球存储行业量价齐升，各环节营收与利润均创历史新高，供需紧缺格局或延续至2027年。原厂端，三星、海力士、美光、南亚科26Q1营收与毛利率同步突破历史纪录，DRAM ASP环比上涨mid-60%、NAND ASP环比上涨mid-70%，业绩超出市场预期；各原厂已积极与客户推进多年期战略协议（SAC/NBM/LTA），部分合同期限已延伸至2029年，业绩能见度与稳定性显著提升。供需方面，美光、三星等均明确指出，存储器供需紧缺有望持续至2027年甚至更久，行业有望迎来史上持续时间最长的上行周期之一。

中国台湾与大陆各环节亦全面受益，3/4月单月营收普遍创历史新高。中国台湾利基型厂商（华邦、旺宏、晶豪科等）产能持续满载，合约价涨幅倍数以上，eMMC等细分品类缺货尤为突出；模组厂（群联、威刚、创见等）受AI驱动的高容量需求带动，26Q1单季营收创新高，普遍对全年维持正向展望。大陆方面，兆易创新、江波龙、德明利、佰维存储等头部厂商26Q1营收与归母净利润大幅增长，三家模组厂平均单月利润约10亿元，盈利能力大幅跃升；随着海外大厂逐步退出2D NAND及利基DRAM市场，大陆厂商亦有望持续扩大市场份额。

1、原厂：26Q1营收与利润再创新高，签署多年期协议业绩能见度提高

海外存储大厂26Q2业绩指引再创新高，全年盈利能力将进一步提升。①美光：2026年DRAM、NAND行业位元需求均将受供应限制，且DRAM、NAND供需紧张格局将持续至2026年之后；②闪迪：需求端，2027年数据中心增长预期从三个月前的60%区间上调至mid-70s。数据中心之外，由于出货量下滑，市场有些收缩，预计2027年会有反弹。供应端，公司可以维持mid to high-teens的BiCS增长而不需要大量新建产能；③西部数据：26Q1每TB定价同比增长约8%-9%，每EB成本同比下降约10%；④希捷：公司有信心将未来几年的年化营收增长目标从low to mid-teens显著上调至最低20%。公司的技术战略优先考虑面密度创新而非增加数量，为客户提供更优的每TB成本和功耗效率，公司将数据中心EB增长目标设定在mid-20%。

存储器原厂龙头：四大原厂26Q1营收与利润再创历史新高，存储器价格持续上涨且AI需求旺盛，各原厂已开始签订多年期SAC协议，进一步提高业绩的能见度与稳定性，预计存储行业供需紧缺或将延续至2027年。

1） 三星电子：HBM业务收入预计26年同比增长3倍，2027年行业供需缺口或将进一步扩大。26Q1营收133.9万亿韩元，同比+69%/环比+43%，毛利率61.2%，同比+25.7pcts/环比+14pcts，营业利润57.2万亿韩元，同比+756%/环比+185%，创历史新高，其中存储业务收入74.8万亿韩元，同比+292%/环比+101%。公司HBM收入预计今年同比将实现三倍增长，26Q3开始HBM4的收入将占HBM总收入的一半以上。行业供需紧缺持续，客户已开始预定2027年需求，基于当前情况，预计2027年供需缺口将较2026年进一步扩大；

2） 海力士：26Q1业绩再创新高，当前现货价波动并非市场见顶信号。26Q1营收52.58万亿韩元，同比+198%/环比+60%；毛利率为79%，同比+22pcts/环比+10pcts；净利润40.35万亿韩元，同比+398%/环比+165%，营业利润率高达72%，净利率达77%，同比+31pcts/环比+31pcts。公司业绩再创新高，主要系DRAM和NAND价格持续上涨及高附加值产品占比提升。现货市场在整体DRAM市场中占比极小，交易的产品类型和数量与公司业务差异较大，现货市场变化不能反映整体市场情况。当前企业级存储需求旺盛，同时供应商短期内难以增加供应，供需失衡持续存在，现货价格温和波动并非市场见顶的信号，而是近期价格上涨后部分分销渠道库存进入市场导致的暂时性现象；

