行业分析 | 集成电路产业情报月刊(总第二十九期)特别策划

2026年AI算力需求爆发，传统封装难以满足高端芯片高密度集成需求，先进封装成为后摩尔时代算力落地核心支撑。台积电、英特尔、三星三大国际龙头加速技术布局与产能扩张：台积电WMCM技术进入量产倒计时，适配苹果A20芯片，2026年底规划月产能6万片；英特尔EMIB技术凭借高良率、低热膨胀系数优势获云端厂商青睐，结合玻璃基板优化性能，订单有望突破10亿美元；三星推进玻璃基板商用化，升级散热技术以适配AI与高端终端。国内长电科技CPO硅光引擎完成客户测试，通富微电拟定增44亿元扩产，超大尺寸FCBGA进入考核阶段。行业呈现技术迭代加速、全球产能扩张两大趋势，先进封装将成为半导体增长核心引擎，国际龙头持续领跑，本土企业依托国产替代实现突围，深刻影响AI、HPC、自动驾驶等下游产业格局。

（来源：“全球半导体观察”微信公众号）

2025年下半年起，受原材料涨价与AI、汽车电子高端需求驱动，全球被动元器件开启多轮涨价，涨幅5%–30%，呈现明显结构性差异。MLCC、电阻、电感等全品类调价，村田、国巨、三星电机等国际大厂率先提价，国内风华高科、顺络电子等企业跟进。白银、铜、锡等金属价格大幅上涨成为涨价直接导火索，AI服务器与新能源汽车则是核心需求引擎：AI服务器MLCC用量达普通服务器10倍，高端纯电动车用量超传统燃油车3倍，车规级、AI专用高端品类涨幅领跑。中国作为最大消费与生产基地，行业本土化进程提速，风华高科、三环集团等扩产提升高端供给，但仍面临高端技术瓶颈。全球市场规模稳步增长，2025–2032年复合增长率达6.2%，汽车电子领域增速更高，被动元器件产业在成本与需求共振下进入高质量发展阶段。

（来源：中国电子报）

RISC-V架构因RVA23标准的推出迎来关键发展拐点，该标准强制引入RVV向量扩展，将结构化并行计算提升至架构基础地位，打破推测执行在高性能CPU领域的长期垄断。RVA23并未否定推测执行，而是实现结构化并行与推测执行的架构对等，降低芯片设计功耗、复杂度与安全风险，更适配AI、信号处理等数据并行负载。向量计算从可选扩展变为基础功能，编译器、操作系统、硬件设计随之全面升级，优化策略从“硬件推测”转向“软件显式并行”，芯片设计可将资源投向向量吞吐量与内存带宽，简化核心架构。这一转变回归克雷向量机的确定性执行思路，解决传统推测执行带来的能耗与复杂度难题，重构CPU设计与软件生态，为RISC-V进入高性能计算主流赛道奠定基础，推动计算架构向高效、确定性方向转型。

（来源：“半导体行业观察”微信公众号）

AI算力爆发驱动DRAM与HBM存储芯片需求激增，HBM市场2025年规模将破200亿美元，年复合增长率超100%，带动存储测试设备市场高速增长。存储测试涵盖CP、FT、SLT、TDBI、RDBI等环节，全球市场由日本爱德万、美国泰瑞达、东京电子垄断，爱德万凭借HBM定制化方案占据超50%份额，泰瑞达聚焦高端服务器存储测试，东京电子在探针台领域份额达37%。国内设备厂商实现关键突破：悦芯科技成为全球第三、国内唯一可量产DRAMATE设备的企业，2026年国内市占率近15%；长川科技在分选机与老化测试设备落地应用；精鸿电子、精智达在RDBI老化修复设备完成客户验证。国内存储供应链以长存、长鑫为核心，国产设备逐步导入，虽海外设备仍占主导，但自主化进程加速，为存储产业安全提供坚实支撑。

（来源：“半导体行业观察”微信公众号）

2026年中国第三代半导体（SiC/GaN）进入规模化扩张关键阶段，新能源汽车、AI、储能三大下游需求爆发，推动产业高速发展。新能源汽车800V高压平台普及，拉动车规级SiC/GaN器件需求，闻泰科技、斯达半导产品批量上车；AI服务器高效供电与储能电站建设带动功率器件放量，英诺赛科GaN进入英伟达供应链。技术层面，8英寸SiC衬底规模化量产，天岳先进2026年产能破60万片，12英寸SiC衬底研发取得阶段性成果，GaN工艺良率超95%。国内企业加速技术升级与全球化布局，天岳先进、闻泰科技境外营收快速增长。但行业面临多重挑战：SiC价格竞争加剧，12英寸大尺寸技术与车规级认证存在瓶颈，高端设备材料依赖进口，地缘政治与现金流压力凸显。2026年行业将加速分化，头部企业凭借技术、产能与全球化优势巩固地位，长期成长逻辑清晰。

（来源：“天天IC”微信公众号）

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