第一部分：存储芯片分类：
存储器分为：易失性存储器和非易失性存储器
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一、非易失性存储器包括闪存（flash memory）+硬盘HDD+ROM
（1）闪存
闪存包括NOR Flash（或非闪存）和NAND Flash（与非闪存），其中NAND Flash占据闪存市场 95% 以上份额。
NOR Flash采用并联式存储单元结构，存储密度低，单位容量成本高，写入与擦除速度慢，效率极低，主要聚焦工业、汽车等专业领域，NOR Flash应用场景稳定，真占整个存储市场占比仅为1.7%，增长空间有限。
（2）HDD 是 Hard Disk Drive 的缩写，即机械硬盘，是基于磁存储原理的传统大容量存储设备。目前HDD供应商以西部数据和希捷两家公司为主，合计市占率在80%左右，第三家为东芝。HDD作为精密的机电产品，其核心零部件磁片、磁头、控制器技术难度高，生产过程高度精密。目前成熟的技术以西部数据的ePMR（能量辅助垂直磁记录）和希捷的HAMR（热辅助磁记录）为主，需要近场光学结构、特种薄膜材料和超洁净产线等多环节配合。
HDD每GB成本相较于SSD有明显优势，价差在4-6倍。
（3）ROM（Read-Only Memory，即只读存储器）
早期 ROM（如掩膜 ROM）完全只读，数据在芯片生产阶段通过光刻 “写入”，出厂后无法修改；后期衍生出可擦写 ROM（如 EPROM、EEPROM、Flash ROM），支持通过特定方式（紫外线、电信号）擦除和重写，但擦写次数、速度远不及 RAM 和现代闪存。
二、易失性存储器包括随机存取存储器RAM和高速缓冲存储器cache
RAM（Random Access Memory）随机存取存储器(主要有：SRAM+DRAM)
（1）SRAM （Static Random-Access Memory）静态随机存取存储器，（基于触发器电路存储数据，无需刷新，只要供电就能保持数据，速度极快（比 DRAM 快数倍），占用面积大，成本高，断电后数据会立即丢失。
Microchip Technology Inc.（纳斯达克：MCHP），1989年成立，总部美国亚利桑那州钱德勒，是全球领先的嵌入式控制与存储器半导体厂商，通过收购Atmel、Microsemi、Cypress等强化全栈能力 。微芯科技并购Cypress后稳居全球SRAM龙头，技术路线：主打6T/8T SRAM，支持3D堆叠、ECC纠错、低功耗设计；通过SLC缓存、LDPC纠错提升读写性能与可靠性。
（2）DRAM（Dynamic Random Access Memory）（动态随机存取存储器）。
（3）高速缓冲存储器cache本质上是SRAM，用于缓解cpu和内存之间的速度差，提升数据处理效率。
目前存储芯片市场易失性存储器以DRAM为主，非易失性存储器以NAND Flash为主。
NAND闪存和DRAM（动态随机存取存储器）是现代计算机系统中最为重要的两种内存技术，广泛应用于个人电脑、智能手机、工业控制和数据中心等领域。
整个存储器市场，以DRAM市场规模最大，占比约为57%，NAND Flash占比约为40%。
2025 年全球 DRAM 市场：
呈现三足鼎立、SK 海力士与三星激烈竞争的格局，三家巨头（SK 海力士占36%、三星占34%、美光占25%）合计占据约95% 以上的市场份额。
长鑫存储占比约4%，且以 DDR4/DDR5 通用内存为主，聚焦国产替代，目标 2026 年份额提升至7-8%。
在NAND Flash市场中：
2025年前三企业分别为三星、SK海力士、铠侠，市场份额合计达69.1%，市场份额分别为32.7%、18.4%、18.0%。西部数据和美光市场份额分别为14.9%、10.8%。
长江存储出货量口径占比约13%。
Sk海力士专注 QLC NAND 在 AI 数据中心的应用，QLC 企业级 SSD 出货量同比增长120%。
DRAM
DRAM的分类：
DRAM 是动态随机存取存储器的总称，包含SDRAM（包括DDR）、LPDDR等多个分支。