3） 美光：26Q1营收与毛利率大超预期，已成功签署五年期SCA协议。26Q1（FY26Q2）营收238.6亿美元，同比+196%/环比+75%，大超此前指引（183-191亿美元）；Non-GAAP毛利率74.9%，同比+37pcts/环比+18.1pcts，大超此前指引（67-69%），毛利率提升主要源于产品均价上涨，同时受益于产品结构优化与成本管控成效。运营利润率为69.0%，同比+44pcts/环比+22pcts。公司持续与客户推进战略客户协议，该协议不同于以往的LTA，包含多年期明确承诺，以提升业务模式的可见性与稳定性，目前已成功签署首份五年期战略客户协议；

4） 南亚科：26Q1营收与毛利率高增，预计DRAM供不应求将至2027年。26Q1营收15.5亿美元，同比+608%/环比+60%，创单季历史新高，毛利率为68%，同比+83pcts/环比+19pcts。公司预计Q2可维持高毛利率表现，未来第3、4季也会延续，DRAM供不应求将至2027年。

分业务来看，海力士与美光DRAM业务收入占比均在七到八成，26Q1 DRAM与NAND价格环比分别增长约mid-60%、mid-70%。

1） 海力士：①DRAM：26Q1出货量环比持平，符合公司此前指引，公司在供应受限下优先向HBM和128GB及以上高密度服务器模块分配产能。ASP方面，受常规存储器价格加速上涨带动，DRAM ASP环比上涨mid-60%。②NAND：26Q1出货量环比下降约10%，主要系上一季度高基数效应、减少分立器件销售以及转向高附加值产品导致生产提前期延长所致。ASP方面，受益于全线产品强劲定价，NAND ASP环比上涨mid-70%；

2）美光：①DRAM：FY26Q2营收188亿美元，同比+207%/环比+74%，位元出货量环比中个位数增长，ASP环比增长mid-60%。②NAND：FY26Q2营收50亿美元，同比+169%/环比+82%，位元出货量环比低个位数增长，ASP环比增长high-70%。

海外NAND/HDD厂：受益AI推理需求激增各家业绩营收与毛利均高增，长协已取得实质性进展，涵盖量价要求与财务担保，公司业绩能见度进一步提高，多家已签至2028年及以后。

1） 闪迪：FY26Q3业绩大超预期，公司签署五份NBM协议涵盖27财年超三分之一的位元生产量。FY26Q3收入59.50亿美元，同比+251%/环比+97%，超此前指引（44-48亿美元），主要由产品结构向高价值客户的迁移以及更高的定价驱动。公司的BiCS出货量同比持平，环比下降high-teens，主要是为了建立更高的库存水位，以支持下季度强劲的BiCS8 QLC需求、Stargate 放量以及为近期签署的新商业模式做准备；Non-GAAP毛利率78.4%，同比+55.9pcts/环比+27.5pcts，超此前指引（65%-67%）。关于NBM，本季度公司签署了三份协议，第四财季迄今又额外签署了两份，目前与多家客户的谈判仍在积极推进。协议期限各异，最长合同延伸至五年。总体合同期内的交付量承诺逐步递增，按季度结算，定价采用固定与浮动相结合的模式。本季度签署的三份合同提供的RPO约为420亿美元。签署的五份协议合计包含逾110亿美元财务担保，这五份NBM覆盖了2027财年公司预计生产的位元量超三分之一，未来有望达到50%以上；

2） 西部数据：部分LTA已延伸至2029年，预计长期数据存储增长CAGR将超过25%。FY26Q3营收33.37亿美元，同比+45%/环比+11%，超指引上限（31-33亿美元），受所有终端市场强劲需求及改善的定价环境驱动；毛利率为50.5%，同比+10.4pcts/环比+4.4pcts，超出此前指引上限（47%-48%），主要系高容量驱动器产品结构持续优化、定价策略执行及严格成本管控共同驱动。公司预计长期数据存储容量增长CAGR将超过25%。关于LTA，公司与客户的长期协议能见度持续改善，协议期限现已延伸至2028年和2029年。LTA基本包含约定的EB出货量，以及与之挂钩的定价。根据协议期限，可能设有随新容量节点或新能力引入而调整定价的阶段性机制；

