美国存储芯片巨头美光科技交出了一份远超预期的财报，但同样飙升的资本支出计划令投资者感到不安。
当地时间3月18日，美光科技发布截至2月26日的2026财年第二财季财报，公司营收大幅增长至238.6亿美元，去年同期为80.5亿美元，同比增长196%，远高于市场预期的200.7亿美元；GAAP净利润大幅跃升至137.9亿美元，上年同期仅为15.8亿美元；非GAAP调整后每股收益（EPS）为12.20美元，高于市场预期的9.31美元。同时，公司毛利率大幅提升至74.4%，较去年同期的36.8%相比实现翻倍增长。
业绩指引方面，美光科技预计第三财季营收为335亿美元，去年同期为93亿美元，增幅超过200%，高于市场预期的243亿美元；调整后每股收益为19.15美元，高于市场预期的12.05美元。
美光科技CEO桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示：“2026财年第二财季，美光科技在营收、毛利率、EPS以及自由现金流方面均创下新纪录，这得益于强劲的需求环境、行业供应趋紧以及公司卓越的执行力，预计第三财季还将再次刷新多项纪录。在AI（人工智能）时代，内存已成为客户的战略性资产，我们正加大对全球制造布局的投资，以支持客户不断增长的需求。”
梅赫罗特拉表示，基于对公司业务持续强劲表现的信心，董事会已批准将季度股息提高30%。
由于内存供应商已将大部分产能转移到为AI任务准备的HBM4高带宽内存，对普通存储芯片的需求持续飙升。在过去，存储器的利润率低于其他硅产品，且合同期限一般较短。但近几个月以来，随着各大半导体制造商都在努力确保未来产能，存储器生产商也开始签署长期合同。
在第二财季，美光科技的云存储业务营收增长超过160%，达到77.5亿美元。移动和客户端业务的营收增长更为强劲，从去年同期的22.4亿美元跃升至77.1亿美元。梅赫罗特拉在财报电话会上表示，AI服务器和传统服务器都在面临“DRAM和NAND（存储芯片两大主要产品）供应不足”的问题。
公司方面强调，存储芯片行业正处于供应短缺状态，且这种状况将持续至2026年以后，为短期和中期的产品定价提供了坚实支撑。随着AI发展，预计计算架构将变得更加依赖内存，“坚信美光是AI领域最大的受益者和推动者之一”。
梅赫罗特拉表示，用于英伟达最新计算平台Vera Rubin的HBM4内存已在本财年第一财季开始量产，下一代HBM4e产品的出货量有望从2027年开始大幅增长。此前，英伟达方面表示，公司将在2028年推出的下一代Feynman GPU中采用定制化HBM。
不过，在资本支出方面，美光科技的预期也在飙升。公司预计，2026财年（截至今年8月）的资本支出将超过250亿美元，高于市场预期的224亿美元。梅赫罗特拉还指出，公司2027 财年的资本支出将“大幅增加”，与建筑相关的成本增加将超过100亿美元。
目前，美光科技正在美国爱达荷州和纽约州建设两座巨型制造厂，以提高其在美国的存储器制造能力。梅赫罗特拉表示，爱达荷州工厂预计将于2027年中期开始投产。纽约州的新工厂于今年1月开始动工，预计将于2028年下半年开始生产晶圆。
18日当天，美光科技（Nasdaq：MU）股价微涨0.01%收于每股461.73美元，总市值5196.8亿美元。财报发布后，公司股价在短暂上涨后走低，一度跌超5%。今年以来，公司股价已涨超60%。
由于存储价格的上涨历来具有周期性，投资者正持观望态度，关注供应商能否在本轮热潮结束前实现投资回报。
投资机构Creative Strategies的CEO Ben Bajarin认为，对美光科技来说，更高的资本支出前景是合理的：“基于需求形势，他们需要继续投资以满足产能需求——这种情况在短期内没有任何缓解的迹象。”
投资机构Gabelli Funds的投资组合经理Hendi Susanto表示：“从财报发布前的股价走势来看，我认为最大的风险是投资者预期过高。然而，美光科技第三财季的业绩指引非常强劲，远超包括我在内的分析师的预期。”
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