（主要有主流通用型SDRAM+ 高性能专用型GDDR SDRAM（图形 DDR）、HBM+
嵌入式 / 低功耗专用型LPDDR（低功耗 DDR）、PSRAM（伪静态 RAM））
（1）SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是同步动态随机存取存储器的简称，属于DRAM（动态随机存取存储器）的分支。
（2）DDR全称Double Data Rate（双倍速率同步动态随机存储器），严格的来讲，DDR应该叫DDR SDRAM，它是一种易失性存储器。
DDR4 SDRAM
等效频率 2133-4800MHz，工作电压 1.2V，支持 Bank Group 分组技术，带宽和能效比大幅提升，还引入了 128 位 ECC 校验（服务器版本）。
应用：当前 PC、服务器的主流配置，是消费级和企业级市场的中坚力量。
DDR5 SDRAM
最新一代 DDR 产品，等效频率 4800-8400MHz，工作电压 1.1V，支持 双 32 位通道、片上电源管理，带宽比 DDR4 提升 50% 以上。
应用：2022 年后的高端 PC、新一代服务器、AI 算力平台，是未来发展的核心方向。
（3）HBM（高带宽存储器）：
顶级 AI 芯片（如英伟达 H100）、高性能计算（HPC）、数据中心加速卡。
这是 TSV 最核心的应用场景。HBM 将多颗 DRAM 芯片垂直堆叠，通过 TSV 实现芯片间的高速互联，单颗 HBM3 芯片的带宽可达6TB/s，是传统 GDDR6 显存的 3-5 倍。
全球DRAM产能由2024年底的约180万片/月增长至2025年底的约192万片/月。其中TSV技术在全球DRAM产能中的渗透率将由2024年底的约15%提升至2025年底的约19%，显示高带宽存储需求持续增长。
HBM4 目前处于样品验证与量产准备的最后阶段，尚未正式大规模上市销售。预计 2026 年 2 月起，SK 海力士与三星将率先启动量产，Q2-Q3 逐步实现规模供应，主要搭载于英伟达 Rubin 平台 AI 芯片，为 AI 计算带来带宽翻倍、能效提升的革命性突破。
（4）GDDR SDRAM（图形 DDR）
游戏显卡、专业图形工作站、AI 训练 / 推理卡。
（5）LPDDR
是在DDR的基础上多了LP(Low Power)前缀,全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，简称“低功耗内存”，是DDR的一种，以低功耗和小体积著称。目前最新的标准LPDDR5被称为5G时代的标配，但目前市场上的主流依然是LPDDR3/4X。
智能手机、平板电脑、笔记本电脑、IoT 设备、车载智能座舱。
LPDDR和DDR之间的关系非常密切，简单来说，LPDDR就是在DDR的基础上面演化而来的，LPDDR2是在DDR2的基础上演化而来的，LPDDR3则是在DDR3的基础上面演化而来的，以此类推。但是从第四代开始，两者之间有了差别或者说走上了不同的发展，主要因为DDR内存是通过提高核心频率从而提升性能，而LPDDR则是通过提高Prefetch预读取位数而提高使用体验。同时在商用方面，LPDDR4首次先于DDR4登陆消费者市场。
LPDDR4/LPDDR5 可以用于固态硬盘 (SSD) 作为独立缓存，且在多款主流 SSD 产品中已有广泛应用。（目前市场DDR4仍是SSD 缓存的“主力选手”）
（6）PSRAM（伪静态 RAM）
低端手机、蓝牙模块、智能穿戴设备等对成本和功耗敏感的嵌入式场景。
市场变化：
LPDDR，DDR5等新一代内存模块预计在2025至2029年间实现15%左右的复合增长，但是由于价格暴涨，对公司利润提升将大幅提高。
在供给端，三星、海力士和美光等巨头正通过削减 DDR4 等中低端产品的产能，转向高附加值的 HBM 和 DDR5 生产，中低端供给收缩、高端供给集中，使得整体供需关系发生变化。预计到2029年，HBM的出货容量将从2024年的10Eb提升至44Eb。
