闪迪财报电话会议
NAND行业的发展趋势。如今，NAND已被公认为全球存储需求不可或缺的核心，正推动供应商与客户之间的商业合作模式发生根本性转变。为支撑超越传统周期性市场模式的结构性需求，供应稳定性、更长的规划周期以及多年期合作承诺变得日益重要。
我们正与客户展开磋商，力求从季度谈判模式转向多年期协议，明确供应和定价方面的坚定承诺，以实现更高效的规划流程和更可观的回报。
我们宣布已与铠侠（Kioxia）达成协议，将四日市（Yokkaichi）合资企业的期限延长至2034年12月31日。此次延长后，四日市和北上（Kitakami）合资企业将拥有相同的到期日。作为延长协议的一部分，闪迪同意支付铠侠提供的制造服务费用，以确保产品供应的持续可用性，总金额为11.65亿美元。该款项将在2026年至2029年期间支付，相关成本将在未来九年内计入产品销售成本。
第三季度，我们预计营收在44亿至48亿美元之间。我们预计市场供应短缺情况将比第二季度更为严重。
以数据中心为例，我们已经经历了三轮预测调整：上一季度，我们将该市场的增长预期从20%多上调至40%多；现在，我们预计2026年数据中心市场的艾字节（EB）增长将达到60%以上。我认为我们的客户（尤其是数据中心客户）已经意识到这一点——他们正在规划2026年、2027年、2028年甚至2029年、2030年的需求，所需的EB容量极为庞大。
其次，根据我们的初步评估，以2027年需求为例，KV Cache这部分新增需求大约在75-100EB之间，次年可能翻倍。因此，这是一个相当可观的需求增量。
我们认为有机会重新设计NAND架构以适配人工智能应用，并为其注册了“高带宽闪存（High Bandwidth Flash）”商标。过去一年，这一方向已得到更广泛的认可，现在有很多企业都在涉足这一领域。我们也在持续推进相关工作，进展非常顺利——我们正与客户深入探讨应用场景，设计NAND芯片，开发控制器。随着计划的逐步明确，我们将分享更多信息。
海力士财报电话会议
一、整体业绩与战略定位
为了应对以AI为核心的市场需求转型，公司持续加强技术竞争力，扩大高附加值产品占比，通过兼顾收益性和增长性的战略实现业绩突破。2025年再次印证了公司全球领先的技术实力。
公司将依托差异化技术竞争力，在实现可持续业绩增长的同时，保持未来投资、财务稳健性与股东回报之间的最佳平衡。将超越传统的产品供应商角色，致力于满足客户对AI性能的需求，进一步巩固作为AI时代核心基础设施合作伙伴的地位。
针对AI驱动的需求结构重组，通过强化技术竞争力和扩大高附加值产品占比，同时实现盈利能力和成长性的战略应对结果。
二、AI存储（HBM为主）
目标是在HBM4领域占据压倒性的市场份额，就像我们在HBM3和HBM3E产品领域所做的那样。
利用我们专有的封装技术——先进MR-MUF，我们计划确保获得与12-Hi HBM3E产品相当的良率。
即使我们最大化生产，也无法100%满足HBM需求，因此预计会有一些竞争者进入市场。尽管如此，基于性能、可生产性和质量，我们的市场领导地位和主要供应商地位将继续保持。
将加强与客户和合作伙伴的协作体系，在正成为下一代核心竞争要素的“定制化HBM”领域也做好供应最优产品的准备。
三、DRAM与NAND业务
HBM销售额同比增长逾一倍，成为创下历史最高业绩的核心动力。通用DRAM方面，公司已正式量产第六代10纳米级（1c）DDR5 DRAM，并成功开发基于第五代10纳米级（1b）32Gb单片的业界最高容量256GB服务器DDR5 RDIMM模块。
在NAND闪存业务领域，在上半年需求疲软之际，公司完成了321层QLC产品研发，下半年通过应对企业级固态硬盘（eSSD）为主的需求，创下了年度销售额历史新高。
在NAND闪存方面，将通过转向321层堆叠技术最大化产品竞争力，同时利用Solidigm的QLC企业级固态硬盘（eSSD），积极满足面向AI数据中心的存储器需求。
