199-调研报告:《2026Q1全球存储市场总结与Q2展望》_展会资讯_资讯

199-调研报告:《2026Q1全球存储市场总结与Q2展望》

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核心速览

2026Q1全球存储市场受AI服务器需求驱动，呈现供需紧张、价格大幅上涨态势，Q2预计NAND涨幅高于DRAM，消费类市场需求承压，产业链各环节营收和利润显著增长。

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主要内容介绍

总结与展望：供需与价格

市场主导因素
：全球大型云服务商加码数据中心和算力集群建设，AI训练和推理需求导致服务器存储（DRAM、HBM、企业级SSD）采购规模扩大，新增服务器需求虹吸全球存储产能，消费类存储价格被动跟涨。CFM预计二季度Mobile NAND和DRAM环比上涨超85%，cSSD涨幅50%至60%，PC DRAM涨幅30%至40%，eSSD涨幅40%至50%，服务器DRAM涨幅30%至35%，NAND涨价幅度高于DRAM。
NAND市场分析
：AI大模型训练及多模态推理推动企业级SSD需求，NAND资本支出滞后于需求，叠加DRAM Cache短缺，eSSD整盘出货增长有限。服务器市场对NAND价格接受度高，TLC eSSD向Gen5 8TB/16TB迭代，新增32TB/64TB QLCeSSD需求，原厂将消费类NAND供应向eSSD转换，导致NAND Flash wafer和cSSD供应减少，cSSD价格走高，NAND ASP整体翻倍传导至嵌入式UFS/eMMC，消费类NAND需求承压，逐步走向低库存、低需求、弱供给的新平衡。
DRAM市场分析
：AI服务器RDIMM、HBM、LPDDR5X等需求吞噬全球DRAM产能，高性能GPU/CPU演进使系统性能瓶颈转向内存，AI服务器对存储带宽和容量要求提升，DRAM成为关键瓶颈资源，CSP大客户锁定DRAM产能。原厂超50% DRAM产能投向服务器DDR5及HBM仍无法满足需求，服务器出货受内存齐套制约。北美手机及CSP头部大客户接受高价内存能力强，成为DRAM市场“价格锚”，消费类PC和其他终端被动接受涨价，DRAM价格由头部客户向其他市场传导，原厂向核心战略客户倾斜供应。
2026年价格趋势
：存储价格将逐季上涨，服务器NAND和DRAM继一季度翻倍上涨后，二季度涨幅收敛（尤其是DRAM），全年呈逐季涨幅收窄趋势。Mobile和PC存储合约价上涨以收敛与服务器ASP价差为动力，二季度Mobile合约价将录得全年最大涨幅，不排除环比翻倍。存储成本暴涨抑制消费需求，手机终端出现砍单，下半年供应商将采取温和稳定价格策略。

