钙钛矿行业报告:《砷化镓太阳电池低成本制造技术》

砷化镓电池特性：

1，高光电效率，已实现单结~30%，三结~40%，能带工程可进一步增加叠层提高效率；

2，高比功率，器件有效厚度~1.5um，比功率可达50W/g；

3，高稳定性， 高温合成共价键键能强， atomic bonding energy 3.8eV；

4，高成本，①底电池锗衬底~150um, 贵重金属消耗大，②制造规模小， MW级，③通用型制造模式；

低成本制造关键技术：

1，高效率技术（薄膜InGaAs替代Ge衬底），难点：大失配InGaAs的高质量外延生长；

2，薄膜化技术（大幅降低制造成本和应用成本），难点：大面积衬底重复利用技术；

德融科技成功开发外延层剥离与衬底重复使用技术并实现规模量产，形成成套技术体系：

1，实现低成本制造，贵重原材料消耗量降低90%以上；

2，实现薄膜化，厚度由常规150um降低到<30um；

3，实现轻量化，面密由900g/m²降低到<250g/m²。

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