一、市场规模
全球市场：2025年全球半导体设备总销售额预计达1255亿美元，同比增长7.4%；2026年将达1381亿美元，增速提升至10.8%（SEMI 数据）。
中国市场：中国半导体设备市场规模预计为380亿美元（SEMI 官方预测），全球占比约30%。
二、芯片制造工艺步骤：
芯片制造主要过程：晶圆-沉积-涂胶-光刻-烘干显影-刻蚀-去胶-封装
三、半导体设备分类
半导体设备分为前道设备和后道设备。
1、前道设备（技术含量高）
①薄膜沉积设备：作用是在晶圆表面形成薄膜。进口替代率20%左右，上市公司：北方华创、拓荆科技。
②光刻设备：作用是将电路图案转移到晶圆上。最卡脖子，渗透率太低，上海微电子未上市。
③刻蚀设备：作用是去除晶圆表面多余材料，实现电路图案的加工。进口替代率35%左右，已攻克5nm技术，上市公司：中微公司、北方华创。
2、后道设备：
封测和清洗设备，技术含量较低（先进封装后续单独发文）。
四、半导体设备的市场份额占比：
1、前道设备主导市场，三大核心设备市场占比 63%。
2、后道设备中先进封装设备(2.5D/3D/Chiplet) 成增长引擎，上市公司：拓荆科技。
五、主要半导体设备介绍
（一）薄膜沉积设备
1、PVD物理气相沉积（P是物理的英语简写），用于金属和导电材料，上市公司：北方华创。（市场占比19%）
2、CVD化学气相沉积（C是化学的英语简写），其中等离子化学沉积PECVD，用于绝缘介质材料，上市公司：拓荆科技。（市场占比64%，其中PECVD为33%）
3、ALD原子层沉积，先进制程，用于绝缘介质材料，上市公司：拓荆科技。（市场占比11%）
知识拓展：
北方华创主营PVD设备，拓荆主营PECVD设备，PECVD技术含量更高及市场空间更大。
PECVD：适用于90-28nm，主要应用在逻辑芯片、存储芯片的介质层沉积。
ALD：45nm以下，高制程（拓荆科技已突破，北方华创、中微公司布局）。
（二）光刻机设备：
DUV光刻机和EUV光刻机对比：
DUV：深紫外光，用于7nm以上，浸没式光刻机。
EUV：极紫外光，用于7nm以下，一台售价超1.7亿欧。
先进程度：EUV光刻机＞ArFi（氩氟浸没式光刻机）＞ArF（氩氟光刻机）＞KrF（氪氟光刻机）
先进制程 (14nm 及以下)：国产化率极低，EUV 阿斯麦垄断。
上海微电子：28nm光刻机已量产（量产ArF氩氟光刻机，氩氟浸没式光刻机研发中），与华虹半导体、长江存储，形成芯片设计-制造-封装的闭环。未上市，不在深入研究范围内。
（三）刻蚀机设备
1、湿法刻蚀：3微米以下做不了，需采用干法刻蚀。
2、干法刻蚀：电容性等离子刻蚀CCP用于刻蚀介质材料（氧化硅、氮化硅），电感性等离子刻蚀ICP用于刻蚀硅和金属材料（中微可做CCP、ICP，北方华创仅做ICP）。
3、技术新热点：原子层刻蚀ALE，把原子层一层一层蚀刻下来，速度慢，目前国内做不到零损坏。北方华创处于验证期，预计2026 年可小规模量产。
刻蚀的技术水平指标：深宽比，比值越大，技术水平越高。中微量产60：1，正研发90：1（预计 2026 年初小规模量产，主要面向高端存储市场）
芯片制程越先进，所需刻蚀工艺数量越多，对刻蚀机的需求越多。
三大半导体设备国产化率：
国内三大半导体龙头情况：
中微公司生产的刻蚀机已进入台积电，可生产5nm芯片，在先进制程方面已取得突破。
（四）涂胶显影设备：
芯源微作为国内唯一量产涂胶显影设备厂家（国内市占率4%），氩氟浸没式光刻机匹配验证中，EUV全球仅东京电子能适配（国内市占率91%）。
六、未来展望：国产替代与技术突破双轮驱动
5、长期前景：半导体设备行业将持续受益于 AI、云计算、物联网等应用爆发，2030 年全球市场规模有望达 2000 亿美元，中国企业通过差异化创新 + 政策支持，有望在刻蚀、薄膜沉积、先进封装等领域与国际巨头形成竞争态势，国产化率提升至 40%-50%，部分细分领域实现领先。
关注上市公司：拓荆科技、北方华创、中微公司、芯源微