3） 希捷：FY26Q3营收与利润持续增长，公司与客户合作已延伸至2028年及以后。FY26Q3营收31.12亿美元，同比+44.07%/环比+10.16%，超此前指引（28-30亿美元）；Non-GAAP 毛利率为 47%，同比+10.8pcts/环比+4.8pcts，创历史新高；Non-GAAP 营业利润率为37.5%，同比+14pcts/环比+5.6pcts，超此前指引（35%）。公司正与大客户敲定直至2027财年末的按单定制合约，合约明确约定了具体产品配置与定价。公司采用价值定价策略，既让客户可以安心做长期采购规划，也能支撑希捷自身利润持续增长。同时公司已主动开展战略规划洽谈，合作规划已延伸至2028年及以后。

2、台厂：利基缺货持续或将延续至27年，存储涨价趋势持续

存储模组：26Q1各家营收均创单季历史新高，积极管库全年营运保持正向看法。

1） 群联电子：26Q1营收再创单季新高，市场对高性能存储需求持续升温。公司26Q1营收409.67亿新台币，同增196%。近期营运动能持续受惠于AI应用快速扩展，市场对高效能与高容量存储的需求持续升温；

2） 创见信息：26Q1营收创单季历史新高，传统存储器仍供不应求。2026Q1营收136亿新台币，环增100%，单季毛利率76.39%，较上季度61.6%大幅成长。创见表示，受到AI需求爆发引发结构性缺货，传统规格存储器仍供不应求，存储器市场维持高度景气。未来透过供应链及库存管理、自动化产线优化制造效率，以及费用精实管理，展现高获利的营运成果，并将持续稳定供货，维持长期客户关系及提升服务价值；

3） 威刚：26Q1营收与利润均创新高，公司新增工规与企业级客户。2026年第1季营收为261.1亿新台币，同增163.76%。DRAM占达68%仍为第一大产品项；SSD约24.9%；其他产品7.1%。DRAM及NAND Flash合约价仍将至少40%以上涨幅，公司因工控及企业级新客户加入，单季营收及利润均新高；

4） 十铨：26Q1营收创历史新高，下半年整体营运保持正向看法。2026年第1季营收为95.58亿新台币，环增50.53%，单月及单季营收同步创历史新高。展望2026年第2季至下半年，十铨表示，DRAM与NAND Flash需求预期维持强劲，将透过长期采购策略与安全库存管理机制确保稳定供货，对于整体营运保持正向看法。

月度营收来看，模组厂3/4月营收同比均高增创单月历史新高，普遍认为当前存储缺货或将持续至2027年，涨价趋势也将延续，同时，短期现货价波动不代表整体存储器价格会下跌。

1） 群联电子：3月营收高增创单月历史新高，NAND位元出货环比增长。3月营收183.17亿新台币，同比+221%/环比+50%，群联表示，受惠于AI推论带动的高容量NAND存储需求及供应紧缩，PCIe SSD控制芯片总出货量同增25%，同时NAND位元出货量也呈现环增18%的稳健成长；

2） 创见信息：4月营收创单月历史新高，2027年供应缺口是否改善仍不确定。4月营收74.49亿新台币，同比+594%/环比+31%，公司表示，2026年存储器的全年供给紧张情况并不易改善。预期第2、3季价格将维持高档，第4季供应情况亦不改善，整体市况有望呈现较以往更长的上行循环。至于2027年是否改善，仍高度不确定；

3） 威刚：2027年存储持续缺货，预计价格将延续上涨趋势。4月营收105.56亿新台币，同比+170%/环比+0.2%，NAND Flash合约价涨势扩大。威刚表示，从全球AI布建速度，2027年存储器持续缺货没有疑问，2026年上半DRAM涨势较早启动，下半年将由NAND接棒续涨，预计2026年下半年-2027年，DRAM与NAND两大存储器价格将延续上涨趋势；

4） 十铨：3月营收环比增长3倍，当前现货价波动不代表整体存储价格会下跌。3月营收49.16亿新台币，同比+120%/环比+327%，十铨指出，存储器产业进入结构性超级景气，预计涨价延伸至2027年底，近期消费性需求降温，但现货市场价格的短期波动下滑，只是反应出代理端已无法承受高价，并不代表整体存储器价格会下跌。