主要应用市场及价格表现

Server市场
：二季度预计服务器eSSD上涨40%至50%，DDR5 RDIMM上涨30%至35%。AI数据中心扩张推动存储系统升级，AI训练和推理需高I/O吞吐和低延迟访问，大模型训练依赖庞大数据集，推理阶段RAG和KV缓存优化推理能力，多模态AI Agent数据存储规模飙升。多核CPU核心数持续增加（AMD Bergamo 128核、Turin 192核、Venice 256核；Intel Sapphire Rapids 60核、Emerald Rapids 64核、Granite Rapids 128核、Clearwater Forest 288核），内存带宽增速低于核心数增速，内存I/O成为瓶颈，AI服务器核存比达1:8，DRAM单机容量2TB至3TB，较传统服务器高3到5倍。HBM显存带宽随迭代跃升（HBM2e/HBM3时期2TB/s至3.5TB/s，Blackwell架构8TB/s，HBM4时代突破20TB/s），HBM4单die面积较HBM3e增加15%至20%，消耗更多通用DRAM产能，大客户和原厂签订长约推动DRAM进入卖方市场。英伟达Blackwell Grace CPU搭载480G LPDDR5X，下一代Vera CPU搭载1.5TB LP5X，纯CPU机架需384TB LP5X，虹吸LPDDR5X产能。AI推理驱动eSSD需求爆发，eSSD从容量扩展升级为决定推理性能和成本的关键。一季度128GB DDR5 ASP约$1.80~1.90/Gb，96GB约$1.60/Gb，64GB约$1.40~1.50/Gb，二季度服务器DRAM涨幅放缓至30%至35%。2026年仅SK海力士M15X新工厂释放DRAM产能，全球DRAM Bit供应增长不足20%，服务器DRAM Bit需求增长超40%，缺口显著，原厂将更多产能调配至RDIMM，今年DRAM平均价格较去年翻三倍，下半年涨幅收敛。NAND方面，eSSD预计突破$0.4/GB，大容量QLC eSSD需求激增，原厂重启NAND投资，但受DRAM Cache短缺影响，eSSD有效产出滞后，继续推升价格。
Mobile市场
：被动跟随服务器存储价格上涨，二季度嵌入式存储价格大幅上涨超过85%，手机嵌入式供应需求双双下修。本轮为“分化性繁荣”，原厂供应向AI数据中心倾斜，移动端为价格传导滞后缓冲区，结构性分化将持续至原厂新增产能缓解服务器供应压力。2026年全球手机出货量预计下降约12%至10.5亿台，苹果和三星高端机型消化成本能力强，国内多数手机品牌中端机型利润微薄，成本压力传导至产品端，中低端机型存储降配（8GB→6GB→4GB），减少入门级机型出货，中端及次旗舰机型涨价转嫁成本，300美金档位256GB+12GB及500美金档位1TB+12GB存储成本超BOM COST的50%，存储容量版本价差拉大，手机厂商或推广云存储订阅服务。Mobile需求受抑制，原厂将产能转向服务器市场，一季度服务器eSSD和DDR5翻倍上涨，海外手机品牌接受度高，二季度Mobile UFS和LPDDR5X大幅补涨，下半年价格高位趋稳。二季度Mobile eMMC/UFS和LPDDR4X/5X或上涨超85%甚至翻倍，需求和供应或下修20%，下半年涨幅收敛并趋于平稳。
PC及Auto市场
：PC单机价值高且品牌集中度高，对存储涨价具备一定接受度。AI PC及高端游戏本溢价能力强，入门级及白牌需求受抑制，2026年PC出货量预计下降11%至2.32亿台，台式机降幅超商用笔电，头部五家PC品牌份额超80%，800美金以上中高端PC或占40%至50%市场份额。中高端PC DDR5/LPDDR5X搭载16GB为主，入门级降配至8GB，NAND供应减少价格走高，用户依赖云存储，原厂减少PC存储供应，头部客户通过多元化供应链应对短缺，减少促销补贴，高端机型上调售价20%，商用市场优先保障高毛利订单。二季度PC cSSD预计上涨50%至60%（约$0.25~0.30/GB），PC LPDDR5X/D5预计上涨30%至40%（约$1.5x~1.6x/Gb），不同客户价格分化。汽车市场2026年全球新能源汽车销量约2400万辆（同比增长14%），国内约1700万辆（占全球65%至70%），智能座舱和ADAS带动存储需求增长，智能座舱配置从4GB/8GB LPDDR4X和64GB eMMC向12GB/16GB LPDDR5X和128GB及以上UFS发展，L2级以上ADAS渗透率超60%，ADAS芯片分级发展，高端L3及以上搭载多颗ADAS芯片，每颗需多颗12/16GB LPDDR5X，车规LPDDR5X需求翻数倍，搭载256GB及以上UFS/NVMe SSD。车规级高容量NAND和LPDDR5X与服务器需求冲突，Auto DRAM或同比上涨4至5倍至$1.6~1.8/Gb，Auto NAND上涨60%至80%，Auto大客户涨幅相对温和。原厂逐步退出MLC市场，8GB eMMC供应不足，32GB及以下车规级eMMC原厂与现货价格价差达3倍，关注新制程64GB eMMC/UFS与低容量价差收敛趋势，推动车规需求转向64GB。

现货市场

现货市场行情
：Q1原厂按月拉高NAND现货价格，1月512Gb及1Tb NAND价格单月上涨30%以上，2月、3月涨幅放缓但仍超20%、15%。wafer价格过高，下游厂商备货后采购谨慎，贸易端个别料号松动，但原厂供应有限，卖方市场资源价格易涨难跌，二季度涨幅放缓。wafer价格上涨导致存储厂商管控成本，1月起调整成品价格，行业及渠道SSD产品单季度上涨超50%，64GB及以下eMMC价格翻倍。存储厂商营收规模增长，但价格走高导致应用端需求萎缩。DRAM方面，高等级DDR颗粒受服务器挤占产能，原厂DDR5颗粒供应少，服务器eSSD Cache短缺，贸易市场高价购买推高个别DDR颗粒至100美金以上，本月部分涨幅过快颗粒回落。成品端存储厂商转向采购降级资源，行业内存条出货以降级资源方案居多，成品价格较低，客户接受度高。
现货市场价格变化
：一季度1Tb QLC、1Tb TLC、512Gb TLC、256Gb TLC价格累计上涨97%/93%/92%/38%，512Gb及以上NAND现货价格近乎翻倍，512Gb NAND单Gb价格突破$0.35，现货市场倒挂严峻。DDR颗粒方面，DDR5 16Gb eTT/16Gb Major/24Gb Major价格累计上涨73%、25%、20%，DDR4 16Gb 3200/16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT/4Gb eTT累计上涨67%/50%/36%/23%/46%。NAND Flash市场综合价格指数上涨69%，DRAM市场综合价格指数上涨72%，1月、2月、3月NAND指数分别环比上涨33%、9%、16%，DRAM指数分别环比上涨36%、9%、16%。

