核心结论速览：
存储行业已确认走出底部，2025–2026 年进入新一轮上行周期；
AI 服务器成为本轮周期最强驱动力，高端 DRAM 与企业级 SSD 需求显著超预期；
供给端高度克制，三大原厂资本开支纪律性明显强于历史周期；
国产存储“颗粒突破有限，但模组 / 封测 / 控制器机会清晰”。
一、行业位置判断：存储已完成筑底
本次交流中，专家明确指出，当前存储行业已经确认完成周期筑底，并进入温和但确定性较强的复苏阶段。本轮周期与以往最大的不同在于：
需求端不再依赖传统消费电子
AI 数据中心成为最核心增量来源
原厂对价格和产能的控制力明显增强
从价格层面看，无论是 DRAM 还是 NAND，主流规格在过去两个季度均出现连续提价，且涨价具有持续性，并非短期补库行为。
二、需求端：AI 成为最大“变量”
1. AI 服务器拉动高端 DRAM
专家指出，一台 AI 服务器所使用的 DRAM 容量，是传统服务器的 3–5 倍以上，其中：
HBM 成为最紧缺资源
DDR5 渗透率快速提升
AI 训练与推理对带宽、容量、稳定性要求极高，使得高端 DRAM 供需长期偏紧。
2. 企业级 SSD 进入量价齐升阶段
随着 AI 集群和云厂商资本开支回暖，企业级 SSD 呈现出：
容量持续放大
单价下降幅度放缓
毛利率明显修复
专家判断，企业级 SSD 将成为 NAND 中景气度最高的细分方向。
三、供给端：原厂“极度自律”
1. 三大原厂资本开支明显克制
三星、SK 海力士、美光
本轮周期普遍延后扩产节奏
更多资本投向 HBM 和先进制程，而非简单扩产
这意味着：
存储行业“供给失控”的历史问题，在本轮周期被明显削弱。
2. 价格策略更理性
专家指出，存储原厂已从“抢份额”转向“保利润”，价格谈判中话语权显著提升。
四、技术演进：高端化成为主线
1. DRAM：HBM + DDR5
HBM3 / HBM3E 成为 AI 核心配置
DDR5 在服务器端快速渗透
2. NAND：QLC 渗透 + 企业级升级
QLC 在数据中心逐步落地
更高容量 SSD 带来单位成本优势
五、国产存储的现实与机会
交流中对国产存储给出了较为客观的判断：
颗粒层面：
高端 DRAM / NAND 短期突破难度仍大
更多集中在成熟制程和特色存储
确定性机会集中在三端：
存储模组
控制器芯片
封装测试
这三类环节与全球原厂绑定度更高，商业化进展也更快。
六、价格与盈利展望（2025–2026）
专家判断：
2025 年价格仍有上行空间
2026 年在供给克制前提下，高位震荡概率更大
存储公司盈利弹性主要来自：
ASP 修复
高端产品占比提升
折旧压力边际减轻
七、A股 / 港股标的映射（投资版）
在本轮存储复苏周期中，结合本次交流观点，A股与港股更具确定性的机会主要集中在模组、控制器与封装测试三大环节，而非上游颗粒本身。
（一）存储模组与解决方案（业绩弹性最直接）
佰维存储（688525.SH）
核心逻辑：服务器 / 工业 / AI 端存储模组布局
看点：受益企业级 SSD 放量，库存与价格周期同步修复
江波龙（301308.SZ）
核心逻辑：国内存储模组龙头，深度绑定多家原厂
看点：AI 服务器 + 数据中心客户拓展
（二）存储控制器与特色存储（国产替代主线）
兆易创新（603986.SH）
核心逻辑：NOR Flash + 存储控制生态
看点：工业、车规及服务器相关需求复苏
北京君正（300223.SZ）
核心逻辑：DRAM / 存储 SoC 布局
看点：车规与高可靠性存储应用
聚辰股份（688123.SH）
核心逻辑：EEPROM 细分龙头
看点：高毛利、小而美、抗周期能力强
（三）封装测试（先进封装 + 量价修复）
长电科技（600584.SH）
核心逻辑：国内封测龙头，先进封装平台型公司
看点：AI 相关封装需求拉动 + ASP 提升
通富微电（002156.SZ）
核心逻辑：高性能计算与先进封装深度布局
看点：AMD 体系 + AI 服务器需求
华天科技（002185.SZ）
核心逻辑：2.5D / 3D 封装持续投入
看点：产能爬坡带来业绩弹性
八、投资启示（纪要总结）
1️⃣ 存储已不是“左侧博弈”，而是进入右侧验证阶段； 2️⃣ AI 服务器相关存储具备更强确定性； 3️⃣ A 股投资更应聚焦 模组 / 控制器 / 封测； 4️⃣ 本轮周期持续时间有望长于历史平均。
本文为行业交流纪要整理，不构成投资建议。