利基型存储：25Q3各家营收、毛利环比改善，随着大厂逐渐退出利基型市场，存储涨价预计将在25Q4及2026年的各公司业绩上体现更明显。

1） 华邦：26Q1盈利水平大幅增长，公司产能利用率维持满载。26Q1营收12.09亿美元，同比+37%/环比+18%，毛利率53%，同比+28pcts/环比+12pcts，净利率26%，同比+32pcts/环比+14pcts。公司存储器事业产能利用率持续维持约100%满载水准。

2） 旺宏：26Q1扭亏为盈，公司2026年业绩将呈现逐季向上。26Q1营收3.31亿美元，同比+31%/环比-6%，毛利率41%，同比+23pcts/环比+17pcts，净利率17%，同比+31pcts/环比+21pcts，主要是3月起价格大幅调涨，以及存货去化回转收益。公司表示2026年将呈现逐季向上，第1季仅为营运回温起点，后续毛利率仍具成长空间。

3） 晶豪科：本次存储缺货或将以往更久，2026上半年合约价涨幅至少一倍以上。26Q1营收2.3亿美元，同比+30%/环比+14%，毛利率48%，同比+36pcts/环比+15pcts，净利率28%，同比+31pcts/环比+7pcts，受益于产品组合优化与市场需求回升。此次存储器周期成长是30年来最猛烈的一次，将较2021年受疫情造成的假性缺货影响更久，2026年上半合约价涨幅至少倍数以上；

4） 钰创：受益存储价格上涨及需求旺盛，公司25Q4单季实现扭亏为盈。25Q4营收0.51亿美元，同比+145%/环比+44%，毛利率22.8%，同比+13pcts/环比+10pcts，净利率4.3%，同比+24pcts/环比+17.5pcts，受益于存储价格上涨与需求旺盛，公司实现扭亏为盈。

月度营收来看，各家3/4月营收均创单月历史新高，利基存储整体需求旺盛，部分利基产品缺货明显且将持续。

1） 华邦：3月营收创单月新高，DDR4与NOR Flash需求旺盛。3月营收145.01亿新台币，同比+91%/环比+21%，创单月营收新高。受惠于NOR与SLC NAND畅旺需求，高容量产品线整体出货占比持续提升；

2） 旺宏：4月营收创历史新高，eMMC存在明显缺口未来持续供不应求。4月营收59.13亿新台币，同比+154%/环比+34%，旺宏表示，未来透过扩产，将NOR与NAND（含eMMC）比重逐步提升接近1：1，而目前市面上的4~32 GB eMMC应用，正是公司能提供的规格。整体而言，MLC eMMC产品存在明显缺口，未来将持续供不应求，预计新进者加入也要等到3年后；

3） 晶豪科：4月营收创历史新高，客户更担心缺货而不是价格。4月营收46.34亿新台币，同比+349%/环比+53%，晶豪科指出，目前客户端提供的订单能见度已谈到3~6个月，普遍更担心的是缺货问题，而不是价格；

4）钰创：4月营收创历史新高，持续受益存储价格上涨。4月营收13.33亿新台币，同比+417%/环比+21%，存储价格快速上涨，供应持续紧缺，公司营收快速增长。

3、大陆：26Q1利基与模组盈利能力大幅提升，存储价格上涨对公司全年业绩有显著拉动

模组厂：26Q1存储涨价对公司营收与盈利能力提升明显，三家模组厂平均单月利润达10亿元左右，盈利能力大幅提升，预计全年业绩有望持续高增。

1） 江波龙：Q1营收与利润高增创历史新高，公司与多家原厂签订LTA锁定供应链资源。26Q1营收99.09亿元，同比+133%/环比+64%，毛利率55.5%，同比+45.15pcts/环比+24.69pcts，净利率40.16%，同比+43.52pcts/环比+27.93pcts；归母净利润38.62亿元，环比+443%，扣非归母净利润39.42亿元，环比+387%。公司与多家原厂顺利续签LTA与MOU，深度锁定核心供应链资源，为未来的长远发展夯实了资源基础；