存储市场概览

存储市场规模
：2025年四季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达755.1亿美元（环比增长29.2%），其中DRAM 519.65亿美元（环比增长29.8%），NAND 235.45亿美元（环比增长27.8%）。2025年全球DRAM/NAND Flash市场规模首次突破2000亿，达2215.91亿美元（同比增长32.7%）。2026年尽管消费电子需求波动，但AI需求与数据中心结构性扩张拉动存储需求，供应增速滞后，预计市场规模突破6000亿美元。
存储市场容量
：2026年全球NAND Bit整体需求同比增长15%，服务器NAND需求同比增长逾60%，占比约37%，首次超过手机成为最大应用市场。全球DRAM Bit整体需求同比增长20%，服务器DRAM Bit需求同比增长约45%，含HBM占比首次超过50%。NAND增长引擎切换，智能手机与PC需求停滞，服务器占比从20%+升至37%，AI推理优化的企业级SSD需求攀升，英伟达Vera Rubin平台ICMS架构使单台服务器NAND用量达1.152PB，NL HDD供应趋紧，QLC需求上升。DRAM市场由服务器端驱动，AI服务器与高端通用服务器需求高位，高密度DDR5、LPDDR5X及HBM供不应求，LPDDR5X向服务器拓展，英伟达Rubin架构单颗Vera CPU LPDDR5X容量达1.5TB，较Blackwell平台激增逾3倍，单台AI服务器DRAM用量是传统通用服务器的2倍，HBM成为战略级资源。

