先进封装行业分析
2025年全球先进封装市场规模达569亿美元，同比+9.6%，渗透率首超50%，正式超越传统封装。预计2028年达到786亿美元，2025-2028年CAGR11.2%。中国市场规模达到约1137亿元，渗透率>30%，国产化率约28%（较2023年15%提升）。
行业概述与产业链分析
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先进封装行业概述
在2025年，行业共识已经形成：“摩尔定律”的延续不再 solely 依赖制程微缩，而是更多地依赖先进封装技术。封装环节从单纯的物理保护和电气连接，进化为实现异构集成（Heterogeneous Integration）的关键步骤。通过先进封装，不同工艺、不同材质的芯片（如逻辑芯片与存储芯片）可以像“搭积木”一样组合在一起，实现性能的飞跃。
1.核心技术矩阵
2025年的技术格局呈现出多层次的技术路线，共同支撑起日益增长的算力需求。
（1）2.5D/3D 封装（高端算力基石）
（Ⅰ）2.5D：以台积电的 CoWoS 为代表，通过硅中介层（Silicon Interposer）连接GPU和HBM（高带宽内存），是AI训练芯片（如NVIDIA H100/Blackwell架构）的标配。
（Ⅱ）3D：通过TSV（硅通孔）技术将芯片垂直堆叠，进一步缩小体积、提升带宽。台积电的 SoIC 和英特尔的 Foveros 是这一领域的领军者。
（2）Chiplet（芯粒）技术（主流化元年）
2025年是Chiplet技术大规模商业化落地的一年。它将传统的单片SoC拆分为多个功能独立的小芯片（芯粒），通过先进封装集成。这不仅大幅降低了研发成本和制造难度（良率提升），还实现了“混合工艺”制造（例如：计算芯粒用3nm，I/O芯粒用7nm）。
（3）晶圆级封装与系统级封装
（Ⅰ）WLP：主要用于移动设备和物联网，追求更小的尺寸和更低的成本。
（Ⅱ）SiP：在可穿戴设备和汽车电子中广泛应用，将处理器、存储器、传感器等集成在一个封装内。
2.市场格局与竞争态势
2025年的竞争格局呈现出“金字塔”式的分层：
（1）高端垄断层（IDM/代工厂）：
（Ⅰ）台积电（TSMC）：凭借CoWoS和SoIC技术，在AI/HPC高端市场占据绝对主导地位，产能长期供不应求。
（Ⅱ）英特尔（Intel）与三星（Samsung）：紧随其后，分别通过Foveros和3D-TSV技术争夺高端市场份额，尤其是在HBM封装领域竞争激烈。
（2）中坚力量层（OSAT）：
（Ⅰ）日月光、安靠：主导中端市场和传统高端封装。
（Ⅱ）中国厂商（长电科技、通富微电、华天科技）：加速追赶，在Chiplet和部分2.5D封装领域实现量产突破，成为全球供应链中不可或缺的一环。
3.关键趋势与驱动力
（1）AI与HPC的“算力饥渴”：大模型训练对算力的指数级需求，直接导致了对CoWoS等高端封装产能的争夺战。AI芯片是先进封装市场增长的“第一引擎”。
（2）存储堆叠技术爆发：HBM（高带宽内存）成为兵家必争之地。三星、SK海力士和美光都在加速HBM4的研发和量产，推动3D堆叠技术向12层甚至16层迈进。
（3）供应链本土化与多元化：地缘政治因素促使全球客户寻求供应链多元化。中国大陆封测产业在政策支持和市场需求下，加速国产替代进程，尤其是在材料（如ABF载板）和设备的国产化上取得了阶段性进展。
4.面临的挑战
尽管前景广阔，2025年的行业仍面临严峻挑战。
（1）产能瓶颈：高端封装产能（特别是CoWoS）极度紧缺，扩产周期长，无法立即满足激增的需求。
（2）供应链安全：高端材料（如ABF载板、光刻胶）和关键设备（如混合键合机台）仍高度依赖少数供应商，供应链脆弱性依然存在。
（3）热管理难题：随着3D堆叠层数增加，散热成为制约性能发挥的关键物理极限。
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先进封装产业链分析
在2025年，先进封装市场正处于爆发式增长期。预计全球市场规模将突破570亿美元，占整体封装市场的比重超过50% 。先进封装产业链分为上游（材料与设备）、中游（封装制造与测试）和下游（终端应用）。目前的竞争焦点集中在上游的供应链安全和中游的高端产能上。
1. 上游：材料与设备（“卡脖子”与国产替代的前线）
上游是目前国产化率最低、技术壁垒最高的环节，也是2025年投资和攻关的重点。