2） 德明利：Q1公司经营业绩大幅提升，存储价格持续上涨。26Q1营收75.38亿元，同比+502%/环比+83%，归母净利润33.46亿元，环比+368%，在AI需求爆发式增长、AI应用快速落地背景下，行业供应整体保持偏紧态势，行业景气度持续上行，存储价格持续上涨，公司经营业绩大幅提升；

3） 佰维存储：Q1利润大幅增长，行业进入高景气周期。26Q1营收68.14亿元，同比+342%/环比+44%，归母净利润28.99亿元，同比+1568%/环比+252%，扣非归母净利润28.16亿元，同比+1406%/环比+251%。本季公司毛利率53.3%，同比+51.3pcts/环比+21.4pcts，净利率达42.4%，环比+24.5pcts。公司单3月营收约23.14-28.14亿元，归母净利润10.99-13.99亿元，净利率约48.7%；1-2月平均单月营收约20-22.5亿元，平均单月归母净利润约7.5-9亿元，平均净利率约38.8%。单3月营收与利润环比进一步增长，主要受益于AI算力爆发，存储行业进入高景气周期，市场需求旺盛推动产品价格持续上涨。

利基型存储：存储行业周期上行，供需结构优化推动量价齐升，26Q1头部厂商营收与利润同环比增幅明显，随着海外大厂逐步退出2D NAND市场，给利基厂带来新的增量空间。

1） 兆易创新：26Q1利润大幅增长，公司26年与长鑫关联交易达57.11亿元。26Q1营收41.88亿元，同比+119%/环比+77%；毛利率57.08%，同比+19.64pcts/环比+12.17pcts；净利率35.16%，同比+22.6pcts/环比+11pcts；归母净利14.61亿元，同比+522%/环比+159%。公司26年与长鑫科技关联交易采购额达57.11亿元，远超去年水平，随着海外大厂退出2D NAND及利基DRAM市场，公司未来有望进一步抢占份额实现业绩高增；

2） 普冉股份：26Q1 SHM营收占比超50%，公司各产品线价格持续修复。26Q1营收14.47亿元，同比+256%/环比+63%，归母净利润2.51亿元，同比+1260%/环比+69%，其中SHM Q1营收7.43亿元，净利润2.5亿元。经过连续季度去库存，以及海内外大厂等龙头厂商受AI 需求爆发导致的产能挤占和传导，公司产品线价格企稳修复；

3） 东芯股份：26Q1营收创历史新高，存储主业盈利水平提升带动公司整体业绩上行。26Q1营收4.79亿元，同比+237%/环比+37%；毛利率53.17%，同比+39pcts/环比+24.4pcts，净利率为31.99%；归母净利1.38亿元，环比扭亏。上海砺算本季投资亏损约2100万元，公司存储主业盈利水平的显著提升带动整体业绩上行；

4） 北京君正：一季度盈利水平大幅提升，客户为保供往往需求迫切。26Q1营收15.6亿元，同比+47%/环比+20%，归母净利润3.19亿元，同比+332%/环比+165%。一季度收入增长的贡献中，大部分是价格贡献的。就供货而言，市场很缺货的时候，客户为了保供，往往对需求还是比较迫切，由于计算芯片的原材料之一KGD比较缺货，目前我们计算芯片也是采用分货方式，无法保证所有客户的需求；

5） 聚辰股份：公司持续完善非易失存储布局，汽车、工业等领域出货快速增长。26Q1营收2.8亿元，同比+7%/环比-3%，归母净利润0.31亿元，同比-69%/环比-29%，营收同比增长主要受益于近年来公司持续完善在非易失性存储芯片市场的产品布局，并不断加强对产品的推广、销售及综合服务力度，公司应用于汽车电子和工业控制领域的高可靠性EEPROM芯片、NOR Flash芯片和NFC芯片的出货量较去年同期实现快速增长，较好缓解了PC和智能手机市场需求短期波动对公司产品销售带来的影响，成为公司收入规模扩张的重要驱动力；

6） 恒烁股份：26Q1营收与利润高增，公司NOR业务稳步发展。26Q1营收2.19亿元，同比+192%/环比+30%，归母净利润0.49亿元，同比+285%/环比扭亏，公司 NOR Flash 业务围绕技术平台升级、产品结构优化及重点应用市场拓展持续推进，整体经营保持稳步发展态势。

