三星Foundry的8nm eMRAM工艺有了第一个商业客户。
5月7日，韩国ASIC设计公司SEMIFIVE与中国寒序科技（ICY Tech）联合宣布，一颗基于三星8LPU工艺的eMRAM边缘AI SoC完成流片，并已提交三星进行MPW（多项目晶圆）制造，量产排期已在推进中。这是亚洲首款基于8nm eMRAM进行商业化出货尝试的芯片。
嵌入式与独立式MRAM不是一回事
当前MRAM商用的路线有两条。独立式MRAM，如Everspin面向国防客户的产品，是独立于CPU/GPU之外的存储颗粒，通过SPI或并行总线通信。嵌入式MRAM则不同：它和逻辑电路、SRAM缓存集成在同一颗SoC的die上，省去了片外通信的功耗和延迟，但对工艺兼容性要求极高——MTJ（磁隧道结）的几十层纳米薄膜不能影响CMOS逻辑层的性能，逻辑层的热预算反过来也不能破坏MTJ的磁性。能在8nm节点解决这个问题，说明三星的工程能力扎实。
此前eMRAM的量产集中在28nm/22nm节点（三星和GF均有产品），此次直接跳入8nm，是一个大的制程升级。eMRAM写入速度比NOR Flash快约一千倍，位单元面积比SRAM更小，且断电不丢数据——这三项优势在边缘AI场景里有实际价值。
谁在做这颗芯片
寒序科技在国内半导体圈并非广为人知，但其学术背景决定了它出现在这个位置上并不偶然。公司脱胎于北京大学物理学院应用磁学中心，专攻自旋电子学与磁逻辑计算。CEO朱欣岳曾在一场行业闭门会上提到：“磁性存储的逻辑不是取代DRAM，是在功耗敏感、需要数据常驻的场景里提供一个SRAM做不了的选项。”这句话点出了eMRAM的应用边界：端侧设备，电池供电，需要离线运行且对唤醒速度有要求。
SEMIFIVE的角色是ASIC设计服务商。它是三星Foundry SAFE DSP生态的核心成员，拥有成熟的SoC设计平台。双方的分工很简单：寒序负责MRAM bit-cell设计和PNM（近存计算）架构；SEMIFIVE负责把整颗SoC搭出来、跑通三星PDK、完成流片。这种合作模式也反映出一个现状：在8nm节点上做eMRAM，门槛不只在于工艺，还在于设计能力——MTJ阵列的控制电路、读写驱动、纠错编码，都需要专门的设计know-how。
2B参数是怎么选的
这颗芯片标称支持最高20亿参数（2B）的离线端侧推理。
目前手机端能运行的LLM大约在7B参数水平（经4-bit量化），但需要8GB以上的统一内存带宽。1-2B参数这个区间，是SRAM方案开始吃力、用外部DRAM又太耗电的尴尬地带。一个2B参数的transformer模型，权重大约4GB（FP16），放在片上SRAM里成本不可接受，放在片外LPDDR里每次推理都要来回搬运数据，功耗会吃掉电池。
eMRAM可以放在片上，密度比SRAM高数倍，还没有DRAM的刷新功耗。寒序的PNM架构进一步将计算靠近存储阵列——这不是存算一体那种激进方案，而是一种减少数据搬运的务实折中。最终效果是：在完全离线的情况下，这颗芯片可以处理文本摘要、翻译、对话推理等任务。
应用场景在哪里？AI PC：用户不希望本地AI助手每次打字都要把上下文发到云端。私域AI代理：企业客户的数据不能出本地。人形机器人和自动驾驶：延迟比带宽更重要，10ms的云端往返对实时控制来说太长了。
两条路线，一个窗口期
台积电在SOT-MRAM上下了重注。2025年9月发表在Nature Electronics的Beta-W SOT-MRAM论文展示了1纳秒级写入速度和超过10年的数据保持能力，隧穿磁阻比达到146%。但SOT-MRAM离量产还有距离——电流密度、热稳定性、和CMOS的集成都需要更多时间。三星选择了一条更近的路：利用好已有的STT-MRAM，在8nm上做嵌入式集成。技术风险更低，上市时间更短。
代价是STT-MRAM的写入功耗比SOT高，写入速度也慢一些（几十纳秒对亚纳秒）。但在边缘推理场景里，模型权重大多是只读的——推理时主要做读取，不是写入。STT的写入劣势在这个特定应用里反而不那么致命。三星和寒序选的是一条务实路线：用成熟技术解决真实瓶颈。
这并不等于SOT-MRAM没有未来。SOT的优势要真正释放，需要在高频写入等场景（比如替代SRAM做Cache）。边缘AI推理恰好对写入不敏感，对密度和功耗敏感——这就是STT-eMRAM的窗口期。
写在量产之前
这颗芯片还没有量产。从流片成功到量产之间有大量不确定性：良率、MTJ可靠性、写耐久性在实际工作负载下的表现、三星MPW产能排期等。三星8nm eMRAM此前没有商业量产出货的记录，所有可靠性数据都来自内部测试。第一颗商用芯片意味着第一颗要面对真实环境考验的芯片。
寒序和SEMIFIVE没有公布芯片面积、功耗数据、目标售价，也没有说明这款SoC上除了eMRAM阵列之外还有多少SRAM、用的是哪个CPU核。这些都是判断产品竞争力的关键信息。目前的披露还在“告诉大家这件事做成了”的阶段，离“告诉大家这件事为什么能赢得客户”还差一步。
但这颗芯片至少说明了一点：在28nm eMRAM量产多年之后，有人终于把它推进到了8nm先进节点。如果后续量产顺利，它给整个MRAM行业传递出一个信号：嵌入式磁性存储可以在先进逻辑工艺上存活，而且有客户愿意为它设计一颗SoC。在此之前，很多人的疑问是“eMRAM会不会永远困在28nm”，三星和寒序的这次流片给出了一个初步的否定答案。
剩下的问题，交给量产数据去回答。