（1）封装基板（核心中的核心）
（Ⅰ）现状：ABF载板是高端封装（如CPU/GPU）的关键材料，但全球市场长期被日本（如味之素）和中国台湾企业垄断 。
（Ⅱ）趋势：受AI芯片需求拉动，ABF载板供不应求。国内企业如兴森科技、深南电路正在加速扩产FCBGA封装基板产能，试图打破垄断 。
（2）关键材料
（Ⅰ）引线框架与键合丝：中低端领域国产化率较高（如康强电子），但在高端车规级和高可靠性产品上仍依赖进口（如日本田中贵金属） 。
（Ⅱ）光刻胶/底部填充胶：随着线宽缩小，对材料的要求直逼前道制造，高端材料国产替代任重道远 。
（3）封装设备
（Ⅰ）趋势：2025年设备市场预计突破386亿美元 。随着封装向“前道化”发展，对光刻机、刻蚀机、薄膜沉积（PVD/ALD）和键合设备的需求激增。
（Ⅱ）挑战：高端光刻和量测设备受出口管制影响较大，国产设备商正在中低端领域加速渗透，但在混合键合（Hybrid Bonding）等尖端设备上仍需突破 。
2. 中游：封测制造（产能为王，技术分层）
中游是目前全球竞争最激烈的环节，呈现出“一超多强”的格局。
（1）技术梯队分化：
（Ⅰ）第一梯队（IDM/代工厂）：台积电（TSMC）、英特尔（Intel）、三星（Samsung）。它们掌握着最尖端的2.5D/3D封装技术（如CoWoS、Foveros），主要服务于英伟达、AMD等AI芯片巨头，产能处于“卖方市场” 。
（Ⅱ）第二梯队（OSAT专业封测厂）：日月光、安靠以及中国大陆的长电科技、通富微电、华天科技。它们在传统封装和部分先进封装（如Fan-out、SiP）领域占据主导，并正在加速追赶Chiplet技术 。
（2）产能分布：
中国台湾地区主导高端产能，中国大陆正在快速追赶。随着产能向国内转移，中国大陆封测市场规模预计在2025年突破4200亿元人民币 。
3. 下游：应用端（需求拉动）
（1）AI与数据中心：是2025年最核心的需求引擎。单台AI服务器的存储和封装需求是传统服务器的8-10倍 。
（2）汽车电子：随着自动驾驶L3/L4级别的普及，车载芯片对高可靠性、小型化封装的需求激增，成为仅次于AI的第二大增长点 。
（3）消费电子：虽然增速放缓，但仍是最大的存量市场，推动着系统级封装（SiP）在可穿戴设备和手机中的应用 。
市场分析与竞争格局
1.先进封装市场分析
2025年全球先进封装市场规模达569亿美元，同比+9.6%，渗透率首超50%；AI/HPC驱动CoWoS/2.5D/3D爆发，台积电/三星/英特尔“三强”主导高端，国内封测厂加速追赶，Chiplet与混合键合成技术升级主线。
1.市场规模与增长
（1）全球规模：569亿美元（2025），同比+9.6%；2028年预计786亿美元，2025-2028年CAGR11.2%。
（2）中国市场：规模约1137亿元，渗透率>30%，国产化率约28%**（较2023年15%提升）。
（3）关键拐点：2025年先进封装占整体封装市场比例>51%，正式超越传统封装。
（4）驱动引擎：AI/HPC需求爆发（相关封装规模>350亿美元），HBM+CoWoS成高端AI芯片标配；汽车电子封装+10%/年；消费电子高端化与Chiplet降本增效。
2.核心技术路线与竞争格局
（1）主流技术与规模
（Ⅰ） CoWoS：AI算力核心，台积电掌控90%+高端产能，2025年月产能约67-80万片，2026年计划扩至100万片，英伟达锁定60%产能；CoWoS-L（有机基板+硅桥）降本40%。
（Ⅱ）2.5D/3D封装：增长最快赛道，2025年规模>120亿美元，2028年预计258亿美元，CAGR18.7%；混合键合（Hybrid Bonding）良率>99%，替代TSV成3D主流。
（Ⅲ）Chiplet：异构集成加速，2025年芯粒设计高性能芯片占比>15%，2030年预计>25%；UCIe标准推进，降低设计/制造成本30-50%。
（Ⅳ）扇出型封装（FoWLP/FOPLP）：消费电子主力，2025年规模>100亿美元，面板级封装（FOPLP）成本优势显著，国内厂商加速布局。
（2）竞争格局
（Ⅰ） 国际三强：台积电（高端CoWoS垄断）、三星（SoP/3D IC发力）、英特尔（Foveros/EMIB布局）。