六、投资建议：建议关注海外存储/国内原厂/模组/利基和上游产业链公司

26Q1存储产业链各公司业绩表现均亮眼，具备约束力的长协落地对存储公司业绩能见度与增长提供显著保障。当前存储缺货持续加剧，供应很难在短时间内大幅增加，预计供需缺口或将持续至2027年，存储合约价涨势同样将延续，后续市场价格趋势和各环节公司业绩增长持续性是核心关注点，建议关注存储+设备+产业链三大核心环节相关公司：

1、海外存储：盈利能力持续提升，逐步退出低端产品线，大幅扩充HBM、DDR5等先进制程产能，未来产品结构有望进一步优化，叠加AI需求旺盛及价格持续上涨，带动公司业绩进一步高增，建议关注：***、***、***、***、***、***、***等；

2、国内原厂：价格上涨带来盈利能力提升，积极扩产满足国产替代需求，IPO募资助力产能提升加速，建议关注***、***；

3、模组：全年售价有望逐季上行，本轮周期业绩上行时间延长，利润望再创新高，建议关注：***、***、***、***、***、***等；

4、利基存储：海外大厂加速退出DDR3/4及SLC NAND等利基市场以转攻HBM/DDR5，导致供给端出现紧缺。随着供需错配加剧推动利基产品价格补涨，叠加国产化替代加速，相关公司有望迎来量价齐升，建议关注：***、***、***、***、***、***等；

5、代工和封测：需求激增传导至上游导致对应代工和封测产能紧张，上游缓解涨价带来对应业务对业绩产生正向贡献，同时部分公司逐步深度参与国产存储产业链环节，建议关注***、***、***、***、***、***、***等；

6、存储设备和材料：国内存储原厂扩产加速有望带动国内半导体制造资本开支重回上行周期，关注客户卡位良好及存储敞口较高的存储设备公司如***、***、***、***、***、***、***、***、***、***、***、***、***等。

风险提示：

AI算力资本开支不及预期：本轮存储上行周期高度依赖AI服务器对HBM及大容量NAND的结构性拉动。若北美CSP缩减资本开支，或AI应用商业化变现路径受阻导致算力建设放缓，将导致原厂高端产能利用率不足，进而动摇当前“供需紧平衡”的行业基础。

库存减值风险：当前利基型存储与模组厂商库存普遍处于历史高位（库存周转天数偏高）。虽然目前高库存是享受涨价红利的资产，但若行业景气度发生逆转或价格出现松动，高额的战略库存将迅速转化为巨大的资产减值损失及流动性压力。

国际贸易摩擦与供应链波动：存储产业链高度全球化。若地缘政治博弈加剧，导致半导体设备、原材料出口管制进一步收紧，或关税政策发生重大变化，将影响国内存储厂商的供应链安全及海外市场拓展。

行业竞争加剧：虽然原厂产能转向HBM和DDR5导致通用型产能紧缺，但若国内晶圆厂在利基型DRAM（如DDR3/4、SLC NAND）领域扩产激进，可能导致该细分市场在2026年出现结构性供过于求。届时，利基型存储价格可能与高端存储价格走势“脱钩”，压缩相关厂商的盈利空间。

汇率波动风险：存储行业具有典型的全球化特征，原厂采购多以美元结算，而国内厂商销售涉及人民币与美元的转换。若人民币汇率出现大幅波动，可能对由于库存囤积带来的汇兑损益产生显著影响，进而侵蚀模组厂商的净利润水平。

价格下行的风险：当前存储市场已进入急涨阶段，短期内价格涨幅巨大。若下游终端需求（尤其是PC、智能手机及非AI服务器市场）复苏力度疲软，且终端厂商无法将上游存储成本的飙升顺利传导至消费者，可能引发下游模组厂及OEM厂商的激烈抵触或削减采购订单。此外，若原厂在高利润驱动下过早打破供应纪律、产能释放速度超预期，可能导致供需关系在短期内重新转松，进而引发存储价格涨幅不及预期甚至高位回落，对产业链公司业绩修复造成不利影响。