四、供需格局与产能
随着AI市场从训练向推理转型，分布式架构的需求将持续扩大，存储器的重要性也将进一步凸显。不仅HBM等高性能存储器需求增长，面向服务器的DRAM和NAND闪存等整体需求也将同步扩大。
将优先考虑满足客户需求以强化合作关系，尽早最大化清州M15X的产能，并通过龙仁一期工厂建设稳定扩充中长期生产基础。
顺利推进韩国清州P&T7工厂和美国印第安纳州先进封装工厂，构建融合前端与后端工艺的全球一体化制造能力，灵活应对客户需求的变化。
五、资本开支
由于产能扩张、加速技术迁移以及对未来基础设施的投资，2026年的资本支出预计同比显著增加。但同时，我们将通过监控市场状况并平衡需求可见性与投资效率，维持资本支出纪律。
三星Memory DS部门财报电话会议
一、DS部门与存储业务整体业绩
设备解决方案（DS）部门季度销售额环比增长33%，存储业务在HBM及其他高附加值产品销量扩大、市场价格全面上涨的推动下，季度营收与营业利润均创历史新高。
2025年第四季度，尽管供应受限，存储业务仍通过满足强劲的传统DRAM需求、扩大HBM销量并伴随价格整体上涨，实现季度营收与营业利润双创新高。本业务聚焦于通过提升HBM、服务器DDR5及企业级SSD等高附加值产品销量，优化盈利能力。
展望2026年第一季度，DS部门预计AI与服务器需求将持续增长，带来更多结构性增长机遇。对此，部门将继续聚焦高性能产品，强化盈利能力。
二、HBM与AI存储产品
首席财务官朴淳哲（Sooncheol Park）：HBM4已按计划进入稳定的全面量产阶段，包括面向客户需求的高性能11.7Gbps规格产品，出货将于2月启动。
首席财务官朴淳哲（Sooncheol Park）：展望2026年HBM业务，我们所有量产产能目前均已被客户采购订单（PO）全额预订。预计2026年HBM销售额将大幅提升，同比增长超三倍。
存储业务正按计划于本季度开始交付HBM4产品，包括行业领先的11.7Gbps性能规格——旨在重新确立高端HBM市场的领导地位。
2026年，存储业务将基于产品竞争力，与客户保持紧密合作，通过及时交付具备竞争力的HBM4产品、扩大DDR5、SOCAMM2及GDDR7等AI相关产品的销量，满足客户需求。
三星电子CEO全永铉：客户对三星下一代HBM芯片（即HBM4）的竞争优势给予高度评价，三星正强势回归（市场）。
三、NAND与企业级存储
公司计划积极应对AI相关的NAND需求，重点扩大高性能TLC产品的销售，以满足推理等关键场景下的高价值SSD需求，提升服务器固态硬盘在NAND闪存总收入中的占比。
四、市场供需与行业判断
存储芯片业务高管金在俊（Kim Jaejune）：存储产品的全面严重短缺态势预计将持续一段时间。
2026年全年，DS部门将依托产品竞争力，在需求快速增长的环境中引领AI时代，尤其要扩大DRAM与NAND中AI相关产品的销量。
五、资本开支与产能投资
投资者关系主管丹尼尔・吴（Daniel Oh）：
2025年第四季度，公司资本开支从上一季度的9.2万亿韩元增至20.4万亿韩元，其中19万亿韩元分配给DS事业部，0.7万亿韩元分配给显示业务。
存储业务的投资环比、同比均有所增加，因我们正推进先进制程过渡，以扩大HBM等高附加值产品的销售。
基于市场前景，我们预计2026年存储领域的资本支出将有所增加，具体投资计划仍在最终敲定中。
六、DS部门整体战略
DS部门负责人全永铉：三星DS部门将依托“一站式”解决方案能力，全面应对AI半导体需求的快速增长。作为全球唯一一家覆盖逻辑芯片、存储器、晶圆代工及先进封装的半导体企业，三星致力于与客户共同引领AI时代。
2026年全年，DS部门旨在凭借产品竞争力引领人工智能时代，在需求环境迅速增长的情况下，尤其要扩大DRAM和NAND中与人工智能相关产品的销售。