（Ⅱ） 国内龙头：长电科技（XDFOI Chiplet量产）、通富微电（AMD Chiplet订单）、华天科技（车规级封装领先）；国产封装设备/材料加速突破，封装设备销售额64亿美元（2025，SEMI），同比+19.6%。
3.市场预测（2026-2028）
（1）市场规模：2026年650亿美元（+14.2%），2028年786亿美元，CAGR11.2%。
（2）技术结构：2.5D/3D封装占比>40%，CoWoS产能缓解，Chiplet渗透至中低端算力芯片。
（3） 竞争格局：国内厂商在中高端市场占比提升至20%+，封装材料/设备国产化率>35%。
3.先进封装发展趋势
2025年，芯片先进封装行业正处于一个从“幕后”走向“台前”的关键转折点。随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装已不再仅仅是保护芯片的“外壳”，而是成为了提升芯片性能、实现“超越摩尔”的核心路径 。
1. 技术路线：从“平面”走向“立体”与“异构”
（1）3D堆叠与异构集成成为主流：行业正从2.5D封装（如台积电的CoWoS）加速向3D封装（如台积电SoIC、英特尔Foveros）演进 。这种垂直堆叠技术能极大提升互连密度和带宽，是解决AI芯片“内存墙”问题的关键 。
（2）Chiplet（芯粒）技术大规模商业化：2025年被视为Chiplet技术大规模落地之年。通过将大芯片拆分为多个小芯粒进行组合，不仅降低了制造成本（尤其在先进制程下），还提高了设计灵活性和良率 。预计采用Chiplet架构的产品占比将突破35% 。
（3）玻璃基板（Glass Substrate）崭露头角：传统的有机基板（如ABF）正面临信号损耗和翘曲问题的挑战。玻璃基板因其优异的电性能和热性能，成为下一代先进封装的热门材料，台积电等巨头已将其纳入重要研发路线图 。
2. 市场格局：产能竞赛与价值链重构
（1）高端产能供不应求，价格上行：受AI和HPC（高性能计算）爆发式需求拉动，CoWoS等高端封装产能极度紧缺。台积电、日月光等大厂虽在加速扩产，但短期供需仍紧张，这直接推动了封装测试环节的涨价潮，部分高端产品涨幅显著 。
（2）IDM与OSAT竞争加剧：晶圆制造巨头（如台积电、英特尔）凭借技术优势垄断了高端市场，而传统封测厂（OSAT，如日月光、长电科技）则面临被挤压的风险，正加速向中高端转型或寻求差异化竞争 。
（3）供应链区域化重构：地缘政治因素促使全球封装产能布局调整。美国、欧洲纷纷建厂，而中国大陆则在加速国产替代，尤其在Chiplet和部分先进封装领域寻求突破，力争提升本土产业链的安全性 。
3. 关键支撑：设备与材料的攻坚
（1）设备需求向“前道化”转移：先进封装对设备的精度要求越来越高，混合键合（Hybrid Bonding）、TSV（硅通孔）刻蚀等前道工艺设备的需求激增。预计前段工艺设备在封装设备开支中的占比将大幅提升 。
（2）材料瓶颈亟待突破：ABF载板、高端键合丝、光刻胶等核心材料依然紧缺且高度垄断（主要集中在日本、中国台湾等地） 。解决这些“卡脖子”材料的国产化替代，是2025年中国大陆产业链的重点攻坚方向 。
4. 新兴应用：光芯片与热管理
（1）共封装光学（CPO）起步：为了解决数据中心内部的数据传输瓶颈，将光引擎与交换芯片集成在同一封装内的CPO技术开始商业化落地，这将成为光电子集成的重要方向 。
（2）热管理成为技术高地：随着芯片集成度提高，散热成为制约性能的瓶颈。新型散热材料（如石墨烯、金刚石）和微通道散热技术成为研发热点，热管理能力直接决定了高端芯片能否持续满血运行 。
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先进封装Underfill
1.毛细流动底部填充剂（CUF）
EP58系列CUF在FC封装回流焊接后进行填充固化，完整的工艺过程包括：助焊剂涂覆→芯片放置→加热回流→助焊剂清理→流动填充→加热固化。
2.非流动底部填充剂（NUF）
EP48系列NUF填充固化工艺比CUF要简单，主要包括：underfill涂覆→芯片放置→回流焊接和固化。
3.晶圆级底部填充剂（WLUF）
EP38系列WLUF工艺首先在有凸点或无凸点的晶圆片上采用印制或涂敷添加一层underfill，然后进行部分固化。
4.模塑底部填充剂（MUF）
EP28系列MUF是可以向模具直接注入，将包括芯片和底板间隙的整个器件进行封装保护的一种underfill材料。
