RTA 超高真空快速退火炉
设备型号：自研
主要特点：
双面悬空加热，背底真空优于3E-10 Torr，工艺气体：N2、H2、Ar。
可用于生长前衬底处理或测试前表面处理。
上下加热炉最高设定加热温度：1000℃；
样品最高加热速率：50℃/s，即样品常温升温至1000℃最少20 s；
炉丝最高加热速率：50℃/min，可根据程序精准控制；
设定上下炉温1000℃时真空度：优于5×10-8 Torr；
加热控温精度：1℃；
温度均匀性：优于5%；
工艺气体：N2、H2、Ar；
气体流量：小于20 sccm；
可处理的样品尺寸：2英寸。
衬底和样品的表面清洁，缺陷修复，晶粒长大。
纳米真空互联实验站C类合作课题用户，国防科技大学彭俊平课题组在ɑ-Al2O3 (0001) 衬底上成功制备了平整洁净的外延晶圆级单晶Ni (111) 薄膜，为解决Ni薄膜中晶界和双晶结构，从而获得大尺寸均匀石墨烯扫除障碍。该工作以“Wafer-scale epitaxial single-crystalline Ni (111) films on sapphires for graphene growth”为题发表在JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS期刊上。
适用于2英寸样品，小于2英寸样品需固定，粉末样品不可进入，导电胶光刻胶等有机物不可使用。
设备地址：
江苏省苏州市工业园区若水路385号上善苑
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文稿：NanoX 纳米真空互联实验站
审核：谢胤