预计一般型DRAM的合约价将季增55%至60%，NAND芯片合约价也将上涨33%至38%。
在现代计算机架构中，NAND闪存与DRAM的结合使得系统能够在性能与容量之间取得良好的平衡。
英伟达在CES 2026发布的Rubin平台，通过极致协同设计集成了多款芯片，将推理成本降至上一代平台的十分之一。这种架构创新也带来了新的存储需求，比如BlueField-4平台将HBM中的键值（KV）缓存转移到可扩展性更强的本地SSD中，进一步推高了NAND芯片在高性能计算领域的消耗。
NAND Flash
NAND Flash存储器是Flash存储器的一种，属于非易失性存储器，NAND闪存被称为“闪存”，核心是因为它无需额外供电就能长期保存数据（非易失性），且擦写数据的过程像“快速闪烁”一样便捷高效，区别于需要持续供电的DRAM、SRAM。
NAND闪存具有高密度、高速度和低功耗的优点，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如闪存盘、固态硬盘、eMMC、UFS等。
NAND闪存按存储单元位数分类：
根据其不同的工艺技术，NAND已经从最早的SLC一路发展到如今的MLC、TLC、QLC和PLC。
按速度价格对比排序：SLC>MLC>TLC>QLC>PLC
按容量大小对比排序：PLC>QLC>TLC>MLC>SLC
目前主流的应用解决方案为TLC和QLC。
SLC和MLC主要针对军工，企业级等应用，有着高速写入，低出错率，长耐久度特性。
QLC 全称 Quad‑Level Cell（四层式存储单元），是一种 NAND 闪存 类型，每个存储单元可存储 4 比特（bit） 数据，对应 16 种电压状态。
除此，NAND Flash根据对应不同的空间结构来看，可分为2D结构和3D结构两大类：
下面是各大NAND Flash芯片生产厂商在3D NAND Flash产品的量产状况：
三星，3D NAND 堆叠层数领先（V-NAND 达300 + 层），在高端 PCIe 5.0 SSD 市场优势明显，是 AI 服务器首选存储方案之一。
（PCIe 5.0 SSD 是采用第五代 PCI Express (PCIe 5.0) 总线接口的固态硬盘 (Solid State Drive)，由 PCI-SIG 组织于 2019 年发布规范，核心是将传输速率从 PCIe 4.0 的 16GT/s 翻倍至32GT/s，为高性能存储提供了理论带宽基础。NAND 闪存多采用 232/256 层 3D TLC/QLC。）
全球NANDFlash周期复盘
存储容量 = 存储字数 ✖字长（如：1M×8位）
存储字数：存储器地址空间大小
字长：一次存取操作的数据量
主存带宽 （Bm）：即数据传输速率（word/s，B/S，b/s）
TCO 全称 Total Cost of Ownership，即总拥有成本，指企业采购和使用某一产品/系统的全生命周期总成本，不只是初始采购价，还涵盖运维、能耗、升级、淘汰等所有环节的支出。
因此，QLC SSD虽然采购价高，但全生命周期TCO反而低于HDD，这也是数据中心逐步用NAND闪存替代传统机械硬盘的核心原因。
数据中心封层存储架构示意图：
DRAM及NAND合约价和现价情况
SSD模组的核心部件主要有NAND Flash、主控芯片、DRAM缓存芯片等，其中NAND Flash价值量最高约75-80%，主控芯片约占成本5-15%。
长鑫存储（CXMT）：国内DRAM的希望。
长鑫存储已向联想、华为、小米、OPPO 等国内主流品牌供货，DDR5 产品进入 PC 和服务器市场
2025 年 11 月发布的 8000Mbps LPDDR5X 产品，性能与三星、SK 海力士同类产品持平，已获多家手机厂商订单。
第三部分、存储行业展望：
短周期（3-5个季度）：看库存，中周期（4-6年）：看产能，长周期（8-10年）：看需求，在以人工智能（AI）、深度学习（DL）和机器学习（ML）为代表的新一代技术体系中，数据已成为驱动模型演进与创新的核心生产要素，对存储的需求将是长周期景气行情。
