近日,三星电子、群联电子、华邦电子、旺宏电子、威刚科技相继发布2026年第一季度财报(或业绩预告、营收快报),受AI算力需求爆发、存储芯片供需失衡、价格持续暴涨三重驱动,五家厂商营收、利润均实现翻倍级增长,创下历史新高。
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三星电子:单季利润超去年全年
全球存储龙头三星电子4月7日发布官方业绩预告,2026年Q1预计合并销售额达133万亿韩元(约合6070亿元人民币),同比增长68.06%,环比增长41.73%,首次突破单季130万亿韩元大关;营业利润更是达到57.2万亿韩元(约合2610亿元人民币),同比暴涨755.01%,环比增长185%,不仅远超市场预期,更超过2025年全年43.6万亿韩元的营业利润总和。
三星官方公告指出,业绩爆发核心来自半导体(DS)部门,该部门单季营业利润预计达54万亿韩元,占公司总利润95%,成为绝对增长引擎。
AI服务器、超大规模数据中心对HBM、高容量DRAM与企业级NAND的爆发式需求,叠加存储原厂主动收敛产能、价格持续上调,推动三星存储业务盈利呈指数级增长。
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群联电子:企业级业务成增长引擎
存储主控芯片企业群联电子4月8日公布官方营收数据,2026年Q1合并营收达409.67亿元新台币(约合88亿元人民币),同比增长196%;3月单月营收183.17亿元新台币,月增50%、年增221%,双双刷新历史纪录。
群联CEO潘健成在官方声明中表示,业绩爆发直接受益于NAND闪存供应紧缺与价格暴涨,上游原厂部分产品单日涨价高达50%。公司战略转型成效显著,企业级客户收入占比从10%跃升至30%,直接向云服务商、AI数据中心供货;库存规模扩充至500亿元新台币,其中企业级产品占比97%,全力保障高端市场供应。
同时,群联与全球六家NAND、两家DRAM原厂签署长期供货协议,锁定产能,并推进PCIe 6.0主控芯片研发,预计8月交付样片。
03
华邦电子:Q1营收年增91.34%
利基存储企业华邦电子4月9日发布官方营收快报,3月合并营收145.01亿元新台币(约31.19亿元人民币),环比增长21.11%、同比增长91.49%;Q1累计营收382.53亿元新台币(约82.28亿元人民币),环比增长43.7%、同比增长91.34%,均创历史新高。
华邦电表示,增长核心是DDR3/DDR4利基DRAM、NOR Flash供需严重失衡。三星、SK海力士等大厂将资源集中于HBM与先进制程,退出成熟制程领域,导致结构性供给缺口,利基DRAM一季度报价环比涨幅达七成,Flash产品实现双位数上涨。
公司已追加70亿元新台币资本支出扩充NOR/NAND产能,预计7月投片、9月量产,同时推进高雄厂16纳米DRAM产能建设,2026年位元出货量预计增长30%-40%。
04
旺宏电子:抢占MLC NAND市场缺口
旺宏电子公布2026年前两月官方数据,2月单月营收30.30亿元新台币,同比增长60%;Q1前两月累计营收60.47亿元新台币,同比增长55.6%,预计Q1实现扭亏为盈。
公司指出,增长动力来自三星退出MLC eMMC市场后的供给缺口。旺宏凭借19纳米2D MLC、3D NAND量产能力,积极补位,16GB TLC产品已量产,32GB产品进入小批量出货阶段。
公司2026年资本支出提升至220亿元新台币,重点扩充12英寸晶圆厂NAND产能,目标将NAND与NOR产能各占比提升至50%,全面承接市场空缺。
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威刚科技:单月营收破百亿
存储模组大厂威刚科技4月7日发布官方业绩,3月营收首次突破百亿新台币大关,达105.4亿元新台币,同比暴涨181.5%;Q1累计营收261.1亿元新台币,同比增长163.5%,双双创历史新高。
分产品看,DRAM模组为核心增长引擎,3月营收70.6亿元新台币,占比67%;SSD营收27.4亿元新台币,占比26%。威刚董事长陈立白表示,AI需求爆发推动DRAM、NAND价格持续上涨,全年缺货态势确立,价格涨势至少延续至2027年。公司已将库存提升至300亿元新台币以上,锁定成本优势,同时拓展工控、企业级客户,预计Q2营收与利润将再创新高。
AI驱动存储超级周期,供需失衡持续
从五家厂商官方财报可见,2026年Q1存储行业已完成从周期底部到超级景气的彻底反转。核心驱动因素清晰:一是AI算力需求爆发,服务器、数据中心对高性能存储需求呈指数级增长;二是供给端主动收敛,头部原厂聚焦HBM、先进制程,成熟制程供给缺口持续扩大;三是价格全面暴涨,DRAM、NAND Flash合约价持续上调,部分产品涨幅超数倍。
目前,存储行业供需失衡已传导至全产业链,原厂产能全年售罄、模组厂全力备货、客户预付全款抢货成为常态。业内普遍预计,这一超级周期将至少持续至2027年,相关厂商业绩有望持续高增,AI正彻底重塑全球存储产业格局。
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