供应端分析

各原厂的经营分析
：2025年四季度存储价格全面上涨推动原厂存储业务营收创历史记录，出货量环比变化个位数。三星四季度存储营收37.1亿韩元（约256.1亿美元，环比增长39%，同比增长61.3%），DS部门经营利润16.4万亿韩元（约113.2亿美元），2026年Q1 DRAM bit出货量低个位数增长，NAND bit出货量中等个位数增长，计划扩大HBM4供应，2026年HBM销量同比增长超三倍。SK海力士四季度营收32.8万亿韩元（约226.6亿美元，环比增长34%，同比增长66%），经营利润9.2万亿韩元（约67亿美元），营业利润19.2万亿韩元（约132.3亿美元，环比增长68%，同比增长137%），营业利润率58%，2026年Q1 DRAM bit出货量环比持平，NAND bit出货量略微下降，资本支出大幅增长但严格控制。美光FY2026Q1财季（2025年9-11月）营收136.4亿美元（环比增长21%，同比增长55%），Non-GAAP营业利润64.2亿美元（利润率47%），净利润54.8亿美元（环比增长58%，同比增长169%），计划2026财年资本支出约200亿美元（上调至250亿美元，同比增长约48%），FY2026Q2营收预计183-191亿美元，毛利率67%-69%。铠侠四季度营收5436亿日元（约35.2亿美元，环比增长21.3%），营业利润1447亿日元（约9.4亿美元，环比增长65.9%），净利润895亿日元（约5.8亿美元，环比增长114.6%），NAND平均售价环比增长约10%，Bit出货量中个位数增长，FY25全年营收2.18-2.27万亿日元，Non-GAAP营业利润7170-8070亿日元，净利润4597-5197亿日元，数据中心和企业级SSD出货比例增加。闪迪四季度营收30.25亿美元（环比增长31%，同比增长61%），毛利润率51.1%（环比增长21.2个百分点，同比增长18.6个百分点），NAND bit出货量同比增长22%（环比低个位数增长），平均售价增长约35%，预计Q1 NAND bit出货量下降中个位数百分比，Non-GAAP营收44-48亿美元，毛利率65%-67%，运营费用4.5-4.7亿美元。
存储原厂的库存情况
：四季度多家原厂库存金额下降，SK海力士DRAM库存环比下降，服务器DRAM库存紧张将持续全年，内存生产即售罄，下半年库存进一步下降，服务器NAND库存快速下降。美光FY2026Q1库存金额82亿美元，库存周转天数126天（环比增加2天），DRAM库存天数低于120天。闪迪FY26Q2库存金额19.70亿美元（环比增长3%）。铠侠四季度末库存金额约3535亿日元（环比减少2%）。
存储原厂的资本支出情况
：SK海力士2026年资本支出较去年大幅增加，锁定客户需求，提早开放M15X无尘室引进设备，加速先进工艺转换。美光上修2026财年资本支出至250亿美元，用于HBM供应能力及1γ工艺节点产能，加紧采购设备并加速安装。三星电子2026年投入超110万亿韩元资本支出及研发资金，确保AI半导体领先地位。铠侠FY25Q3资本支出（不含补贴）709亿日元（环比下降22.5%），集中投资第8代BiCS FLASH™，规划第10代产品，资本支出增长与NAND需求中长期年均复合增长率一致。
存储原厂的竞争格局
：NAND Flash市场，四季度三星（27.0%）、SK海力士（22.1%）、铠侠（15.0%）、闪迪（12.8%）、美光（11.6%）分列前五，销售收入环比增长分别为18.4%、47.4%、15.7%、31.1%、21.8%。DRAM市场，四季度三星（37.1%）、SK海力士（33.1%）、美光（20.8%）、南亚科技（1.9%）、华邦电子（0.6%）分列前五，销售收入环比增长分别为38.1%、24.9%、20.3%、54.3%、34.7%。技术竞争方面，NAND Flash新制程（200+/300+层）加速应用，三星v8、SK海力士V9/V9Q、铠侠/闪迪BICS 8、美光G9扩展应用，铠侠UFS 5.0闪通向客户送样，技术竞争转向层数、架构与制造工艺协同优化，Multi-Deck堆叠、Plane并行度提升、晶圆级混合键合等为重要路径。DRAM最先进技术为1c nm，产能集中在1a/1b nm，1a nm用于DDR4、LPDDR4X及部分DDR5/LPDDR5X，1b nm用于128GB及以下DDR5、LPDDR5X及HBM3/3E，1c nm三星用于HBM4量产，SK海力士和美光用于高频LPDDR5X及大容量DDR5，HBM4已进入供货阶段，LPDDR6预计2026下半年商用，三星推出LPDDR6，SK海力士开发1c工艺16Gb LPDDR6并计划上半年完成量产准备。

