赚赚赚!韩国两大存储巨头发布全年财报

近日，韩国两大存储芯片巨头SK海力士与三星电子相继发布2025年第四季度及全年财务报告。

受AI热潮带动，高带宽内存（HBM）等高附加值存储产品需求激增、市场价格大幅上涨，两家企业季度及全年业绩均刷新历史纪录，彰显全球存储芯片行业强劲复苏态势，也凸显AI时代存储领域的核心价值。

1月29日，三星电子披露的财报显示，2025年全年及第四季度业绩均创下历史新高，核心半导体业务表现惊艳。全年来看，公司实现营收333.6万亿韩元，同比增长10.9%；营业利润43.6万亿韩元，同比增长33.2%；净利润45.2万亿韩元，同比增长31.2%，其中全年营收创下公司成立以来最高值。

第四季度作为业绩爆发期，三星电子单季营收达93.8万亿韩元，环比增长9%、同比增长24%；营业利润20.1万亿韩元，同比激增208%，创下单季营业利润历史峰值；净利润19.64万亿韩元，同样表现亮眼。

分业务来看，设备解决方案（DS）部门即半导体业务成为绝对盈利核心。该部门第四季度营收44.0万亿韩元，营业利润16.4万亿韩元，较上年同期飙升470%、环比翻倍，主要得益于HBM、服务器DDR5及企业级SSD等高附加值产品销量扩大，以及全球存储芯片市场价格整体上涨的带动，其内存业务单季营收与营业利润均创下历史新高。

研发投入方面，三星电子第四季度研发支出达10.9万亿韩元，环比增加2万亿韩元，全年研发投入创下37.7万亿韩元的历史纪录，彰显其在技术创新上的持续布局。

展望2026年，三星预计AI与服务器需求将持续攀升，DS部门将聚焦高性能产品以强化盈利能力，扩大AI相关DRAM与NAND产品销量；DX部门则计划推进AI驱动的产品升级，构建全生态AI技术整合体系。

此外，三星透露其HBM4芯片已通过英伟达、AMD认证，将于2026年第一季度开始交付。

1月28日，SK海力士率先发布的财报显示，公司2025年全年及第四季度业绩同样创下历史最佳水平，盈利规模与增速表现突出。全年来看，公司营收达97.15万亿韩元（约合681.6亿美元），同比增长47%；营业利润47.21万亿韩元，同比近乎翻倍，营业利润率达49%；净利润42.95万亿韩元（约合301.3亿美元），同比增长117%，净利润率44%。

SK海力士表示，此次业绩远超2024年创下的历史最高记录。营收同比增长逾30万亿韩元，营业利润也实现翻倍增长，刷新了历史最高年度业绩。

第四季度，SK海力士增长势头进一步加速，单季营收32.83万亿韩元，环比增长34%；营业利润19.17万亿韩元，环比增长68%，营业利润率高达58%；净利润15.25万亿韩元，环比增长21%、同比增长90%，三项指标均创下季度历史新高。

在DRAM业务领域，HBM销售额同比增长逾一倍，成为创下历史最高业绩的核心动力。通用DRAM方面，公司已正式量产第六代10纳米级（1c）DDR5 DRAM，并成功开发基于第五代10纳米级（1b）32Gb单片的业界最高容量256GB服务器DDR5 RDIMM模块，进一步巩固在服务器模块市场的领导地位。

此外，在通用DRAM方面，计划将加速推进1c工艺转换，扩大面向AI的SOCAMM2、GDDR7等存储器产品组合。在NAND闪存方面，将通过转向321层堆叠技术最大化产品竞争力，同时利用Solidigm的QLC企业级固态硬盘（eSSD，enterprise SSD），积极满足面向AI数据中心的存储器需求。

产能方面，SK海力士计划加速清州M15X工厂产能最大化，推进龙仁一期工厂、清州P&T7工厂及美国印第安纳州先进封装工厂建设，构建全球一体化制造体系。

两家企业财报均显示，AI热潮是带动存储芯片行业复苏及业绩增长的核心动力。随着AI市场从训练向推理转型，分布式架构需求扩大，不仅HBM等高附加值存储产品需求持续旺盛，服务器用DRAM、NAND等全线存储产品需求也将同步提升。

行业分析认为，存储芯片供需紧张态势或将延续，主要因HBM等高端产品需求消耗大量晶圆产能，而供应端短期难以快速扩容。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，今年第一季度通用DRAM合约价格将环比上涨约55%至60%，NAND闪存价格预计将上涨33%至38%，其中消费级大容量QLC产品涨幅不低于40%。TrendForce集邦咨询还预测，今年第二季度存储器价格涨势将延续。

业内人士表示，三星与SK海力士作为全球存储芯片行业龙头，其业绩爆发印证了AI时代存储领域的核心价值，两家企业在HBM等高端产品的技术竞争与产能布局，将进一步主导全球存储芯片市场格局。

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