应用与需求分析

应用需求变化
：AI-agent规模化落地带动AI推理工作负载爆发，推动全球AI服务器及传统通用服务器需求增长，2026年全球服务器出货量预计增长超15%。存储供应紧张、价格上涨导致手机与PC厂商减配降容空间有限，终端提价，高端产品具溢价能力，低端产品受冲击显著，2026年全球智能手机、PC出货量预计分别下滑12%和11%。
服务器市场
：2025年北美四大CSP资本支出累计3760亿美元（同比上涨65%），2026年谷歌（1750-1850亿美元）、Meta（1150-1350亿美元）资本支出同比近乎翻倍，亚马逊（2000亿美元，同比增长超50%），微软大幅上调，四大CSP累计达6000亿美元；Oracle 2026财年资本支出500亿美元（翻逾一倍），CoreWeave 300-350亿美元，Nebius 160-200亿美元，用于GPU算力部署及数据中心投建。2025年四季度谷歌、亚马逊、微软、Meta资本支出合计1186亿美元（环比增长22%，同比增长102%），微软（375亿美元，同比增长66%）、谷歌（279亿美元，环比增长16%，2025年累计915亿美元，同比增长74%）、亚马逊（395亿美元，环比增长13%，2025年累计1318亿美元，同比上涨近60%）、Meta（221.4亿美元，全年累计722.2亿美元）资本支出均大幅增长。新云厂商通过长期合同锁定收入、债务杠杆募集资金采购GPU，英伟达直接投资深度绑定。云业务收入高增长，谷歌云（48%至176.64亿美元）、微软Azure（39%）、亚马逊AWS（24%至356亿美元）增速显著。供应方面，下半年国产NAND新产能释放，eSSD Cache短缺，厂商寻找新供应商或依赖库存，海外原厂对中国区eSSD供应无增长，国产产能无法覆盖缺口；手机厂商砍单嵌入式LPDDR，产能转至服务器DRAM，下半年显现，但HBM4供货及旧产线转产HBM3E加剧产能冲突。需求方面，东南亚算力中心H200部署增加64GB DDR5备货，Q2 DRAM价格预计上涨30%-35%，64GB、96GB DDR5 ASP涨至约$1.90/$2.00，英特尔GNR、AMD Turin应用使96GB DDR5需求激增导致其单价高于64GB，国内互联网企业增加64GB D5采购，服务器CPU缺货制约高容量DDR5需求，64GB DDR5需求增量攀升。NAND方面，Q2企业级eSSD合约价预计上涨40%至50%（ASP突破$0.35/GB），需求驱动来自服务器出货增长（15%至1610万台）、英伟达ICMS架构卸载KV Cache至eSSD（单服务器需1152TB SSD）、HDD缺货推动QLC NAND替代。AI Agent爆发（如OpenClaw）带来海量Token交互与推理需求，云服务商提前锁定存储芯片产能，存储成本压力导致云服务涨价（阿里云、百度智能云、腾讯云、亚马逊AWS、谷歌云等上调相关产品价格）。
Mobile市场
：近半年嵌入式存储合约价格翻倍，一季度mobile NAND、DRAM ASP分别涨至$0.13/GB、$0.76/Gb，手机厂商新品首发价上调100-500元，三星Galaxy S26/S26+、OPPO Find N6、Magic V6等起售价上涨1000元，OPPO、vivo对已发售产品调价，低端/入门级手机生产锐减，2026年智能手机出货量预计同比下滑12%至10.5亿部。国内头部手机厂备货态度分化，高端阵营接受度高，部分维持长约，个别库存充足厂商砍单，Q2 mobile UFS、LPDDR4X/5X预计环比上涨超85%（或翻倍），下半年更多厂商砍单。原厂削减mobile DRAM产能转至服务器市场，手机厂商供应风险严峻，NAND新制程推进及国内产能爬坡将缓解手机市场压力。手机厂商加速高端化转型，中端机型存储降配，引入QLC方案，调整其他配置平铺成本，传音控股净利润受存储成本影响暴跌超53%，苹果依赖软件服务对冲成本，市场竞争格局或重塑。
PC市场
：一季度PC LPDDR5X/DDR5、cSSD合约价环比翻倍，PC NAND单GB售价$0.18-$0.20，DRAM单价超$1.00/Gb，联想、苹果话语权高，HP、宏碁、华硕引入国产厂商保障供应但满足率低，2026年全球PC出货量预计同比减少11%至2.32亿台。PC存储部件标准化、库存周转快，厂商备货积极，对涨价接受度较强，二季度PC NAND预计上涨50%至60%，PC DRAM上涨30%至40%，ASP介于mobile和服务器之间。中小PC厂商难以获得原厂资源，转向国内存储厂商，NAND现货倒挂导致成本劣势，加速行业洗牌。联想、戴尔、惠普、华硕、宏碁等厂商1月起涨价10%-25%，苹果新一代MacBook售价上调（Air系列、M5 Pro系列、M5 Max系列分别上涨100/200/400美元），二季度存储涨价或进一步推高PC成本，厂商或多次调价或扩大涨价范围。

存储产业链分析

存储厂商的收入情况
：2025年四季度存储厂商优化产品结构，聚焦高价值市场，产品单价攀升，营收强劲增长。群联4Q25收入228亿新台币（约52.1亿人民币，环比增长25.7%，同比增长64.8%）；江波龙4Q25收入约57.7-62.7亿人民币，2025全年约225-230亿元（同比增长29%-32%）；威刚4Q25收入158.7亿新台币（约36.3亿人民币，环比增长9.4%，同比增长60.3%）；佰维存储4Q25收入47.2亿人民币（环比增长77.3%，同比增长205.9%）；创见4Q25收入68亿新台币（约15.5亿人民币，环比增长65.6%，同比增长128.1%）；宜鼎国际4Q25收入48.1亿新台币（约11亿人民币，环比增长26.3%，同比增长83.6%）；德明利4Q25收入41.3亿人民币（环比增长62%，同比增长229.9%）。
存储厂商的利润情况
：2025年四季度下游存储厂经营利润率大幅上涨，群联（14.6%，环比增加6.8个百分点）、威刚（35.4%，环比增加22.2个百分点）、创见（55.6%，环比增加18.8个百分点）、佰维存储（20.8%，环比增加10.9个百分点）、宜鼎国际（19.8%，环比增加0.9个百分点）、德明利（18.8%，环比增加14.9个百分点）。

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